8.5A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 35
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedEPCInfineon TechnologiesMicro Commercial CoonsemiRohm SemiconductorToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-Automotive, AEC-Q101eGaN®HEXFET®PowerTrench®SRFET™TrenchFET®π-MOSVII
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
12 V30 V40 V45 V60 V200 V550 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V2.5V,10V4V,10V4.5V,10V5V5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
9.5 毫欧 @ 12.5A,10V11 毫欧 @ 9.8A,10V13 毫欧 @ 13.3A,10V13.5 毫欧 @ 9A,4.5V14 毫欧 @ 11.6A,10V15 毫欧 @ 9A,4.5V18 毫欧 @ 8.5A,10V19 毫欧 @ 4A,10V20 毫欧 @ 8A,10V21 毫欧 @ 10A,10V21 毫欧 @ 8.5A,10V22 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA1.5V @ 250µA2.1V @ 250µA2.3V @ 250µA2.4V @ 250µA2.5V @ 1.5mA2.5V @ 250µA2.8V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 1mA4V @ 250µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
2.9 nC @ 5 V9.2 nC @ 10 V10.3 nC @ 10 V12 nC @ 4.5 V13 nC @ 10 V13.2 nC @ 10 V15 nC @ 10 V15 nC @ 4.5 V17 nC @ 10 V19.5 nC @ 4.5 V20 nC @ 10 V21.4 nC @ 5 V21.8 nC @ 10 V23 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+6V,-4V±8V±12V20V±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
288 pF @ 100 V453 pF @ 20 V502 pF @ 30 V635 pF @ 15 V650 pF @ 15 V697 pF @ 15 V820 pF @ 10 V1050 pF @ 25 V1100 pF @ 15 V1142 pF @ 15 V1200 pF @ 25 V1250 pF @ 15 V1344 pF @ 10 V1500 pF @ 10 V
FET 功能
-肖特基二极管(体)
功率耗散(最大值)
950mW(Ta)1W(Ta)1.3W(Ta)1.4W(Ta)1.5W(Ta)1.7W(Ta)2W(Ta)2.12W(Ta)2.5W(Ta)2.8W(Ta),60W(Tc)3.1W(Ta)40W(Tc)-
工作温度
-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
-表面贴装型表面贴装,可润湿侧翼通孔
供应商器件封装
8-EMH8-SO8-SOIC8-SOP-POWERDI3333-8PowerDI5060-8PowerDI5060-8(UX 类)PowerPAK® 1212-8TO-220SISTO-252-3TO-252AAU-DFN2020-6(E 类)模具
封装/外壳
6-PowerUDFN8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-SMD,扁平引线8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)-PowerPAK® 1212-8TO-220-3 整包TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
35结果
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/ 35
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-SOIC
FDS8884
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
onsemi
13,653
现货
1 : ¥5.01000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.89045
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
8.5A(Ta)
4.5V,10V
23 毫欧 @ 8.5A,10V
2.5V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
635 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
DMPH4015SPSQ-13
DMP4015SPS-13
MOSFET P-CH 40V 8.5A PWRDI5060-8
Diodes Incorporated
18,869
现货
37,500
工厂
1 : ¥6.98000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.63717
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
8.5A(Ta)
4.5V,10V
11 毫欧 @ 9.8A,10V
2.5V @ 250µA
47.5 nC @ 5 V
±25V
4234 pF @ 20 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
eGaN Series
EPC2019
GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
EPC
94,840
现货
1 : ¥22.41000
剪切带(CT)
1,000 : ¥14.87944
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
200 V
8.5A(Ta)
5V
42 毫欧 @ 7A,5V
2.5V @ 1.5mA
2.9 nC @ 5 V
+6V,-4V
288 pF @ 100 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
模具
模具
PowerDI3333-8
DMN3018SFG-13
MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
Diodes Incorporated
14,435
现货
12,000
工厂
1 : ¥4.19000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.12764
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
8.5A(Ta)
4.5V,10V
21 毫欧 @ 10A,10V
2.1V @ 250µA
13.2 nC @ 10 V
±25V
697 pF @ 15 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
TO-252AA
FDD5680
MOSFET N-CH 60V 8.5A TO252
onsemi
2,356
现货
1 : ¥10.92000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.51015
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
8.5A(Ta)
6V,10V
21 毫欧 @ 8.5A,10V
4V @ 250µA
46 nC @ 10 V
±20V
1835 pF @ 30 V
-
2.8W(Ta),60W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
17,603
现货
1 : ¥4.27000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.44312
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
8.5A(Ta)
4.5V,10V
22 毫欧 @ 8.5A,10V
2.3V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
650 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
TO-252-2
DMN4036LK3-13
MOSFET N-CH 40V 8.5A TO252-3
Diodes Incorporated
1,802
现货
35,000
工厂
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.66939
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
8.5A(Ta)
4.5V,10V
36 毫欧 @ 12A,10V
3V @ 250µA
9.2 nC @ 10 V
±20V
453 pF @ 20 V
-
2.12W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PowerDI3333-8
DMN3018SFG-7
MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
Diodes Incorporated
2,000
现货
8,000
工厂
1 : ¥3.94000
剪切带(CT)
2,000 : ¥1.12764
卷带(TR)
1 : ¥4.19000
剪切带(CT)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
8.5A(Ta)
4.5V,10V
21 毫欧 @ 10A,10V
2.1V @ 250µA
13.2 nC @ 10 V
±25V
697 pF @ 15 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
ESD2V8P8U-TP
MCQ4822-TP
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOP
Micro Commercial Co
56,902
现货
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
4,000 : ¥1.65349
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
8.5A(Ta)
10V
26 毫欧 @ 6A,4.5V
3V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
1250 pF @ 15 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TA)
-
-
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
DMPH4015SPSQ-13
DMP4015SPSQ-13
