95A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 45
制造商
Diodes IncorporatedDiotec SemiconductorInfineon TechnologiesMicro Commercial CoMicrochip TechnologyMicrosemi CorporationNexperia USA Inc.Rohm SemiconductorSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-CoolMOS™HEXFET®HEXFET®, StrongIRFET™OptiMOS™TrenchFET®TrenchFET® Gen IVTrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
不适用于新设计停产在售
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
30 V40 V55 V60 V65 V80 V85 V100 V200 V600 V650 V1200 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V7.5V,10V10V18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2 毫欧 @ 50A,10V2.5 毫欧 @ 20A,10V2.5 毫欧 @ 57A,10V2.9 毫欧 @ 20A,10V3.2 毫欧 @ 20A,10V3.3 毫欧 @ 50A,10V3.8 毫欧 @ 20A,10V4 毫欧 @ 25A,10V4.3 毫欧 @ 25A,10V4.3 毫欧 @ 95A,10V4.5 毫欧 @ 50A,10V4.5 毫欧 @ 57A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.15V @ 1mA2.2V @ 1mA2.2V @ 250µA2.8V @ 250µA3V @ 250µA3.4V @ 250µA3.5V @ 250µA3.5V @ 3.5mA3.6V @ 1mA3.7V @ 100µA3.8V @ 49µA3.9V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
19.4 nC @ 10 V24 nC @ 10 V27.7 nC @ 10 V31 nC @ 10 V32 nC @ 10 V37.3 nC @ 10 V40 nC @ 10 V41.2 nC @ 10 V43 nC @ 10 V46 nC @ 10 V49.1 nC @ 10 V68 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+16V,-10V+20V,-10V±20V+22V,-10V+22V,-4V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1272 pF @ 15 V1709 pF @ 20 V1882 pF @ 30 V2110 pF @ 25 V2338 pF @ 25 V2345 pF @ 40 V2866 pF @ 50 V2879 pF @ 800 V2900 pF @ 40 V3007 pF @ 20 V3062 pF @ 20 V3174 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
1.6W1.7W(Ta)2.1W(Ta),100W(Tc)2.5W(Ta),83W(Tc)3.3W(Ta),136W(Tc)3.8W(Ta),210W(Tc)4.3W(Ta),94W(Tc)42W(Tc)64W(Tc)75W(Tj)83W(Tc)90W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)175°C175°C(TJ)
安装类型
底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-PQFN(5x6)DFN5060H2PAK-7LFPAK33LFPAK56,Power-SO8PG-TDSON-8-7PG-TO220-3PG-TO263-3PQFN(5x6)PowerDI5060-8PowerFlat™(5x6)PowerPAK® SO-8
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-TQFN 裸露焊盘PowerPAK® SO-8SC-100,SOT-669SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)SP1SP4TO-220-3 整包TO-220-3TO-247-3 变式TO-247-3TO-247-4TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
45结果
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/ 45
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB PKG
IRFB7545PBF
MOSFET N-CH 60V 95A TO220
Infineon Technologies
50,040
现货
1 : ¥7.88000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
95A(Tc)
6V,10V
5.9 毫欧 @ 57A,10V
3.7V @ 100µA
110 nC @ 10 V
±20V
4010 pF @ 25 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
PowerPAK SO-8DC
SIDR870ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8DC
Vishay Siliconix
23,784
现货
1 : ¥16.17000
剪切带(CT)
3,000 : ¥7.29477
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
95A(Tc)
4.5V,10V
6.6 毫欧 @ 20A,10V
3V @ 250µA
80 nC @ 10 V
±20V
2866 pF @ 50 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8DC
PowerPAK® SO-8
7,482
现货
1 : ¥18.47000
剪切带(CT)
5,000 : ¥8.00011
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
95A(Tc)
6V,10V
5.2 毫欧 @ 47.5A,10V
3.8V @ 49µA
40 nC @ 10 V
±20V
2900 pF @ 40 V
-
2.5W(Ta),83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
PowerPAK SO-8 Pkg
SIR668DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
6,425
现货
1 : ¥18.80000
剪切带(CT)
3,000 : ¥8.48576
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
95A(Tc)
7.5V,10V
4.8 毫欧 @ 20A,10V
3.4V @ 250µA
83 nC @ 7.5 V
±20V
5400 pF @ 50 V
-
104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-247N
