65A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 92
制造商
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSMicro Commercial CoMicrochip TechnologyMicrosemi CorporationNexperia USA Inc.onsemiQorvoSTMicroelectronics
系列
-DeepGATE™, STripFET™DeepGATE™, STripFET™ VIIFRFET®, SuperFET® IIIHEXFET®HiPerFET™, Ultra XMDmesh™ IINexFET™POWER MOS V®PowerTrench®QFET®SGTSTripFET™ VSuperFET® III
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(共源共栅 SiCJFET)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
20 V25 V30 V40 V60 V65 V80 V85 V100 V120 V200 V250 V600 V650 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V4.5V,10V4.5V,8V7V,10V7.5V,10V10V12V18V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.8 毫欧 @ 65A,10V3.2mOhm @ 65A,10V4.2 毫欧 @ 55A,10V4.8 毫欧 @ 32.5A,10V5 毫欧 @ 20A,10V5.2 毫欧 @ 20A,10V5.4 毫欧 @ 20A,4.5V5.6 毫欧 @ 65A,10V5.7 毫欧 @ 20A,10V5.8 毫欧 @ 9.5A,10V6 毫欧 @ 20A,10V6.5 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA2V @ 250µA2.2V @ 1mA2.35V @ 25µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA2.7V @ 1mA3V @ 1mA3V @ 250µA3.5V @ 250µA4V @ 10mA4V @ 15mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
3.4 nC @ 4.5 V8 nC @ 4.5 V9.5 nC @ 4.5 V12 nC @ 4.5 V13 nC @ 4.5 V13.6 nC @ 10 V14 nC @ 4.5 V16.6 nC @ 10 V16.7 nC @ 10 V32 nC @ 10 V34.5 nC @ 10 V35 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±10V±16V±20V±22V+23V,-10V+25V,-10V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
506 pF @ 15 V817 pF @ 15 V950 pF @ 15 V1030 pF @ 15 V1155 pF @ 15 V1255 pF @ 15 V1290 pF @ 25 V1330 pF @ 20 V1500 pF @ 100 V1500 pF @ 25 V1617 pF @ 30 V1740 pF @ 30 V
功率耗散(最大值)
1.04W(Ta),62.5W(Tc)2.6W(Ta)3W(Ta)3.75W(Ta),120W(Tc)3.75W(Ta),150W(Tc)3.75W(Ta),375W(Tc)35W(Tc)39W(Tc)44.6W(Tc)45W(Tc)48W(Tc)50W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 200°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-DFNW(5.2x6.3)8-DFN(4.9x5.75)8-DFN(5.1x6.3)8-PPAK(3.05x3.08)8-PQFN(5x6)8-QFN(3x3)8-VSONP(5x6)264 MAX™ [L2]D2PAKD3PAKDFN5060DPAK
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNJ3 模块SC-100,SOT-669SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)SOT-227-4,miniBLOCTO-220-3 整包TO-220-3TO-247-3TO-247-4TO-251-3 短引线,IPAKTO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-252-4,DPak(3 引线 + 接片)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
92结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 92
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB PKG
IRFB4227PBF
MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB
Infineon Technologies
2,759
现货
1 : ¥26.68000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)200 V65A(Tc)10V24 毫欧 @ 46A,10V5V @ 250µA98 nC @ 10 V±30V4600 pF @ 25 V-330W(Tc)-40°C ~ 175°C(TJ)--通孔TO-220ABTO-220-3
TO-247-3 AC EP
IRFP4227PBF
MOSFET N-CH 200V 65A TO247AC
Infineon Technologies
2,369
现货
1 : ¥33.09000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)200 V65A(Tc)10V25 毫欧 @ 46A,10V5V @ 250µA98 nC @ 10 V±30V4600 pF @ 25 V-330W(Tc)-40°C ~ 175°C(TJ)--通孔TO-247ACTO-247-3
TO-247-3L
UJ3C120040K3S
SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3
Qorvo
539
现货
1 : ¥218.69000
管件
-
管件
在售N 通道SiCFET(共源共栅 SiCJFET)1200 V65A(Tc)12V45毫欧 @ 40A,12V6V @ 10mA51 nC @ 15 V±25V1500 pF @ 100 V-429W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--通孔TO-247-3TO-247-3
DMPH4015SPSQ-13
DMT36M1LPS-13
MOSFET N-CH 30V 65A PWRDI5060-8
Diodes Incorporated
20,634
现货
1 : ¥4.31000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.45459
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V65A(Tc)4.5V,10V6 毫欧 @ 20A,10V3V @ 250µA16.7 nC @ 10 V±20V1155 pF @ 15 V-2.6W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PowerDI5060-88-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD17527Q5A
MOSFET N-CH 30V 65A 8VSON
Texas Instruments
12,544
现货
1 : ¥9.11000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.42378
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V65A(Tc)4.5V,10V10.8 毫欧 @ 11A,10V2V @ 250µA3.4 nC @ 4.5 V±20V506 pF @ 15 V-3W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-VSONP(5x6)8-PowerTDFN
TO-263 (D2Pak)
SUM65N20-30-E3
MOSFET N-CH 200V 65A TO263
Vishay Siliconix
5,169
现货
1 : ¥38.29000
剪切带(CT)
800 : ¥23.10420
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)200 V65A(Tc)10V30 毫欧 @ 30A,10V4V @ 250µA130 nC @ 10 V±20V5100 pF @ 25 V-3.75W(Ta),375W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型TO-263(D2PAK)TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-247-3
FCH040N65S3-F155
MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
onsemi
1,149
现货
1 : ¥100.08000
管件
管件
不适用于新设计N 通道MOSFET(金属氧化物)650 V65A(Tc)10V40 毫欧 @ 32.5A,10V4.5V @ 6.5mA136 nC @ 10 V±30V4740 pF @ 400 V-417W(Tc)-55°C ~ 150°C--通孔TO-247-3TO-247-3
D2PAK-3L
UF3C065030B3
MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Qorvo
4,623
现货
1 : ¥148.78000
剪切带(CT)
800 : ¥102.75011
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道-650 V65A(Tc)12V35 毫欧 @ 40A,12V6V @ 10mA51 nC @ 15 V±25V1500 pF @ 100 V-242W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型TO-263(D2PAK)TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-247-4L
UF3C120040K4S
SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4
Qorvo
906
现货
1 : ¥218.69000
管件
-
管件
在售N 通道SiCFET(共源共栅 SiCJFET)1200 V65A(Tc)12V45毫欧 @ 40A,12V6V @ 10mA43 nC @ 12 V±25V1500 pF @ 100 V-429W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--通孔TO-247-4TO-247-4
IXYK1x0xNxxxx
IXFN66N85X
MOSFET N-CH 850V 65A SOT227B
IXYS
133
现货
1 : ¥358.93000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)850 V65A(Tc)10V65 毫欧 @ 33A,10V5.5V @ 8mA230 nC @ 10 V±30V8900 pF @ 25 V-830W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--底座安装SOT-227BSOT-227-4,miniBLOC
Power56
FDWS86369-F085
MOSFET N-CH 80V 65A POWER56
onsemi
6,340
现货
1 : ¥13.41000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.55927
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)80 V65A(Tc)10V7.5 毫欧 @ 65A,10V4V @ 250µA46 nC @ 10 V±20V2470 pF @ 40 V-107W(Tj)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型Power568-PowerVDFN
TO-247-3
NVHL040N65S3F
MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
onsemi
240
现货
1 : ¥112.60000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)650 V65A(Tc)10V40 毫欧 @ 32.5A,10V5V @ 2.1mA153 nC @ 10 V±30V5875 pF @ 400 V-446W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)汽车级AEC-Q101通孔TO-247-3TO-247-3
TO-247-3
NTHL040N65S3F
MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
onsemi
450
现货
1 : ¥129.43000
管件
管件
不适用于新设计N 通道MOSFET(金属氧化物)650 V65A(Tc)10V40 毫欧 @ 32.5A,10V5V @ 6.5mA158 nC @ 10 V±30V5940 pF @ 400 V-446W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--通孔TO-247-3TO-247-3
D2PAK-3L
UJ3C065030B3
MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Qorvo
419
现货
1 : ¥148.78000
剪切带(CT)
800 : ¥102.75011
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道-650 V65A(Tc)12V35 毫欧 @ 50A,12V6V @ 10mA51 nC @ 15 V±25V1500 pF @ 100 V-242W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型TO-263(D2PAK)TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-247-3L
UF3C120040K3S
SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3
Qorvo
36,050
现货
1 : ¥153.74000
管件
-
管件
在售N 通道SiCFET(共源共栅 SiCJFET)1200 V65A(Tc)12V45毫欧 @ 40A,12V6V @ 10mA51 nC @ 15 V±25V1500 pF @ 100 V-429W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--通孔TO-247-3TO-247-3
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK7Y14-80EX
MOSFET N-CH 80V 65A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
500
现货
1 : ¥9.19000
剪切带(CT)
1,500 : ¥3.77425
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)80 V65A(Tc)10V14 毫欧 @ 15A,10V4V @ 1mA44.8 nC @ 10 V±20V3155 pF @ 25 V-147W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型LFPAK56,Power-SO8SC-100,SOT-669
TO-247-3 HiP
SCTWA50N120
SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
STMicroelectronics
378
现货
1 : ¥242.47000
管件
-
管件
在售N 通道SiCFET(碳化硅)1200 V65A(Tc)20V69 毫欧 @ 40A,20V3V @ 1mA122 nC @ 20 V+25V,-10V1900 pF @ 400 V-318W(Tc)-55°C ~ 200°C(TJ)--通孔HiP247™TO-247-3
8-Power TDFN
CSD17327Q5A
MOSFET N-CH 30V 65A 8VSON
Texas Instruments
2,500
现货
1 : ¥7.89000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.27278
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V65A(Tc)4.5V,8V12.2 毫欧 @ 11A,8V2V @ 250µA3.4 nC @ 4.5 V±10V506 pF @ 15 V-3W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-VSONP(5x6)8-PowerTDFN
P-CHANNEL MOSFET, DPAK
MCU65P04-TP
P-CHANNEL MOSFET, DPAK
Micro Commercial Co
4,985
现货
1 : ¥8.46000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.49248
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)40 V65A(Tc)10V14 毫欧 @ 20A,10V2.5V @ 250µA59.1 nC @ 10 V±20V3354 pF @ 20 V-96W(Tj)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-252(DPAK)TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN012-100YSFX
NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Nexperia USA Inc.
1,468
现货
1 : ¥10.41000
剪切带(CT)
1,500 : ¥3.97430
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V65A(Tc)7V,10V11.8 毫欧 @ 20A,10V4V @ 1mA46 nC @ 10 V±20V2800 pF @ 50 V-130W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型LFPAK56,Power-SO8SC-100,SOT-669
4,830
现货
1 : ¥13.50000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.09176
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V65A(Tc)10V9.5 毫欧 @ 20A,10V4V @ 250µA32 nC @ 10 V±20V2431 pF @ 50 V-96W-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-252(DPAK)TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MBRD6100CT-TP
MCU65N10Y-TP
N-CHANNEL MOSFET,DPAK
Micro Commercial Co
3,321
现货
1 : ¥13.50000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.09176
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V65A(Tc)4.5V,10V8.6 毫欧 @ 20A,10V2.5V @ 250µA32 nC @ 10 V±20V2270 pF @ 50 V-96W(Tj)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-252(DPAK)TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
933
现货
1 : ¥26.42000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)200 V65A(Tc)10V24 毫欧 @ 46A,10V5V @ 250µA98 nC @ 10 V±30V4600 pF @ 25 V-330W(Tc)-40°C ~ 175°C(TJ)--通孔TO-220ABTO-220-3
TO-247-4
NVH4L040N65S3F
MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4
onsemi
448
现货
1,350
工厂
1 : ¥109.18000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)650 V65A(Tc)-40 毫欧 @ 32.5A,10V5V @ 2.1mA160 nC @ 10 V±30V5665 pF @ 400 V-446W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)汽车级AEC-Q101通孔TO-247-4LTO-247-4
TO-247-3
NVHL040N65S3
SF3 650V EASY 40MOHM TO-247 AUTO
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥115.20000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)650 V65A(Tc)10V40 毫欧 @ 32.5A,10V4.5V @ 1.7mA136 nC @ 10 V±30V4740 pF @ 400 V-417W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)汽车级AEC-Q101通孔TO-247-3TO-247-3
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65A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。