9.3A（Tc）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

IRF7493TRPBF MOSFET N-CH 80V 9.3A 8SO Infineon Technologies	8,714 现货	1 : ¥13.38000 剪切带（CT） 4,000 : ¥5.52572 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	80 V	9.3A（Tc）	10V	15 毫欧 @ 5.6A，10V	4V @ 250µA	53 nC @ 10 V	±20V	1510 pF @ 25 V	-	2.5W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-SO	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
IRF630NPBF MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB Infineon Technologies	7,701 现货	1 : ¥9.28000 管件	HEXFET®	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	9.3A（Tc）	10V	300 毫欧 @ 5.4A，10V	4V @ 250µA	35 nC @ 10 V	±20V	575 pF @ 25 V	-	82W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220AB	TO-220-3
BUK9M156-100EX MOSFET N-CH 100V 9.3A LFPAK33 Nexperia USA Inc.	2,075 现货	1 : ¥4.84000 剪切带（CT） 1,500 : ¥2.07086 卷带（TR）	TrenchMOS™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	9.3A（Tc）	5V	150 毫欧 @ 5A，10V	2.1V @ 1mA	7.4 nC @ 5 V	±10V	695 pF @ 25 V	-	36W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	LFPAK33	SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）
FQP9N08L MOSFET N-CH 80V 9.3A TO220-3 Fairchild Semiconductor	5,169 市场	不可用对您所选的货币不可用	QFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	80 V	9.3A（Tc）	5V，10V	210 毫欧 @ 4.65A，10V	5V @ 250µA	6.1 nC @ 5 V	±20V	280 pF @ 25 V	-	40W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220-3	TO-220-3
FQP9N08 MOSFET N-CH 80V 9.3A TO220-3 Fairchild Semiconductor	3,153 市场	不可用对您所选的货币不可用	QFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	80 V	9.3A（Tc）	10V	210 毫欧 @ 4.65A，10V	4V @ 250µA	7.7 nC @ 10 V	±25V	250 pF @ 25 V	-	40W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220-3	TO-220-3
FQB9N08TM MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK Fairchild Semiconductor	7,169 市场	不可用对您所选的货币不可用	QFET®	散装	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	80 V	9.3A（Tc）	10V	210 毫欧 @ 4.65A，10V	4V @ 250µA	7.7 nC @ 10 V	±25V	250 pF @ 25 V	-	3.75W（Ta），40W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-263（D2PAK）	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
AUIRFU4292 MOSFET_(120V,300V) International Rectifier	26,098 市场	不可用对您所选的货币不可用	HEXFET®	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	9.3A（Tc）	10V	345 毫欧 @ 5.6A，10V	5V @ 50µA	20 nC @ 10 V	±20V	705 pF @ 25 V	-	100W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	IPAK	TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
AUIRFR4292 MOSFET N-CH 250V 9.3A DPAK International Rectifier	2,435 市场	不可用对您所选的货币不可用	HEXFET®	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	9.3A（Tc）	10V	345 毫欧 @ 5.6A，10V	5V @ 50µA	20 nC @ 10 V	±20V	705 pF @ 25 V	-	100W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	DPAK	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
FQB9N08LTM MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK onsemi	0 现货	800 : ¥3.64785 卷带（TR）	QFET®	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	80 V	9.3A（Tc）	5V，10V	210 毫欧 @ 4.65A，10V	2V @ 250µA	6.1 nC @ 5 V	±20V	280 pF @ 25 V	-	3.75W（Ta），40W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-263（D2PAK）	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
AUIRFU4292 MOSFET N CH 250V 9.3A IPAK Infineon Technologies	0 现货	3,000 : ¥5.71158 管件	HEXFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	9.3A（Tc）	10V	345 毫欧 @ 5.6A，10V	5V @ 50µA	20 nC @ 10 V	±20V	705 pF @ 25 V	-	100W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	IPAK	TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
AUIRFR4292TRL MOSFET N-CH 250V 9.3A DPAK Infineon Technologies	0 现货	3,000 : ¥8.00767 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）	不适用于新设计	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	9.3A（Tc）	10V	345 毫欧 @ 5.6A，10V	5V @ 50µA	20 nC @ 10 V	±20V	705 pF @ 25 V	-	100W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	DPAK	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRF630NSTRLPBF MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK Infineon Technologies	0 现货	1 : ¥10.34000 剪切带（CT） 1,600 : ¥4.53883 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	9.3A（Tc）	10V	300 毫欧 @ 5.4A，10V	4V @ 250µA	35 nC @ 10 V	±20V	575 pF @ 25 V	-	82W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRF7493TR MOSFET N-CH 80V 9.3A 8SO Infineon Technologies	0 现货	4,000 : ¥10.73944 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	80 V	9.3A（Tc）	10V	15 毫欧 @ 5.6A，10V	4V @ 250µA	53 nC @ 10 V	±20V	1510 pF @ 25 V	-	2.5W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-SO	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