SCT3022KLGC11
SICFET N-CH 1200V 95A TO247N
Rohm Semiconductor
126
现货
1 : ¥413.42000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
95A(Tc)
18V
28.6 毫欧 @ 36A,18V
5.6V @ 18.2mA
178 nC @ 10 V
+22V,-4V
2879 pF @ 800 V
-
427W
175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247N
TO-247-3
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN4R0-30YLDX
MOSFET N-CH 30V 95A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
42,450
现货
1 : ¥6.57000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.79255
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
95A(Tc)
4.5V,10V
4 毫欧 @ 25A,10V
2.2V @ 1mA
19.4 nC @ 10 V
±20V
1272 pF @ 15 V
-
64W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
TO-252-2
DMTH4005SK3Q-13
MOSFET N-CH 40V 95A TO252
Diodes Incorporated
7,804
现货
232,500
工厂
1 : ¥6.98000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.87360
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
95A(Tc)
10V
4.5 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 250µA
49.1 nC @ 10 V
±20V
3062 pF @ 20 V
-
2.1W(Ta),100W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-247-3 AC EP
IRFP1405PBF
MOSFET N-CH 55V 95A TO247AC
Infineon Technologies
6,847
现货
1 : ¥25.78000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
95A(Tc)
10V
5.3 毫欧 @ 95A,10V
4V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
5600 pF @ 25 V
-
310W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
LFPAK33
PSMN4R3-40MLHX
MOSFET N-CH 40V 95A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
2,929
现货
1 : ¥12.97000
剪切带(CT)
1,500 : ¥5.70955
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
95A(Tc)
4.5V,10V
4.3 毫欧 @ 25A,10V
2.15V @ 1mA
43 nC @ 10 V
±20V
3007 pF @ 20 V
-
90W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)
LFPAK33
BUK9M4R3-40HX
MOSFET N-CH 40V 95A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
3,054
现货
1 : ¥13.13000
剪切带(CT)
1,500 : ¥5.78781
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
95A(Tc)
10V
4.3 毫欧 @ 95A,10V
-
31 nC @ 10 V
+16V,-10V
-
-
90W(Tc)
175°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)
DFN5060
MCAC95N06Y-TP
N-CHANNEL MOSFET, DFN5060
Micro Commercial Co
3,837
现货
1 : ¥14.45000
剪切带(CT)
5,000 : ¥6.25321
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
95A(Tc)
4.5V,10V
2.5 毫欧 @ 20A,10V
2.2V @ 250µA
93 nC @ 10 V
±20V
5950 pF @ 25 V
-
120W(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN5060
8-PowerTDFN
TO-263 (D2Pak)
SQM90142E_GE3
MOSFET N-CH 200V 95A TO263
Vishay Siliconix
1,638
现货
1 : ¥23.07000
剪切带(CT)
800 : ¥13.92161
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
95A(Tc)
10V
15.3 毫欧 @ 20A,10V
3.5V @ 250µA
85 nC @ 10 V
±20V
4200 pF @ 25 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-247N
SCT3022KLHRC11
SICFET N-CH 1200V 95A TO247N
Rohm Semiconductor
1,130
现货
1 : ¥1,047.18000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
95A(Tc)
18V
28.6 毫欧 @ 36A,18V
5.6V @ 18.2mA
178 nC @ 18 V
+22V,-4V
2879 pF @ 800 V
-
427W
175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247N
TO-247-3
TO-220AB PKG
IRF40B207
MOSFET N-CH 40V 95A TO220AB
Infineon Technologies
2,883
现货
1 : ¥10.43000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
95A(Tc)
6V,10V
4.5 毫欧 @ 57A,10V
3.9V @ 50µA
68 nC @ 10 V
±20V
2110 pF @ 25 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
LFPAK33
PSMN4R3-40MSHX
MOSFET N-CH 40V 95A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
2,852
现货
1 : ¥11.08000
剪切带(CT)
1,500 : ¥4.85473
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
