47A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 126
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Goford SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSLittelfuse Inc.Micro Commercial CoMicrochip TechnologyMicrosemi CorporationNexperia USA Inc.NXP USA Inc.onsemiQorvoRohm SemiconductorSanken Electric USA Inc.
系列
-C3M™CoolMOS™CoolMOS™ G7CoolMOS™, HiPerDyn™CoolSiC™CoolSIC™ M1EEFELHEXFET®HiPerFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(共源共栅 SiCJFET)SiCFET(碳化硅)SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss)
30 V40 V55 V60 V100 V105 V500 V600 V650 V750 V800 V1200 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4V,10V4.5V,10V5V,10V6V,10V7V,10V10V12V15V15V,18V15V,20V18V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.2 毫欧 @ 23.5A,10V6 毫欧 @ 3A,10V7.2 毫欧 @ 20A,10V7.5 毫欧 @ 10.3A,10V8.9 毫欧 @ 23.3A,10V9 毫欧 @ 16A,10V9.1 毫欧 @ 23.6A,10V9.4 毫欧 @ 24A,10V10 毫欧 @ 23.5A,10V11.5 毫欧 @ 13A,10V12 毫欧 @ 20A,10V12.8 毫欧 @ 16A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA2V @ 250µA2V @ 2mA2.2V @ 250µA2.3V @ 14µA2.3V @ 300µA2.4V @ 10mA2.45V @ 1mA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA2.5V @ 350µA2.5V @ 650µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
9.4 nC @ 4.5 V12.8 nC @ 10 V17 nC @ 5 V18.5 nC @ 10 V19.5 nC @ 10 V21 nC @ 10 V22 nC @ 10 V23 nC @ 10 V33 nC @ 5 V34 nC @ 18 V37.8 nC @ 15 V38.6 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±10V±15V±16V+18V,-15V+19V,-8V+20V,-5V±20V+22V,-8V+23V,-5V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
830 pF @ 15 V947 pF @ 20 V1108 pF @ 25 V1135 pF @ 500 V1255 pF @ 50 V1300 pF @ 30 V1310 pF @ 25 V1319 pF @ 20 V1400 pF @ 400 V1470 pF @ 25 V1473 pF @ 325 V1480 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
1.6W(Ta),44W(Tc)2.4W(Ta),43W(Tc)3.75W(Ta),136W(Tc)3.75W(Ta),160W(Tc)3.8W(Ta),110W(Tc)4.2W(Ta),36W(Tc)22.7W(Tc)26W(Tc)36W(Tc)37W(Tc)47W(Tc)52W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 185°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-DFN-EP(3.3x3.3)8-DFN(3.15x3.05)8-DFN(5x6)8-PDFN(3.15x3.1)8-PQFN(3.3x3.3),Power338-SOP Advance(5x5)D2PAKD2PAK-7D3PAKDFN5060DPAKISOPLUS i4-PAC™
封装/外壳
8-PowerBSFN8-PowerSMD,扁平引线8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFN10-PowerSOP 模块22-PowerBSOP 模块ISOPLUSi5-PAK™PowerPAK® SO-8SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)SOT-227-4,miniBLOCTO-220-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
126结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 126
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
BSC094N06LS5ATMA1
MOSFET N-CHANNEL 60V 47A 8TDSON
Infineon Technologies
14,269
现货
1 : ¥9.85000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.87177
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
47A(Tc)
4.5V,10V
9.4 毫欧 @ 24A,10V
2.3V @ 14µA
9.4 nC @ 4.5 V
±20V
1300 pF @ 30 V
-
36W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
TO-220AB PKG
IRLZ44NPBF
MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB
Infineon Technologies
8,256
现货
1 : ¥10.51000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
47A(Tc)
4V,10V
22 毫欧 @ 25A,10V
2V @ 250µA
48 nC @ 5 V
±16V
1700 pF @ 25 V
-
3.8W(Ta),110W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRLZ44NSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK
Infineon Technologies
2,474
现货
1 : ¥12.56000
剪切带(CT)
800 : ¥6.78903
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
47A(Tc)
4V,10V
22 毫欧 @ 25A,10V
2V @ 250µA
48 nC @ 5 V
±16V
1700 pF @ 25 V
-
3.8W(Ta),110W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-247-4L
UJ4C075033K4S
750V/33MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Qorvo
2,295
现货
1 : ¥91.78000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(共源共栅 SiCJFET)
750 V
47A(Tc)
12V
41 毫欧 @ 30A,12V
6V @ 10mA
37.8 nC @ 15 V
±20V
1400 pF @ 400 V
-
