59A（Tc）单 FET，MOSFET

显示

/ 44

制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

IRF3710ZSTRLPBF MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK Infineon Technologies	17,963 现货	1 : ¥15.43000 剪切带（CT） 800 : ¥8.65450 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	59A（Tc）	10V	18 毫欧 @ 35A，10V	4V @ 250µA	120 nC @ 10 V	±20V	2900 pF @ 25 V	-	160W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
PSMN012-60YS,115 MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK56 Nexperia USA Inc.	4,004 现货	1 : ¥8.95000 剪切带（CT） 1,500 : ¥3.93501 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	59A（Tc）	10V	11.1 毫欧 @ 15A，10V	4V @ 1mA	28.4 nC @ 10 V	±20V	1685 pF @ 30 V	-	89W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	LFPAK56，Power-SO8	SC-100，SOT-669
IPD122N10N3GATMA1 MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3 Infineon Technologies	34,584 现货	1 : ¥11.90000 剪切带（CT） 2,500 : ¥4.93004 卷带（TR）	OptiMOS™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	59A（Tc）	6V，10V	12.2 毫欧 @ 46A，10V	3.5V @ 46µA	35 nC @ 10 V	±20V	2500 pF @ 50 V	-	94W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-TO252-3	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRF3710ZPBF MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB Infineon Technologies	3,625 现货	1 : ¥12.72000 管件	HEXFET®	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	59A（Tc）	10V	18 毫欧 @ 35A，10V	4V @ 250µA	120 nC @ 10 V	±20V	2900 pF @ 25 V	-	160W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220AB	TO-220-3
FDA59N30 MOSFET N-CH 300V 59A TO3PN onsemi	625 现货	1 : ¥34.15000 管件	UniFET™	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	300 V	59A（Tc）	10V	56 毫欧 @ 29.5A，10V	5V @ 250µA	100 nC @ 10 V	±30V	4670 pF @ 25 V	-	500W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-3PN	TO-3P-3，SC-65-3
IMZA65R027M1HXKSA1 MOSFET 650V NCH SIC TRENCH Infineon Technologies	330 现货	1 : ¥148.34000 管件	CoolSiC™	管件	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	650 V	59A（Tc）	18V	34 毫欧 @ 38.3A，18V	5.7V @ 11mA	63 nC @ 18 V	+23V，-5V	2131 pF @ 400 V	-	189W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	PG-TO247-4-3	TO-247-4
FDA59N25 MOSFET N-CH 250V 59A TO3PN onsemi	800 现货	1 : ¥29.14000 管件	UniFET™	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	59A（Tc）	10V	49 毫欧 @ 29.5A，10V	5V @ 250µA	82 nC @ 10 V	±30V	4020 pF @ 25 V	-	392W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-3PN	TO-3P-3，SC-65-3
AUIRF3710ZSTRL MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK Infineon Technologies	1,100 现货	1 : ¥29.31000 剪切带（CT） 800 : ¥17.71320 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	59A（Tc）	10V	18 毫欧 @ 35A，10V	4V @ 250µA	120 nC @ 10 V	±20V	2900 pF @ 25 V	-	160W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-TO263-3	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
NVHL040N60S5F SUPERFET5 FRFET, 40MOHM, TO-247- onsemi	363 现货	1 : ¥83.82000 管件	FRFET®, SUPERFET®	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	59A（Tc）	10V	40 毫欧 @ 29.5A，10V	4.8V @ 7.2mA	115 nC @ 10 V	±30V	6318 pF @ 400 V	-	347W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247-3	TO-247-3
MSC035SMA170S MOSFET SIC 1700V 35 MOHM TO-268 Microchip Technology	25 现货	1 : ¥340.69000 散装	-	散装	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	1700 V	59A（Tc）	20V	45 毫欧 @ 30A，20V	3.25V @ 2.5mA（典型值）	178 nC @ 20 V	+23V，-10V	3300 pF @ 1000 V	-	278W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D3PAK	TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
DMTH10H015SK3-13 MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R Diodes Incorporated	0 现货 2,500 工厂查看交期	2,500 : ¥3.55153 卷带（TR）	-	卷带（TR）	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	59A（Tc）	6V，10V	14 毫欧 @ 20A，10V	4V @ 250µA	30.1 nC @ 10 V	±20V	2343 pF @ 50 V	-	2W（Ta）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252（DPAK）	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
