4A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 256
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpDiodes IncorporatedGeneSiC SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSMicrochip TechnologyNXP USA Inc.onsemiPanjit International Inc.Rohm SemiconductorSTMicroelectronics
系列
-aMOS™CoolMOS™CoolMOS™ CECoolMOS™ P7DeepGATE™, STripFET™ VIDeepGATE™, STripFET™ VIIFRFET®G2R™HiPerFET™, PolarHiPerFET™, Polar3™HiPerFET™, Q Class
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
12 V20 V30 V60 V100 V200 V250 V500 V525 V530 V600 V650 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V,10V1.5V,4.5V1.8V,4.5V2.5V,10V2.5V,4.5V4V,5V4.5V4.5V,10V5V5V,10V10V15V18V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
26 毫欧 @ 5.1A,4.5V28 毫欧 @ 3A,4.5V33 毫欧 @ 5A,4.5V34 毫欧 @ 5.5A,4.5V41 毫欧 @ 5A,4.5V43 毫欧 @ 4A,4.5V45 毫欧 @ 3.7A,10V45 毫欧 @ 4A,4.5V46 毫欧 @ 4A,4.5V54 毫欧 @ 4.3A,10V55 毫欧 @ 2A,10V65 毫欧 @ 3A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA1.1V @ 250µA1.3V @ 250µA1.5V @ 250µA2V @ 250µA2.2V @ 250µA2.5V @ 250µA2.8V @ 250µA2.9V @ 250µA3V @ 250µA3.5V @ 2mA3.5V @ 40µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
4.7 nC @ 10 V4.7 nC @ 400 V4.8 nC @ 4.5 V5 nC @ 10 V5.1 nC @ 10 V5.3 nC @ 10 V5.5 nC @ 10 V6 nC @ 10 V6.2 nC @ 5 V6.4 nC @ 10 V6.9 nC @ 10 V7.2 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±8V±10V±12V±16V+20V,-5V±20V+22V,-6V±25V30V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
158 pF @ 400 V163 pF @ 100 V170 pF @ 100 V173 pF @ 100 V177 pF @ 100 V184 pF @ 800 V200 pF @ 25 V220 pF @ 25 V226 pF @ 100 V230 pF @ 100 V238 pF @ 1000 V250 pF @ 25 V
FET 功能
-肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值)
620mW(Ta),77W(Tc)850mW(Ta),29W(Tc)1.2W(Tc)1.3W(Ta),3.1W(Tc)1.4W1.4W(Tc)1.5W(Ta),3.1W(Tc)1.56W(Ta),2.8W(Tc)1.56W(Tc)1.6W(Ta),2.8W(Tc)1.7W(Ta),3.1W(Tc)1.8W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-50°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C150°C(TJ)175°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-SO8-SOIC1206-8 ChipFET™CPT3D2PAKD3PAKDPAKDPAK3(IPAK)I2PAKIPAKIPAK(TO-251)ISOPLUS i4-PAC™
封装/外壳
6-PowerWDFN6-TSSOP,SC-88,SOT-3638-PowerVDFN8-SMD,扁平引线8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)ISOPLUSi5-PAK™PowerPAK® 1212-8TO-220-3 全封装,成形引线TO-220-3 全封装,隔离接片TO-220-3 整包TO-220-3TO-225AA,TO-126-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
256结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 256
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT223-3L
STN3NF06L
MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
STMicroelectronics
85,351
现货
1 : ¥8.13000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.36140
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
4A(Tc)
5V,10V
100 毫欧 @ 1.5A,10V
2.8V @ 250µA
9 nC @ 5 V
±16V
340 pF @ 25 V
-
3.3W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
TO-252AA
FDD5N60NZTM
MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
onsemi
41,727
现货
1 : ¥9.36000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.85485
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
4A(Tc)
10V
2 欧姆 @ 2A,10V
5V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±25V
600 pF @ 25 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD95R2K0P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 4A TO252-3
Infineon Technologies
757
现货
1 : ¥9.60000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.98954
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
950 V
4A(Tc)
10V
2 欧姆 @ 1.7A,10V
3.5V @ 80µA
10 nC @ 10 V
±20V
330 pF @ 400 V
-
37W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220-3
STP4N150
MOSFET N-CH 1500V 4A TO220AB
STMicroelectronics
1,296
现货
1 : ¥43.92000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1500 V
4A(Tc)
10V
7 欧姆 @ 2A,10V
5V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±30V
1300 pF @ 25 V
-
160W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
SC-70-6
SI1401EDH-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 4A SC70-6
Vishay Siliconix
18,755
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.10068
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
4A(Tc)
1.5V,4.5V
34 毫欧 @ 5.5A,4.5V
1V @ 250µA
36 nC @ 8 V
±10V
-
-
1.6W(Ta),2.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-70-6
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-70-6
SI1443EDH-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363
Vishay Siliconix
26,140
现货
1 : ¥4.27000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.14189
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4A(Tc)
10V
54 毫欧 @ 4.3A,10V
1.5V @ 250µA
28 nC @ 10 V
±12V
-
-
1.6W(Ta),2.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-70-6
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
TO252-3
IPD70R1K4P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3
Infineon Technologies
15,662
现货
1 : ¥4.76000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.81837
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
700 V
4A(Tc)
10V
1.4 欧姆@ 700mA,10V
3.5V @ 40µA
4.7 nC @ 10 V
±16V
158 pF @ 400 V
-
23W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PG-SOT223
IPN70R1K4P7SATMA1
MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
Infineon Technologies
13,788
现货
1 : ¥5.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.75573
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
700 V
4A(Tc)
10V
1.4 欧姆@ 700mA,10V
3.5V @ 40µA
4.7 nC @ 10 V
±16V
158 pF @ 400 V
-
6.2W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT223
TO-261-4,TO-261AA
PG-SOT223
IPN95R2K0P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 4A SOT223
Infineon Technologies
23,606
现货
1 : ¥8.13000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.36706
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
950 V
4A(Tc)
10V
2 欧姆 @ 1.7A,10V
3.5V @ 80µA
10 nC @ 10 V
±20V
330 pF @ 400 V
-
7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT223
