8.5A（Ta），18A（Tc）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

FDMC4435BZ MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP onsemi	29,824 现货	1 : ¥8.62000 剪切带（CT） 3,000 : ¥3.57531 卷带（TR）	PowerTrench®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	8.5A（Ta），18A（Tc）	4.5V，10V	20 毫欧 @ 8.5A，10V	3V @ 250µA	46 nC @ 10 V	±25V	2045 pF @ 15 V	-	2.3W（Ta），31W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	8-MLP（3.3x3.3）	8-PowerWDFN
FDMC4435BZ-F127-L701 SINGLE ST3 P Z MLP3.3X3.3 onsemi	3,000 现货	1 : ¥9.69000 剪切带（CT） 3,000 : ¥4.02121 卷带（TR）	PowerTrench®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	停产	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	8.5A（Ta），18A（Tc）	4.5V，10V	20 毫欧 @ 8.5A，10V	3V @ 250µA	53 nC @ 10 V	±25V	2045 pF @ 15 V	-	2.3W（Ta），31W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	8-MLP（3.3x3.3）	8-PowerWDFN
FDMC4435BZ-F126 MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP onsemi	0 现货	停产	PowerTrench®	卷带（TR）	停产	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	8.5A（Ta），18A（Tc）	4.5V，10V	20 毫欧 @ 8.5A，10V	3V @ 250µA	46 nC @ 10 V	±25V	2045 pF @ 15 V	-	2.3W（Ta），31W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	8-MLP（3.3x3.3）	8-PowerWDFN