7A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 256
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpDiodes IncorporatedGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSMicro Commercial CoMicrochip TechnologyMicrosemi CorporationNexperia USA Inc.NXP USA Inc.onsemiPanasonic Electronic Components
系列
-AlphaSGT™aMOS5™aMOS™CoolMOS™ C7CoolMOS™ CECoolMOS™ CFD7CoolMOS™ E6CoolMOS™ P7CoolMOS™ PFD7DTMOSVE
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
-MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
20 V30 V40 V55 V60 V80 V100 V200 V250 V400 V450 V500 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V4.5V,10V5V10V15V20V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
16.1 毫欧 @ 7A,10V18 毫欧 @ 7A,10V20.5 毫欧 @ 1A,10V21 毫欧 @ 3.5A,10V22.5 毫欧 @ 3.5A,4.5V23 毫欧 @ 3A,10V25 毫欧 @ 3.5A,10V31 毫欧 @ 7.9A,10V40 毫欧 @ 6A,10V42 毫欧 @ 5A,10V72 毫欧 @ 8A,10V73 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA1.1V @ 250µA2V @ 1mA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA3V @ 250µA3.25V @ 100µA(典型值)3.5V @ 140µA3.5V @ 1mA3.5V @ 200µA3.5V @ 210µA3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
4.3 nC @ 10 V5.6 nC @ 10 V7.7 nC @ 10 V8 nC @ 10 V8.2 nC @ 10 V8.5 nC @ 10 V9.2 nC @ 10 V9.5 nC @ 10 V10.7 nC @ 10 V11 nC @ 10 V11 nC @ 20 V11 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
±8V±10V±15V±20V+22V,-10V+23V,-10V±25V30V±30V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
133 pF @ 1000 V184 pF @ 1360 V206 pF @ 50 V250 pF @ 25 V295 pF @ 25 V340 pF @ 100 V344 pF @ 400 V350 pF @ 15 V372 pF @ 100 V380 pF @ 300 V390 pF @ 25 V410 pF @ 100 V
功率耗散(最大值)
1W(Tc)1.3W(Tc)1.6W(Tc)1.9W(Tc)1.92W(Ta),34.7W(Tc)2W(Ta),40W(Tc)2W(Ta),56.8W(Tc)2.4W(Ta)2.4W(Ta),13W(Tc)2.5W(Ta),46W(Tc)2.5W(Tc)3W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 200°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
-表面贴装型通孔
供应商器件封装
6-DFN(2x2)6-TSOP8-SOIC8-SOP-D2PAKD3PAKDPAKHiP247™I2PAKIPAKIPAK(TO-251)
封装/外壳
4-PowerTSFN6-PowerWDFN6-WDFN 裸露焊盘8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)-ISOPLUS220™PowerPAK® SC-75-6SC-96SOT-23-6 细型,TSOT-23-6SOT-23-6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
256结果
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/ 256
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT223
BUK7880-55A/CUX
MOSFET N-CH 55V 7A SOT223
Nexperia USA Inc.
32,596
现货
1 : ¥4.23000
剪切带(CT)
1,000 : ¥1.58597
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)55 V7A(Tc)10V80 毫欧 @ 10A,10V4V @ 1mA12 nC @ 10 V±20V500 pF @ 25 V-8W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型SOT-223TO-261-4,TO-261AA
SOT223
BUK9880-55A/CUX
MOSFET N-CH 55V 7A SOT223
Nexperia USA Inc.
160,516
现货
1 : ¥4.80000
剪切带(CT)
1,000 : ¥1.81873
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)55 V7A(Tc)4.5V,10V73 毫欧 @ 8A,10V2V @ 1mA11 nC @ 5 V±15V584 pF @ 25 V-8W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型SOT-223TO-261-4,TO-261AA
SOT223
BUK9875-100A/CUX
MOSFET N-CH 100V 7A SOT223
Nexperia USA Inc.
