TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 单 FET，MOSFET

结果 : 131
制造商
Diodes IncorporatedMicrochip TechnologyonsemiRenesas Electronics CorporationSTMicroelectronicsTaiwan Semiconductor Corporation
系列
-QFET®STripFET™SuperMESH™
包装
剪切带（CT）卷带（TR）带盒（TB）散装盒袋
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
16.5 V20 V30 V40 V45 V50 V60 V80 V90 V100 V120 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30mA（Tj）45mA（Ta）50mA（Tj）54mA（Tj）70mA（Ta）86mA（Tj）90mA（Ta）100mA（Tj）110mA（Ta）120mA（Ta）120mA（Tj）136mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0V2V，5V2.5V，10V2.5V，4V2.6V，5V3V，10V3V，5V3.5V，10V4.5V4.5V，10V5V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
300 毫欧 @ 3A，10V330 毫欧 @ 3A，10V350 毫欧 @ 4A，10V500 毫欧 @ 3A，10V600 毫欧 @ 3A，10V750 毫欧 @ 1.5A，10V900 毫欧 @ 3.5A，10V1 欧姆 @ 1.5A，10V1.2 欧姆 @ 1A，10V1.25 欧姆 @ 2A，10V1.3 欧姆 @ 500mA，5V1.5 欧姆 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1.5V @ 1mA1.6V @ 1mA1.6V @ 500µA1.8V @ 1mA2V @ 1mA2V @ 2mA2V @ 500µA2.4V @ 10mA2.4V @ 1mA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.4 nC @ 4.5 V1.43 nC @ 10 V2 nC @ 5 V3.5 nC @ 4 V6.1 nC @ 10 V6.2 nC @ 10 V6.4 nC @ 10 V6.5 nC @ 10 V6.9 nC @ 10 V8.5 nC @ 10 V10 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±10V±18V±20V±30V±40V±50V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
10 pF @ 25 V35 pF @ 18 V40 pF @ 10 V40 pF @ 25 V43 pF @ 25 V50 pF @ 18 V50 pF @ 25 V55 pF @ 25 V60 pF @ 10 V60 pF @ 25 V65 pF @ 25 V70 pF @ 20 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散（最大值）
400mW（Ta）400mW（Ta），1W（Tc）500mW（Ta）625mW（Ta）700mW（Ta）740mW（Ta）740mW（Tc）750mW（Ta）830mW（Ta）850mW（Ta）890mW（Ta），2.08W（Tc）900mW（Ta）1W（Ta）1W（Ta），3W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）-
供应商器件封装
TO-92TO-92-3TO-92（TO-226）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
131结果
应用的筛选条件 删除全部
显示
/ 131
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
2N7000
MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C
onsemi
18,220
现货
1 : ¥4.02000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
200mA（Ta）
4.5V，10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
3V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
400mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
VN2222LL-G
MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3
Microchip Technology
6,607
现货
1 : ¥4.43000
袋
-
袋
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
230mA（Tj）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 1mA
-
±30V
60 pF @ 25 V
-
400mW（Ta），1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
LND150N3-G
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Microchip Technology
7,205
现货
1 : ¥4.93000
袋
-
袋
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
30mA（Tj）
0V
1000 欧姆 @ 500µA，0V
-
-
±20V
10 pF @ 25 V
耗尽模式
740mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92
ZVP2106A
MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3
Diodes Incorporated
1,426
现货
1 : ¥7.14000
散装
-
散装
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
280mA（Ta）
10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
3.5V @ 1mA
-
±20V
100 pF @ 18 V
-
700mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
2N7000BU
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
onsemi
30,619
现货
10,000
工厂
1 : ¥2.96000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
200mA（Tc）
4.5V，10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
3V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
400mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
BS270
MOSFET N-CH 60V 400MA TO92-3
onsemi
4,022
现货
1 : ¥3.78000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
400mA（Ta）
4.5V，10V
2 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
625mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
VN2106N3-G
MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
Microchip Technology
4,142
现货
1 : ¥4.10000
袋
-
袋
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
300mA（Tj）
5V，10V
4 欧姆 @ 500mA，10V
2.4V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
2N7000-G
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Microchip Technology
2,068
现货
1 : ¥4.10000
袋
-
袋
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
200mA（Tj）
4.5V，10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
3V @ 1mA
-
±30V
60 pF @ 25 V
-
1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
VN10KN3-G
MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
Microchip Technology
5,552
现货
1 : ¥4.93000
袋
-
袋
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
310mA（Tj）
5V，10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 1mA
-
±30V
60 pF @ 25 V
-
1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92
BS107P
MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3
Diodes Incorporated
5,418
现货
24,000
工厂
1 : ¥5.17000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