TO-261-4,TO-261AA
TO-252AA
FDD5N50NZTM
MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
onsemi
5,745
现货
1 : ¥8.13000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.37384
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
4A(Tc)
10V
1.5 欧姆 @ 2A,10V
5V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±25V
440 pF @ 25 V
-
62W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PowerFlat™
STL12P6F6
MOSFET P-CH 60V 4A POWERFLAT
STMicroelectronics
11,925
现货
1 : ¥8.29000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.41345
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
4A(Tc)
10V
160 毫欧 @ 1.5A,10V
4V @ 250µA
6.4 nC @ 10 V
±20V
340 pF @ 48 V
-
75W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerFlat™(5x6)
8-PowerVDFN
TO252-3
IPD80R1K4P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 4A TO252
Infineon Technologies
17,277
现货
1 : ¥8.46000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.48250
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
4A(Tc)
10V
1.4 欧姆 @ 1.4A,10V
3.5V @ 700µA
10 nC @ 10 V
±20V
250 pF @ 500 V
-
32W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-2
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220AB
IRF9510PBF-BE3
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Vishay Siliconix
3,494
现货
1 : ¥8.78000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
4A(Tc)
-
1.2 欧姆 @ 2.4A,10V
4V @ 250µA
8.7 nC @ 10 V
±20V
200 pF @ 25 V
-
43W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRF9510PBF
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Vishay Siliconix
1,480
现货
1 : ¥8.78000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
4A(Tc)
10V
1.2 欧姆 @ 2.4A,10V
4V @ 250µA
8.7 nC @ 10 V
±20V
200 pF @ 25 V
-
43W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO252-3
SPD04N80C3ATMA1
MOSFET N-CH 800V 4A TO252-3
Infineon Technologies
21,865
现货
1 : ¥13.30000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.99020
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
4A(Tc)
10V
1.3 欧姆 @ 2.5A,10V
3.9V @ 240µA
31 nC @ 10 V
±20V
570 pF @ 100 V
-
63W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220-3
SPP04N80C3XKSA1
MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3
Infineon Technologies
570
现货
1 : ¥13.55000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
4A(Tc)
10V
1.3 欧姆 @ 2.5A,10V
3.9V @ 240µA
31 nC @ 10 V
±20V
570 pF @ 100 V
-
63W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
TO-247-3 HiP
STW7N105K5
MOSFET N-CH 1050V 4A TO247
STMicroelectronics
386
现货
1 : ¥24.79000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1050 V
4A(Tc)
10V
2 欧姆 @ 2A,10V
5V @ 100µA
17 nC @ 10 V
±30V
380 pF @ 100 V
-
110W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
SCT2xxxNYTB
SCT2H12NYTB
SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Rohm Semiconductor
1,527
现货
1 : ¥52.46000
剪切带(CT)
400 : ¥33.65998
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
4A(Tc)
18V
1.5 欧姆 @ 1.1A,18V
4V @ 410µA
14 nC @ 18 V
+22V,-6V
184 pF @ 800 V
-
44W(Tc)
175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-268
TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
SOT 363
SI1424EDH-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 4A SOT-363
Vishay Siliconix
5,524
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.90834
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4A(Tc)
4.5V
33 毫欧 @ 5A,4.5V
1V @ 250µA
18 nC @ 8 V
±8V
-
-
1.56W(Ta),2.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-70-6
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT223-3L
STN3NF06
MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223
STMicroelectronics
3,333
现货
1 : ¥5.42000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.04877
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
4A(Tc)
10V
100 毫欧 @ 1.5A,10V
4V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
315 pF @ 25 V
-
3.3W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
6-WDFN Exposed Pad
STL3N10F7
MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT
STMicroelectronics
2,234
现货
1 : ¥5.91000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.25672
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
4A(Tc)
10V
70 毫欧 @ 2A,10V
4.5V @ 250µA
7.8 nC @ 10 V
±20V
408 pF @ 25 V
-
2.4W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerFlat™(2x2)
6-PowerWDFN
TO-220F
AOTF4N60L
MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO220F
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1,950
现货
1 : ¥7.63000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
4A(Tc)
10V
2.2 欧姆 @ 2A,10V
4.5V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±30V
615 pF @ 25 V
-
35W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220F
TO-220-3 整包
PG-SOT223
IPN80R1K4P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 4A SOT223
Infineon Technologies
1,918
现货
1 : ¥7.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.18257
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
4A(Tc)
10V
1.4 欧姆 @ 1.4A,10V
3.5V @ 70µA
10 nC @ 10 V
±20V
250 pF @ 500 V
-
7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT223
TO-261-4,TO-261AA
TO-251
AOU4N60
MOSFET N-CH 600V 4A TO251-3
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
3,973
现货
1 : ¥7.88000
管件
-
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
4A(Tc)
10V
2.3 欧姆 @ 2A,10V
4.5V @ 250µA
14.5 nC @ 10 V
±30V
640 pF @ 25 V
-
104W(Tc)
-50°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-251-3
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
20,391
现货
1 : ¥8.31000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
4A(Tc)
10V
2.5 欧姆 @ 2A,10V
4.5V @ 250µA
14.5 nC @ 10 V
±30V
500 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-251(IPAK)
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
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4A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。