IRF630NS MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK Infineon Technologies	0 现货	200 : ¥13.92190 散装	HEXFET®	散装	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	9.3A（Tc）	10V	300 毫欧 @ 5.4A，10V	4V @ 250µA	35 nC @ 10 V	±20V	575 pF @ 25 V	-	82W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRFB9N30A MOSFET N-CH 300V 9.3A TO220AB Vishay Siliconix	0 现货	停产	-	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	300 V	9.3A（Tc）	10V	450 毫欧 @ 5.6A，10V	4V @ 250µA	33 nC @ 10 V	±30V	920 pF @ 25 V	-	96W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220AB	TO-220-3
IRF630NL MOSFET N-CH 200V 9.3A TO262 Infineon Technologies	0 现货	停产	HEXFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	9.3A（Tc）	10V	300 毫欧 @ 5.4A，10V	4V @ 250µA	35 nC @ 10 V	±20V	575 pF @ 25 V	-	82W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-262	TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
IRF630NSTRR MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK Infineon Technologies	0 现货	停产	HEXFET®	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	9.3A（Tc）	10V	300 毫欧 @ 5.4A，10V	4V @ 250µA	35 nC @ 10 V	±20V	575 pF @ 25 V	-	82W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRF630NSPBF MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK Infineon Technologies	0 现货	Digi-Key 停止提供	HEXFET®	管件	Digi-Key 停止提供	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	9.3A（Tc）	10V	300 毫欧 @ 5.4A，10V	4V @ 250µA	35 nC @ 10 V	±20V	575 pF @ 25 V	-	82W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRF630NLPBF MOSFET N-CH 200V 9.3A TO262 Infineon Technologies	0 现货	停产	HEXFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	9.3A（Tc）	10V	300 毫欧 @ 5.4A，10V	4V @ 250µA	35 nC @ 10 V	±20V	575 pF @ 25 V	-	82W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-262	TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
IRFB9N30APBF MOSFET N-CH 300V 9.3A TO220AB Vishay Siliconix	0 现货	停产	-	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	300 V	9.3A（Tc）	10V	450 毫欧 @ 5.6A，10V	4V @ 250µA	33 nC @ 10 V	±30V	920 pF @ 25 V	-	96W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220AB	TO-220-3
IRF630NSTRRPBF MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK Infineon Technologies	0 现货	Digi-Key 停止提供	HEXFET®	卷带（TR）	Digi-Key 停止提供	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	9.3A（Tc）	10V	300 毫欧 @ 5.4A，10V	4V @ 250µA	35 nC @ 10 V	±20V	575 pF @ 25 V	-	82W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRF7493PBF MOSFET N-CH 80V 9.3A 8SO Infineon Technologies	0 现货	Digi-Key 停止提供	HEXFET®	管件	Digi-Key 停止提供	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	80 V	9.3A（Tc）	10V	15 毫欧 @ 5.6A，10V	4V @ 250µA	53 nC @ 10 V	±20V	1510 pF @ 25 V	-	2.5W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-SO	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
FQP9N08L MOSFET N-CH 80V 9.3A TO220-3 onsemi	0 现货	停产	QFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	80 V	9.3A（Tc）	5V，10V	210 毫欧 @ 4.65A，10V	5V @ 250µA	6.1 nC @ 5 V	±20V	280 pF @ 25 V	-	40W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220-3	TO-220-3
FQP9N08 MOSFET N-CH 80V 9.3A TO220-3 onsemi	0 现货	停产	QFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	80 V	9.3A（Tc）	10V	210 毫欧 @ 4.65A，10V	4V @ 250µA	7.7 nC @ 10 V	±25V	250 pF @ 25 V	-	40W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220-3	TO-220-3
AUIRFR4292 MOSFET N-CH 250V 9.3A DPAK Infineon Technologies	0 现货	停产	HEXFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	9.3A（Tc）	10V	345 毫欧 @ 5.6A，10V	5V @ 50µA	20 nC @ 10 V	±20V	705 pF @ 25 V	-	100W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	DPAK	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63