33,063
现货
1 : ¥6.91000
剪切带(CT)
1,000 : ¥2.96129
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V7A(Tc)4.5V,10V72 毫欧 @ 8A,10V2V @ 1mA-±10V1690 pF @ 25 V-8W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型SOT-223TO-261-4,TO-261AA
8-Power TDFN
BSZ22DN20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
Infineon Technologies
1,024
现货
1 : ¥9.76000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.85776
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)200 V7A(Tc)10V225 毫欧 @ 3.5A,10V4V @ 13µA5.6 nC @ 10 V±20V430 pF @ 100 V-34W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PG-TSDSON-88-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC22DN20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 7A TDSON-8-5
Infineon Technologies
595
现货
1 : ¥9.76000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.84494
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)200 V7A(Tc)10V225 毫欧 @ 3.5A,10V4V @ 13µA5.6 nC @ 10 V±20V430 pF @ 100 V-34W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PG-TDSON-8-58-PowerTDFN
TO-252AA
FCD7N60TM
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
onsemi
5,965
现货
1 : ¥18.37000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.26597
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V7A(Tc)10V600 毫欧 @ 3.5A,10V5V @ 250µA30 nC @ 10 V±30V920 pF @ 25 V-83W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-252AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TSOP-6-Single
SQ3426CEV-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Vishay Siliconix
2,282
现货
1 : ¥4.35000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.47248
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V7A(Tc)4.5V,10V42 毫欧 @ 5A,10V2.5V @ 250µA12 nC @ 4.5 V±20V1300 pF @ 30 V-5W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型6-TSOPSOT-23-6 细型,TSOT-23-6
4,883
现货
1 : ¥10.41000
剪切带(CT)
2,000 : ¥4.31516
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)650 V7A(Tc)10V560 毫欧 @ 3.5A,10V4V @ 240µA14.5 nC @ 10 V±30V380 pF @ 300 V-60W(Tc)150°C(TJ)--表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8PowerVDFN
STL15N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 7A POWERFLAT HV
STMicroelectronics
3,000
现货
1 : ¥15.77000
剪切带(CT)
3,000 : ¥7.10071
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V7A(Tc)10V418 毫欧 @ 4.5A,10V4.75V @ 250µA17 nC @ 10 V±25V590 pF @ 100 V-55W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PowerFlat™(5x6)HV8-PowerVDFN
TO-220-3 Type A
STP7N90K5
MOSFET N-CH 900V 7A TO220
STMicroelectronics
454
现货
1 : ¥19.02000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)900 V7A(Tc)10V810 毫欧 @ 4A,10V5V @ 100µA17.7 nC @ 10 V±30V425 pF @ 10 V-110W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--通孔TO-220TO-220-3
MFG_DPAK(TO252-3)
STD7N90K5
MOSFET N-CH 900V 7A DPAK
STMicroelectronics
737
现货
1 : ¥21.14000
剪切带(CT)
2,500 : ¥9.52840
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)900 V7A(Tc)10V-5V @ 100µA-±30V--110W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220-3
FCP7N60
MOSFET N-CH 600V 7A TO220-3
onsemi
965
现货
1 : ¥21.30000
管件
管件
不适用于新设计N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V7A(Tc)10V600 毫欧 @ 3.5A,10V5V @ 250µA30 nC @ 10 V±30V920 pF @ 25 V-83W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--通孔TO-220-3TO-220-3
TO-247-3 HiP
STW9NK95Z
MOSFET N-CH 950V 7A TO247
STMicroelectronics
552
现货
1 : ¥24.80000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)950 V7A(Tc)10V1.38 欧姆 @ 3.6A,10V4.5V @ 100µA56 nC @ 10 V±30V2256 pF @ 25 V-160W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--通孔TO-247-3TO-247-3
TO-247-3
MSC750SMA170B
SICFET N-CH 1700V 7A TO247-3
Microchip Technology
232
现货
1 : ¥44.23000
管件
-
管件
在售N 通道SiCFET(碳化硅)1700 V7A(Tc)20V940 毫欧 @ 2.5A,20V3.25V @ 100µA(典型值)11 nC @ 20 V+23V,-10V184 pF @ 1360 V-68W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--通孔TO-247-3TO-247-3
