500A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 6
制造商
IXYSLittelfuse Inc.Nexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-GigaMOS™, TrenchT2™TrenchFET® Gen IVTrenchT2™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
漏源电压(Vdss)
30 V40 V75 V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.55 毫欧 @ 25A,10V0.94 毫欧 @ 15A,10V1.6 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 250µA3.6V @ 1mA5V @ 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
152 nC @ 10 V267 nC @ 10 V405 nC @ 10 V545 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+20V,-10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
8095 pF @ 25 V21162 pF @ 25 V25000 pF @ 25 V41000 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
375W(Tc)500W(Tc)830W(Tc)1000W(Tc)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
24-SMPDLFPAK88(SOT1235)PowerPAK® SO-8TO-247(IXTH)TO-268AA
封装/外壳
24-PowerSMD,21 引线PowerPAK® SO-8SOT-1235TO-247-3TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PSMN1R9-80SSEJ
BUK7S0R5-40HJ
BUK7S0R5-40H/SOT1235/LFPAK88
Nexperia USA Inc.
5,099
现货
1 : ¥50.41000
剪切带(CT)
2,000 : ¥26.77951
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
500A(Tc)
10V
0.55 毫欧 @ 25A,10V
3.6V @ 1mA
267 nC @ 10 V
+20V,-10V
21162 pF @ 25 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK88(SOT1235)
SOT-1235
PSMN1R9-80SSEJ
PSMNR55-40SSHJ
PSMNR55-40SSH/SOT1235/LFPAK88
Nexperia USA Inc.
5,478
现货
1 : ¥57.14000
剪切带(CT)
2,000 : ¥30.35302
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
500A(Tc)
10V
0.55 毫欧 @ 25A,10V
3.6V @ 1mA
267 nC @ 10 V
±20V
21162 pF @ 25 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK88(SOT1235)
SOT-1235
PowerPAK-SO-8L
SQJ126EP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Vishay Siliconix
2,854
现货
1 : ¥13.63000
剪切带(CT)
3,000 : ¥6.15711
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
500A(Tc)
10V
0.94 毫欧 @ 15A,10V
3.5V @ 250µA
152 nC @ 10 V
±20V
8095 pF @ 25 V
-
500W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SMPD
MMIX1F520N075T2
MOSFET N-CH 75V 500A 24SMPD
IXYS
0
现货
查看交期
1 : ¥192.03000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
75 V
500A(Tc)
10V
1.6 毫欧 @ 100A,10V
5V @ 8mA
545 nC @ 10 V
±20V
41000 pF @ 25 V
-
830W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
24-SMPD
24-PowerSMD,21 引线
TO-247-AD-EP-(H)
IXTH500N04T2
MOSFET N-CH 40V 500A TO247
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
30 : ¥97.17467
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
500A(Tc)
10V
1.6 毫欧 @ 100A,10V
3.5V @ 250µA
405 nC @ 10 V
±20V
25000 pF @ 25 V
-
1000W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247(IXTH)
TO-247-3
TO-268
IXTT500N04T2
MOSFET N-CH 40V 500A TO268
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
300 : ¥89.94083
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
500A(Tc)
10V
1.6 毫欧 @ 100A,10V
3.5V @ 250µA
405 nC @ 10 V
±20V
25000 pF @ 25 V
-
1000W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-268AA
TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
显示
/ 6

500A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。