DMTH10H015SK3Q-13 MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R Diodes Incorporated	0 现货 12,500 工厂查看交期	2,500 : ¥3.82654 卷带（TR）	-	卷带（TR）	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	59A（Tc）	6V，10V	14 毫欧 @ 20A，10V	4V @ 250µA	30.1 nC @ 10 V	±20V	2343 pF @ 50 V	-	2W（Ta）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	TO-252（DPAK）	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRFSL59N10D MOSFET N-CH 100V 59A TO262 Infineon Technologies	0 现货	停产	HEXFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	59A（Tc）	10V	25 毫欧 @ 35.4A，10V	5.5V @ 250µA	114 nC @ 10 V	±30V	2450 pF @ 25 V	-	3.8W（Ta），200W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-262	TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
IRF3707ZCS MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK Infineon Technologies	0 现货	停产	HEXFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	59A（Tc）	4.5V，10V	9.5 毫欧 @ 21A，10V	2.25V @ 250µA	15 nC @ 4.5 V	±20V	1210 pF @ 15 V	-	57W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRF3707Z MOSFET N-CH 30V 59A TO220AB Infineon Technologies	0 现货	停产	HEXFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	59A（Tc）	4.5V，10V	9.5 毫欧 @ 21A，10V	2.25V @ 250µA	15 nC @ 4.5 V	±20V	1210 pF @ 15 V	-	57W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220AB	TO-220-3
IRF3707ZS MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK Infineon Technologies	0 现货	停产	HEXFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	59A（Tc）	4.5V，10V	9.5 毫欧 @ 21A，10V	2.25V @ 250µA	15 nC @ 4.5 V	±20V	1210 pF @ 15 V	-	57W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRF3707ZCSTRR MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK Infineon Technologies	0 现货	停产	HEXFET®	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	59A（Tc）	4.5V，10V	9.5 毫欧 @ 21A，10V	2.25V @ 250µA	15 nC @ 4.5 V	±20V	1210 pF @ 15 V	-	57W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRF3707ZSTRL MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK Infineon Technologies	0 现货	停产	HEXFET®	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	59A（Tc）	4.5V，10V	9.5 毫欧 @ 21A，10V	2.25V @ 250µA	15 nC @ 4.5 V	±20V	1210 pF @ 15 V	-	57W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRF3707ZSTRR MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK Infineon Technologies	0 现货	停产	HEXFET®	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	59A（Tc）	4.5V，10V	9.5 毫欧 @ 21A，10V	2.25V @ 250µA	15 nC @ 4.5 V	±20V	1210 pF @ 15 V	-	57W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRFB59N10DPBF MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB Infineon Technologies	0 现货	停产	HEXFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	59A（Tc）	10V	25 毫欧 @ 35.4A，10V	5.5V @ 250µA	114 nC @ 10 V	±30V	2450 pF @ 25 V	-	3.8W（Ta），200W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220AB	TO-220-3
IRF3707ZPBF MOSFET N-CH 30V 59A TO220AB Infineon Technologies	0 现货	停产	HEXFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	59A（Tc）	4.5V，10V	9.5 毫欧 @ 21A，10V	2.25V @ 25µA	15 nC @ 4.5 V	±20V	1210 pF @ 15 V	-	57W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220AB	TO-220-3
IRF3707ZSPBF MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK Infineon Technologies	0 现货	Digi-Key 停止提供	HEXFET®	管件	Digi-Key 停止提供	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	59A（Tc）	4.5V，10V	9.5 毫欧 @ 21A，10V	2.25V @ 25µA	15 nC @ 4.5 V	±20V	1210 pF @ 15 V	-	57W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRFS59N10DPBF MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK Infineon Technologies	0 现货	Digi-Key 停止提供	HEXFET®	管件	Digi-Key 停止提供	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	59A（Tc）	10V	25 毫欧 @ 35.4A，10V	5.5V @ 250µA	114 nC @ 10 V	±30V	2450 pF @ 25 V	-	3.8W（Ta），200W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRF3710ZLPBF MOSFET N-CH 100V 59A TO262 Infineon Technologies	0 现货	停产	HEXFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	59A（Tc）	10V	18 毫欧 @ 35A，10V	4V @ 250µA	120 nC @ 10 V	±20V	2900 pF @ 25 V	-	160W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-262	TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
IRF3710ZSPBF MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK Infineon Technologies	0 现货	Digi-Key 停止提供	HEXFET®	管件	Digi-Key 停止提供	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	59A（Tc）	10V	18 毫欧 @ 35A，10V	4V @ 250µA	120 nC @ 10 V	±20V	2900 pF @ 25 V	-	160W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB