6.5A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 72
制造商
Goford SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSMicrosemi CorporationonsemiRohm SemiconductorSTMicroelectronicsTagore TechnologyTaiwan Semiconductor CorporationTransphormVishay Siliconix
系列
-CoolMOS™CoolMOS™ P7MDmesh™MDmesh™ IIMDmesh™ M2OptiMOS™QFET®STripFET™ IISuperGaN®SuperMESH™TrenchFET®UniFET-II™UniFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘散装管件
产品状态
不适用于新设计停产在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
-GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20 V30 V60 V80 V100 V200 V500 V600 V650 V700 V800 V1000 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V,6V1.8V,2.5V,4.5V1.8V,4.5V4.5V4.5V,10V5V5V,10V6V8V10V12V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
21 毫欧 @ 6.5A,4.5V23 毫欧 @ 5A,4.5V24 毫欧 @ 6A,10V26 毫欧 @ 5A,4.5V50 毫欧 @ 2A,10V72 毫欧 @ 2A,10V95 毫欧 @ 5A,10V200 毫欧 @ 3A,10V250 毫欧 @ 6.5A,10V300 毫欧 @ 4.1A,10V300 毫欧 @ 6.6A,10V305 毫欧 @ 8.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA1.2V @ 1mA2V @ 250µA2V @ 270µA2.5V @ 2.8mA2.5V @ 250µA2.6V @ 500µA2.8V @ 500µA3V @ 250µA3.5V @ 250µA3.5V @ 440µA3.5V @ 70µA4V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.75 nC @ 6 V4 nC @ 5 V4.1 nC @ 4.5 V8 nC @ 4.5 V8.3 nC @ 10 V8.3 nC @ 400 V8.8 nC @ 10 V9 nC @ 10 V9 nC @ 5 V9.3 nC @ 10 V9.6 nC @ 8 V10.6 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±10V±12V±16V±18V±20V±25V±30V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
28 pF @ 400 V240 pF @ 25 V306 pF @ 400 V330 pF @ 25 V345 pF @ 25 V420 pF @ 30 V452 pF @ 50 V500 pF @ 25 V538 pF @ 100 V590 pF @ 100 V620 pF @ 25 V700 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
800mW(Ta),25W(Tc)1.25W(Ta),16.7W(Tc)1.25W(Ta),20W(Tc)1.25W(Tc)1.56W(Tc)3W(Ta),74W(Tc)3W(Tc)3.13W(Ta),63W(Tc)3.3W(Tc)6.7W(Tc)9W(Tc)20.8W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)-
等级
-军用
资质
-MIL-PRF-19500/564MIL-PRF-19500/630
安装类型
-表面贴装型通孔
供应商器件封装
3-PQFN(8x8)8-PQFN(8x8)8-SOP18-ULCC(9.14x7.49)22-QFN(5x7)-DPAKPG-SOT223PG-TO220-FPPG-TO251-3PG-TO252-3PG-TO252-3-313
封装/外壳
3-PowerDFN8-PowerVDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-VDFN 裸露焊盘18-CLCC22-PowerVFQFN-SOT-23-6 细型,TSOT-23-6SOT-23-6TO-205AF 金属罐TO-220-3 整包TO-220-3TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
72结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 72
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
BSS138
TSM260P02CX RFG
-20V, -6.5A, SINGLE P-CHANNEL PO
Taiwan Semiconductor Corporation
15,332
现货
1 : ¥4.27000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.45045
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.5A(Tc)
1.8V,2.5V,4.5V
26 毫欧 @ 5A,4.5V
1V @ 250µA
19.5 nC @ 4.5 V
±10V
1670 pF @ 15 V
-
1.56W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
-
58,217
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.02510
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6.5A(Tc)
4.5V,10V
24 毫欧 @ 6A,10V
2.5V @ 250µA
4.1 nC @ 4.5 V
±20V
345 pF @ 25 V
-
1.56W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
13,262
现货
1 : ¥5.01000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.89990
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
6.5A(Tc)
4.5V,10V
95 毫欧 @ 5A,10V
2.5V @ 250µA
9.3 nC @ 10 V
±20V
1480 pF @ 50 V
-
9W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
PG-SOT223
IPN70R750P7SATMA1
MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223
Infineon Technologies
13,939
现货
1 : ¥5.83000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.22482
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
700 V
6.5A(Tc)
10V
750 毫欧 @ 1.4A,10V
3.5V @ 70µA
8.3 nC @ 10 V
±16V
306 pF @ 400 V
-
6.7W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT223
TO-261-4,TO-261AA
SOT223-3L
STN4NF03L
MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223
STMicroelectronics
2,160
现货
1 : ¥7.72000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.19955
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6.5A(Tc)
5V,10V
50 毫欧 @ 2A,10V
1V @ 250µA
9 nC @ 10 V
±16V
330 pF @ 25 V
-
3.3W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
TO-220AB
IRF9630PBF
MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
Vishay Siliconix
3,796
现货
1 : ¥12.97000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
6.5A(Tc)
10V
800 毫欧 @ 3.9A,10V
4V @ 250µA
29 nC @ 10 V
±20V
700 pF @ 25 V
-
74W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-263AB
IRF9630STRLPBF
MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Vishay Siliconix
994
现货
1 : ¥22.99000
剪切带(CT)
800 : ¥12.84630
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
6.5A(Tc)
10V
800 毫欧 @ 3.9A,10V
4V @ 250µA
29 nC @ 10 V
±20V
700 pF @ 25 V
-
3W(Ta),74W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
PQFN_8x8
TP65H300G4LSG-TR
GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Transphorm
6,487
现货
1 : ¥29.47000
剪切带(CT)
3,000 : ¥14.33259
管件
-
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
管件
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
6.5A(Tc)
8V
312毫欧 @ 5A,8V
2.6V @ 500µA
9.6 nC @ 8 V
±18V
760 pF @ 400 V
-
21W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-PQFN(8x8)
3-PowerDFN
TO-220FP
STF8NK100Z
MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO220FP
STMicroelectronics
331
现货
1 : ¥39.08000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1000 V
6.5A(Tc)
10V
1.85 欧姆 @ 3.15A,10V
4.5V @ 100µA
102 nC @ 10 V
±30V
2180 pF @ 25 V
-
40W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
TO-220-3
STP8NK100Z
MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO220AB
STMicroelectronics
594
现货
1 : ¥41.46000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1000 V
6.5A(Tc)
10V
1.85 欧姆 @ 3.15A,10V
4.5V @ 100µA
102 nC @ 10 V
±30V
2180 pF @ 25 V
-
160W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
23,257
现货
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.67060
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.5A(Tc)
1.8V,4.5V
26 毫欧 @ 5A,4.5V
1V @ 250µA
19.5 nC @ 4.5 V
±10V
1670 pF @ 15 V
-
1.56W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-26
SOT-23-6
TO-220AB
IRF9630PBF-BE3
MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
Vishay Siliconix
1,802
现货
1 : ¥12.97000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
6.5A(Tc)
-
800 毫欧 @ 3.9A,10V
4V @ 250µA
29 nC @ 10 V
±20V
700 pF @ 25 V
-
74W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-263AB
IRF9630SPBF
MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Vishay Siliconix
3,796
现货
1 : ¥22.99000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
6.5A(Tc)
10V
800 毫欧 @ 3.9A,10V
4V @ 250µA
29 nC @ 10 V
±20V
700 pF @ 25 V
-
3W(Ta),74W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
MFG_DPAK(TO252-3)
STD7NM80
MOSFET N-CH 800V 6.5A DPAK
STMicroelectronics
4,299
现货
1 : ¥31.28000
剪切带(CT)
2,500 : ¥15.22036
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
6.5A(Tc)
10V
1.05 欧姆 @ 3.25A,10V
5V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±30V
620 pF @ 25 V
-
90W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220FP
STF7NM80
MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220FP
STMicroelectronics
920
现货
1 : ¥32.59000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
6.5A(Tc)
10V
1.05 欧姆 @ 3.25A,10V
5V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±30V
620 pF @ 25 V
-
25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
11,512
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.17161