242W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
PG-TO247-3
SPW47N60C3FKSA1
MOSFET N-CH 650V 47A TO247-3
Infineon Technologies
2,460
现货
1 : ¥125.60000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
47A(Tc)
10V
70 毫欧 @ 30A,10V
3.9V @ 2.7mA
320 nC @ 10 V
±20V
6800 pF @ 25 V
-
415W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3-1
TO-247-3
CoolSiC_MOSFET
IMBG120R045M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263
Infineon Technologies
1,017
现货
1 : ¥136.28000
剪切带(CT)
1,000 : ¥86.31218
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
47A(Tc)
-
63 毫欧 @ 16A,18V
5.7V @ 7.5mA
46 nC @ 18 V
+18V,-15V
1527 pF @ 800 V
-
227W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-12
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
TO-247-3 AC EP
IMW65R027M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Infineon Technologies
351
现货
1 : ¥144.73000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
47A(Tc)
18V
34 毫欧 @ 38.3A,18V
5.7V @ 11mA
62 nC @ 18 V
+23V,-5V
2131 pF @ 400 V
-
189W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
UF3C120080B7S
UF3SC120040B7S
1200V/40MOHM, SIC, STACKED FAST
Qorvo
1,950
现货
1 : ¥202.28000
剪切带(CT)
800 : ¥134.14884
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(共源共栅 SiCJFET)
1200 V
47A(Tc)
12V
45 毫欧 @ 35A,12V
6V @ 10mA
43 nC @ 12 V
±25V
1500 pF @ 100 V
-
214W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
PowerPAK SO-8
SI7848BDP-T1-E3
MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
35,212
现货
1 : ¥13.79000
剪切带(CT)
3,000 : ¥6.22728
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
47A(Tc)
4.5V,10V
9 毫欧 @ 16A,10V
3V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±20V
2000 pF @ 20 V
-
4.2W(Ta),36W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SI7848BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
10,350
现货
1 : ¥13.79000
剪切带(CT)
3,000 : ¥6.22728
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
47A(Tc)
4.5V,10V
9 毫欧 @ 16A,10V
3V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±20V
2000 pF @ 20 V
-
4.2W(Ta),36W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
D2PAK SOT404
PHB47NQ10T,118
MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
Nexperia USA Inc.
16,432
现货
1 : ¥14.45000
剪切带(CT)
800 : ¥8.08129
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
47A(Tc)
10V
28 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 1mA
66 nC @ 10 V
±20V
3100 pF @ 25 V
-
166W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
D2PAK(TO-263)
SIHB053N60E-GE3
E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Vishay Siliconix
1,010
现货
1 : ¥49.91000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
47A(Tc)
10V
54 毫欧 @ 26.5A,10V
5V @ 250µA
92 nC @ 10 V
±30V
3722 pF @ 100 V
-
278W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-247-3L
UJ4C075033K3S
750V/33MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Qorvo
866
现货
1 : ¥88.25000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(共源共栅 SiCJFET)
750 V
47A(Tc)
12V
41 毫欧 @ 30A,12V
6V @ 10mA
37.8 nC @ 15 V
±20V
1400 pF @ 400 V
-
242W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-3P-3,TO-247-3
FCA47N60
MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN
onsemi
801
现货
1 : ¥88.58000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
47A(Tc)
10V
70 毫欧 @ 23.5A,10V
5V @ 250µA
270 nC @ 10 V
±30V
8000 pF @ 25 V
-
417W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-3PN
TO-3P-3,SC-65-3
TO-3P-3,TO-247-3
FCA47N60F
MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN
onsemi
237
现货
1 : ¥92.77000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
47A(Tc)
10V
73 毫欧 @ 23.5A,10V
5V @ 250µA
270 nC @ 10 V
±30V
8000 pF @ 25 V
-
417W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-3PN
TO-3P-3,SC-65-3
D2PAK SOT404
PHB45NQ10T,118
MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
Nexperia USA Inc.