MOSFET P-CH 40V 8.5A PWRDI5060-8
Diodes Incorporated
2,135
现货
855,000
工厂
1 : ¥7.72000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.29086
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
8.5A(Ta)
4.5V,10V
11 毫欧 @ 9.8A,10V
2.5V @ 250µA
47.5 nC @ 5 V
±25V
4234 pF @ 20 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
8-SMD, Flat Lead
EMH1405-TL-H
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8EMH
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
8.5A(Ta)
4V,10V
19 毫欧 @ 4A,10V
-
15 nC @ 10 V
±20V
820 pF @ 10 V
-
1.5W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-EMH
8-SMD,扁平引线
IRF7403TRPBF
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SO
Infineon Technologies
8,059
现货
1 : ¥8.78000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.64887
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
8.5A(Ta)
4.5V,10V
22 毫欧 @ 4A,10V
1V @ 250µA
57 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
50
现货
1 : ¥15.47000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
550 V
8.5A(Ta)
10V
860 毫欧 @ 4.3A,10V
4V @ 1mA
20 nC @ 10 V
±30V
1050 pF @ 25 V
-
40W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220SIS
TO-220-3 整包
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
DMP3027LFDEQ-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
10,000 : ¥0.95729
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
8.5A(Ta)
4.5V,10V
25 毫欧 @ 7A,10V
2.4V @ 250µA
21.8 nC @ 10 V
±20V
1142 pF @ 15 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
U-DFN2020-6(E 类)
6-PowerUDFN
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
DMP3027LFDEQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
3,000 : ¥1.08933
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
8.5A(Ta)
4.5V,10V
25 毫欧 @ 7A,10V
2.4V @ 250µA
21.8 nC @ 10 V
±20V
1142 pF @ 15 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
U-DFN2020-6(E 类)
6-PowerUDFN
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
DMP3027LFDE-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
10,000 : ¥1.09671
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
8.5A(Ta)
4.5V,10V
25 毫欧 @ 7A,10V
2.4V @ 250µA
21.8 nC @ 10 V
±20V
1142 pF @ 15 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
U-DFN2020-6(E 类)
6-PowerUDFN
MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2.
DMP1012USS-13
MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2.
Diodes Incorporated
0
现货
45,000
工厂
查看交期
2,500 : ¥1.15328
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
8.5A(Ta)
1.8V,4.5V
15 毫欧 @ 9A,4.5V
1V @ 250µA
19.5 nC @ 4.5 V
±8V
1344 pF @ 10 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
-
-
-
8 SO
DMP1012USSQ-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V SO-8 T&R 2.
Diodes Incorporated
0
现货
20,000
工厂
查看交期
2,500 : ¥1.18750
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
8.5A(Ta)
1.8V,4.5V
13.5 毫欧 @ 9A,4.5V
1V @ 250µA
31 nC @ 8 V
±8V
1344 pF @ 10 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
DMP3027LFDE-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
3,000 : ¥1.24800
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
8.5A(Ta)
4.5V,10V
25 毫欧 @ 7A,10V
2.4V @ 250µA
21.8 nC @ 10 V
±20V
1142 pF @ 15 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
U-DFN2020-6(E 类)
6-PowerUDFN
PowerDI3333-8
DMN3018SFGQ-13
MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
Diodes Incorporated
0
现货
15,000
工厂
查看交期
3,000 : ¥1.36609
卷带(TR)
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
8.5A(Ta)
4.5V,10V
21 毫欧 @ 10A,10V
2.1V @ 250µA
13.2 nC @ 10 V
±25V
697 pF @ 15 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
PowerDI3333-8
DMN3018SFGQ-7
MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
Diodes Incorporated
0
现货
18,000
工厂
查看交期
2,000 : ¥1.36608
卷带(TR)
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
8.5A(Ta)
4.5V,10V
21 毫欧 @ 10A,10V
2.1V @ 250µA
13.2 nC @ 10 V
±25V
697 pF @ 15 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
PowerDI3333-8
DMP3035SFG-7
MOSFET P-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
Diodes Incorporated
0
现货
12,000
工厂
查看交期
2,000 : ¥1.47736
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
8.5A(Ta)
5V,10V
20 毫欧 @ 8A,10V
2.5V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±25V
1633 pF @ 15 V
-
950mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
8-SOIC
AO4404B
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
0
现货
3,000 : ¥1.61434
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
8.5A(Ta)
2.5V,10V
24 毫欧 @ 8.5A,10V
1.5V @ 250µA
12 nC @ 4.5 V
±12V
1100 pF @ 15 V
-
3.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252
DMN6068LK3Q-13
MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252
Diodes Incorporated
0
现货
77,500
工厂
查看交期
2,500 : ¥1.86090
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
8.5A(Ta)
4.5V,10V
68 毫欧 @ 8.5A,10V
3V @ 250µA
10.3 nC @ 10 V
±20V
502 pF @ 30 V
-
-
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
-
-
PowerDI5060 UX
DMP4015SPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI506
Diodes Incorporated
0
现货
465,000
工厂
查看交期
2,500 : ¥4.79196
散装
-
散装
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
8.5A(Ta)
4.5V,10V
11 毫欧 @ 9.8A,10V
2.5V @ 250µA
47.5 nC @ 5 V
±25V
4234 pF @ 20 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
PowerDI5060-8(UX 类)
8-PowerTDFN
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8.5A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。