PowerFlat
STL7N6F7
MOSFET N-CH 60V 7A POWERFLAT
STMicroelectronics
4,188
现货
1 : ¥5.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.12723
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V7A(Tc)10V25 毫欧 @ 3.5A,10V4V @ 250µA8 nC @ 10 V±20V450 pF @ 25 V-2.4W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PowerFlat™(2x2)6-PowerWDFN
TSMT3
RQ5E070BNTCL
MOSFET N-CH 30V 7A TSMT3
Rohm Semiconductor
2,674
现货
1 : ¥5.85000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.23487
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V7A(Tc)10V16.1 毫欧 @ 7A,10V2.5V @ 1mA23 nC @ 10 V±20V950 pF @ 15 V-1W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TSMT3SC-96
TO252-3
IPD65R650CEAUMA1
MOSFET N-CH 650V 7A TO252-3
Infineon Technologies
2,265
现货
1 : ¥7.72000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.19321
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)650 V7A(Tc)10V650 毫欧 @ 2.1A,10V3.5V @ 210µA23 nC @ 10 V±20V440 pF @ 100 V-86W(Tc)-40°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PG-TO252-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
7,892
现货
1 : ¥8.87000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.32478
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计N 通道MOSFET(金属氧化物)650 V7A(Tc)10V1.56 欧姆 @ 3.5A,10V4.5V @ 250µA24 nC @ 10 V±30V1180 pF @ 25 V-178W(Tc)-50°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-252(DPAK)TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
3,574
现货
1 : ¥11.38000
剪切带(CT)
2,000 : ¥4.71864
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V7A(Tc)10V560 毫欧 @ 3.5A,10V4V @ 240µA14.5 nC @ 10 V±30V380 pF @ 300 V-60W(Tc)150°C(TJ)--表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD80R750P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 7A TO252-3
Infineon Technologies
4,144
现货
1 : ¥12.36000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.11094
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)800 V7A(Tc)10V750 毫欧 @ 2.7A,10V3.5V @ 140µA17 nC @ 10 V±20V460 pF @ 500 V-51W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PG-TO252-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
2,239
现货
1 : ¥13.01000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.37994
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V7A(Tc)10V580 毫欧 @ 3.5A,10V4V @ 250µA14.5 nC @ 10 V30V440 pF @ 100 V-60W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
D-PAK (TO-252AA)
SIHD7N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Vishay Siliconix
138
现货
1 : ¥15.69000
散装
-
散装
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V7A(Tc)10V600 毫欧 @ 3.5A,10V4V @ 250µA40 nC @ 10 V±30V680 pF @ 100 V-78W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD8N65M5
MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
STMicroelectronics
2,230
现货
1 : ¥21.22000
剪切带(CT)
2,500 : ¥9.56772
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)650 V7A(Tc)10V600 毫欧 @ 3.5A,10V5V @ 250µA15 nC @ 10 V±25V690 pF @ 100 V-70W(Tc)150°C(TJ)--表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
RB098BM-40FNSTL
R8007AND3FRATL
MOSFET N-CH 800V 7A TO252
Rohm Semiconductor
4,914
现货
1 : ¥28.70000
剪切带(CT)
2,500 : ¥19.07462
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)800 V7A(Tc)10V1.6 欧姆 @ 3.5A,10V5V @ 1mA28 nC @ 10 V±30V850 pF @ 25 V-140W(Tc)150°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型TO-252TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263AB
IXFA7N80P
MOSFET N-CH 800V 7A TO263
IXYS
257
现货
1,100
工厂
1 : ¥30.97000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)800 V7A(Tc)10V1.44 欧姆 @ 3.5A,10V5V @ 1mA32 nC @ 10 V±30V1890 pF @ 25 V-200W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-263AA(IXFA)TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
显示
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7A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。