95A(Tc)
10V
4.3 毫欧 @ 25A,10V
3.6V @ 1mA
32 nC @ 10 V
±20V
2338 pF @ 25 V
-
90W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)
LFPAK33
BUK7M4R3-40HX
MOSFET N-CH 40V 95A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
1,500
现货
1 : ¥12.97000
剪切带(CT)
1,500 : ¥4.87225
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
95A(Tc)
10V
4.3 毫欧 @ 95A,10V
-
24 nC @ 10 V
+20V,-10V
-
-
90W(Tc)
175°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)
TO-247AC
SIHG026N60EF-GE3
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Vishay Siliconix
500
现货
1 : ¥79.38000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
95A(Tc)
10V
26 毫欧 @ 38A,10V
5V @ 250µA
227 nC @ 10 V
±30V
7926 pF @ 100 V
-
521W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
MBR20100CT
DIT095N08
MOSFET TO220AB N 80V 0.0066OHM
Diotec Semiconductor
1,000
现货
1 : ¥9.85000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
95A(Tc)
10V
8 毫欧 @ 40A,10V
4V @ 250µA
109 nC @ 10 V
±20V
6800 pF @ 25 V
-
170W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
5,000
现货
1 : ¥14.45000
剪切带(CT)
5,000 : ¥6.25321
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
65 V
95A(Tc)
4.5V,10V
2.5 毫欧 @ 20A,10V
2.2V @ 250µA
93 nC @ 10 V
±20V
5950 pF @ 25 V
-
120W(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN5060
8-PowerTDFN
N-CHANNEL 650 V, 19.9 MOHM TYP.,
STWA65N023M9
N-CHANNEL 650 V, 19.9 MOHM TYP.,
STMicroelectronics
636
现货
1 : ¥169.61000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
95A(Tc)
10V
23 毫欧 @ 48A,10V
4.2V @ 250µA
230 nC @ 10 V
±30V
8844 pF @ 400 V
-
463W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247 长引线
TO-247-3
N-CHANNEL 650 V, 19.9 MOHM TYP.,
STW65N023M9-4
N-CHANNEL 650 V, 19.9 MOHM TYP.,
STMicroelectronics
59
现货
此产品有最大采购数量限制
1 : ¥168.05000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
95A(Tc)
10V
23 毫欧 @ 48A,10V
4.2V @ 250µA
230 nC @ 10 V
±30V
8844 pF @ 400 V
-
463W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V, 5.6 M
STL105N8F7AG
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V, 5.6 M
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥18.64000
剪切带(CT)
3,000 : ¥8.38429
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
95A(Tc)
10V
6.5 毫欧 @ 25A,10V
4.5V @ 250µA
46 nC @ 10 V
±20V
3475 pF @ 25 V
-
127W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerFlat™(5x6)
8-PowerVDFN
0
现货
查看交期
1 : ¥9.78000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.93930
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
95A(Tc)
6V,10V
3.2 毫欧 @ 20A,10V
4V @ 250µA
27.7 nC @ 10 V
±20V
1709 pF @ 20 V
-
75W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN5060
8-PowerTDFN
TO-263-7
SCTH100N65G2-7AG
SICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥282.73000
剪切带(CT)
1,000 : ¥184.56050
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
95A(Tc)
18V
26 毫欧 @ 50A,18V
5V @ 5mA
162 nC @ 18 V
+22V,-10V
3315 pF @ 520 V
-
360W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
H2PAK-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
TO-252 D-Pak Top
DMT8008LK3-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
Diodes Incorporated
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卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
95A(Tc)
4.5V,10V
7 毫欧 @ 14A,10V
2.8V @ 250µA
41.2 nC @ 10 V
±20V
2345 pF @ 40 V
-
1.7W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
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/ 45

95A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。