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6.5A(Tc)
4.5V,10V
24 毫欧 @ 6A,10V
2.5V @ 250µA
4.1 nC @ 4.5 V
±20V
345 pF @ 25 V
-
1.56W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-26
SOT-23-6
TO252-3
IPD25DP06NMATMA1
MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3
Infineon Technologies
2,242
现货
1 : ¥7.72000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.20746
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
6.5A(Tc)
10V
250 毫欧 @ 6.5A,10V
4V @ 270µA
10.6 nC @ 10 V
±20V
420 pF @ 30 V
-
28W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3-313
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
SIHF9630STRL-GE3
MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Vishay Siliconix
785
现货
1 : ¥10.43000
剪切带(CT)
800 : ¥5.63788
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
6.5A(Tc)
10V
800 毫欧 @ 3.9A,10V
4V @ 250µA
29 nC @ 10 V
±20V
700 pF @ 25 V
-
3W(Ta),74W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
8PowerVDFN
STL13N65M2
MOSFET N-CH 650V 6.5A POWERFLAT
STMicroelectronics
2,790
现货
1 : ¥15.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥7.18671
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
6.5A(Tc)
10V
475 毫欧 @ 3A,10V
4V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±25V
590 pF @ 100 V
-
52W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerFlat™(5x6)HV
8-PowerVDFN
MFG_DPAK(TO252-3)
STD9NM60N
MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK
STMicroelectronics
2,500
现货
1 : ¥19.54000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.80666
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
6.5A(Tc)
10V
745 毫欧 @ 3.25A,10V
4V @ 250µA
17.4 nC @ 10 V
±25V
452 pF @ 50 V
-
70W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TP65H300G4LSGB-TR
TP65H300G4LSGB-TR
GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8
Transphorm
2,979
现货
1 : ¥25.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥12.30034
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
6.5A(Tc)
6V
312 毫欧 @ 6.5A,6V
2.8V @ 500µA
8.8 nC @ 10 V
±12V
730 pF @ 400 V
-
21W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-PQFN(8x8)
8-VDFN 裸露焊盘
PG-TO251-3
IPSA70R750P7SAKMA1
MOSFET N-CH 700V 6.5A TO251-3
Infineon Technologies
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
700 V
6.5A(Tc)
10V
750 毫欧 @ 1.4A,10V
3.5V @ 70µA
8.3 nC @ 400 V
±16V
306 pF @ 400 V
-
34.7W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO251-3
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
SSF2307
SSF2307
MOSFET, P-CH, SINGLE, -6.50A, -2
Good-Ark Semiconductor
8,976
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.51308
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.5A(Tc)
1.8V,4.5V
23 毫欧 @ 5A,4.5V
1V @ 250µA
29 nC @ 4.5 V
±10V
2430 pF @ 15 V
-
1.56W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6L
SOT-23-6
BAT54
SSF3912S
MOSFET, N-CH, SINGLE, 6.5A, 30V-
Good-Ark Semiconductor
5,950
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.63015
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6.5A(Tc)
4.5V,10V
24 毫欧 @ 6A,10V
2.5V @ 250µA
8 nC @ 4.5 V
±20V
500 pF @ 25 V
-
1.56W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SSF3714
SSF3912
MOSFET, N-CH, SINGLE, 6.5A, 30V,
Good-Ark Semiconductor
6,000
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.82085
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6.5A(Tc)
4.5V,10V
24 毫欧 @ 6A,10V
2.5V @ 250µA
8 nC @ 4.5 V
±20V
500 pF @ 25 V
-
1.56W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
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表面贴装型
SOT-23-6L
SOT-23-6
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6.5A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。