3,593
现货
1 : ¥14.86000
剪切带(CT)
800 : ¥8.31801
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
47A(Tc)
10V
25 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 1mA
61 nC @ 10 V
±20V
2600 pF @ 25 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-247AD
SQW44N65EF-GE3
E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Vishay Siliconix
387
现货
1 : ¥60.50000
散装
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
47A(Tc)
10V
73 毫欧 @ 22A,10V
4V @ 250µA
266 nC @ 10 V
±30V
5858 pF @ 100 V
-
500W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247AD
TO-247-3
R6022YNZ4C13
R6547ENZ4C13
650V 47A TO-247, LOW-NOISE POWER
Rohm Semiconductor
370
现货
1 : ¥74.79000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
47A(Tc)
10V
80 毫欧 @ 25.8A,10V
4V @ 1.72mA
150 nC @ 10 V
±20V
3800 pF @ 25 V
-
480W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247G
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
SIHG47N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
Vishay Siliconix
388
现货
1 : ¥76.92000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
47A(Tc)
10V
64 毫欧 @ 24A,10V
4V @ 250µA
220 nC @ 10 V
±30V
9620 pF @ 100 V
-
357W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AD EP
FCH47N60-F133
MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
onsemi
265
现货
1 : ¥88.09000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
47A(Tc)
10V
70 毫欧 @ 23.5A,10V
5V @ 250µA
270 nC @ 10 V
±30V
8000 pF @ 25 V
-
417W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-3P-3,TO-247-3
FCA47N60-F109
MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN
onsemi
462
现货
1 : ¥96.21000
管件
1 : ¥96.21000
管件
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
47A(Tc)
10V
70 毫欧 @ 23.5A,10V
5V @ 250µA
270 nC @ 10 V
±30V
8000 pF @ 25 V
-
417W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-3PN
TO-3P-3,SC-65-3
TO-247-3
FCH47N60F-F133
MOSFET N-CH 600V 47A TO247-3
onsemi
447
现货
1 : ¥96.46000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
47A(Tc)
10V
70 毫欧 @ 23.5A,10V
5V @ 250µA
270 nC @ 10 V
±30V
8000 pF @ 25 V
-
417W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
C3M0065090J
C3M0045065J1
650V 45 M SIC MOSFET
Wolfspeed, Inc.
2,475
现货
1 : ¥161.56000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
47A(Tc)
15V
60 毫欧 @ 17.6A,15V
3.6V @ 4.84mA
61 nC @ 15 V
+19V,-8V
1621 pF @ 400 V
-
147W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
ISOPLUS247 Pkg
IXKR47N60C5
MOSFET N-CH 600V 47A ISOPLUS247
Littelfuse Inc.
113
现货
1 : ¥202.03000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
47A(Tc)
10V
45 毫欧 @ 44A,10V
3.5V @ 3mA
190 nC @ 10 V
±20V
6800 pF @ 100 V
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-55°C ~ 150°C(TJ)
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通孔
ISOPLUS247™
TO-247-3
8,479
现货
1 : ¥9.60000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.78605
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
47A(Tc)
4.5V,10V
3.2 毫欧 @ 23.5A,10V
2.3V @ 300µA
21 nC @ 10 V
±20V
2100 pF @ 15 V
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1.6W(Ta),44W(Tc)
150°C(TJ)
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-
表面贴装型
8-SOP Advance(5x5)
8-PowerVDFN
显示
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47A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。