FDMC4435BZ-F126 onsemi | 分立半导体产品

FDMC4435BZ-F126
DigiKey 零件编号	488-FDMC4435BZ-F126TR-ND - 卷带（TR）
制造商	onsemi
制造商产品编号	FDMC4435BZ-F126
描述	MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 P 通道 30 V 8.5A（Ta），18A（Tc） 2.3W（Ta），31W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
规格书	规格书

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	onsemi
系列	PowerTrench®
包装	卷带（TR）
零件状态	停产
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	8.5A（Ta），18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	20 毫欧 @ 8.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	46 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2045 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.3W（Ta），31W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-MLP（3.3x3.3）
封装/外壳	8-PowerWDFN
基本产品编号	FDMC4435

FDMC4435BZ-F126