120mA（Ta）
2.6V，5V
30 欧姆 @ 100mA，5V
-
-
±20V
-
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92-3
STQ1NK60ZR-AP
MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
STMicroelectronics
7,349
现货
1 : ¥5.25000
剪切带（CT）
2,000 : ¥1.76111
带盒（TB）
剪切带（CT）
带盒（TB）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
300mA（Tc）
10V
15 欧姆 @ 400mA，10V
4.5V @ 50µA
6.9 nC @ 10 V
±30V
94 pF @ 25 V
-
3W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92-3
STQ1HNK60R-AP
MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
STMicroelectronics
7,442
现货
1 : ¥5.34000
剪切带（CT）
2,000 : ¥2.01687
带盒（TB）
剪切带（CT）
带盒（TB）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
400mA（Tc）
10V
8.5 欧姆 @ 500mA，10V
3.7V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±30V
156 pF @ 25 V
-
3W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
LND150N3-G-P003
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Microchip Technology
3,840
现货
1 : ¥5.58000
剪切带（CT）
2,000 : ¥4.26886
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
30mA（Tj）
0V
1000 欧姆 @ 500µA，0V
-
-
±20V
10 pF @ 25 V
耗尽模式
740mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
2N7008-G
MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3
Microchip Technology
2,354
现货
1 : ¥5.58000
袋
-
袋
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
230mA（Tj）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±30V
50 pF @ 25 V
-
1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
TN2106N3-G
MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
Microchip Technology
1,326
现货
1 : ¥5.58000
袋
-
袋
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
300mA（Tj）
4.5V，10V
2.5 欧姆 @ 500mA，10V
2V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
740mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92
ZVN2110A
MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
Diodes Incorporated
3,907
现货
1 : ¥5.91000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
320mA（Ta）
10V
4 欧姆 @ 1A，10V
2.4V @ 1mA
-
±20V
75 pF @ 25 V
-
700mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
TN5325N3-G
MOSFET N-CH 250V 215MA TO92-3
Microchip Technology
1,260
现货
1 : ¥6.16000
袋
-
袋
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
215mA（Ta）
4.5V，10V
7 欧姆 @ 1A，10V
2V @ 1mA
-
±20V
110 pF @ 25 V
-
740mW（Ta）
-
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92
ZVN4206AV
MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3
Diodes Incorporated
1,155
现货
4,000
工厂
1 : ¥6.24000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
600mA（Ta）
5V，10V
1 欧姆 @ 1.5A，10V
3V @ 1mA
-
±20V
100 pF @ 25 V
-
700mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92
ZVN3306A
MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
Diodes Incorporated
6,700
现货
44,000
工厂
1 : ¥6.40000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
270mA（Ta）
10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
2.4V @ 1mA
-
±20V
35 pF @ 18 V
-
625mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92
ZVNL120A
MOSFET N-CH 200V 180MA TO92-3
Diodes Incorporated
2,558
现货
12,000
工厂
1 : ¥6.40000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
180mA（Ta）
3V，5V
10 欧姆 @ 250mA，5V
1.5V @ 1mA
-
±20V
85 pF @ 25 V
-
700mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
TP2104N3-G
MOSFET P-CH 40V 175MA TO92-3
Microchip Technology
1,841
现货
1 : ¥6.40000
袋
-
袋
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
175mA（Tj）
4.5V，10V
6 欧姆 @ 500mA，10V
2V @ 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
740mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
DN2530N3-G
MOSFET N-CH 300V 175MA TO92
Microchip Technology
16,003
现货
1 : ¥6.49000
袋
-
袋
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
300 V
175mA（Tj）
0V
12 欧姆 @ 150mA，0V
-
-
±20V
300 pF @ 25 V
耗尽模式
740mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92（TO-226）
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92
BS170P
MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
Diodes Incorporated
4,000
现货
4,000
工厂
1 : ¥6.57000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
270mA（Ta）
10V
5 欧姆 @ 200mA，10V
3V @ 1mA
-
±20V
60 pF @ 10 V
-
625mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92
VN10LP
MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
Diodes Incorporated
4,103
现货
4,000
工厂
1 : ¥6.90000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
270mA（Ta）
5V，10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
625mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92
ZVP2110A
MOSFET P-CH 100V 230MA TO92-3
Diodes Incorporated
4,938
现货
28,000
工厂
1 : ¥7.14000
散装
-
散装
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
230mA（Ta）
10V
8 欧姆 @ 375mA，10V
3.5V @ 1mA
-
±20V
100 pF @ 25 V
-
700mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
显示
/ 131

TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。