460A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedonsemiVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
停产在售
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.7 毫欧 @ 25A,10V0.8 毫欧 @ 50A,10V1.24 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
117.1 nC @ 10 V130 nC @ 10 V291 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
6975 pF @ 25 V10053 pF @ 20 V23100 pF @ 20 V
功率耗散(最大值)
3.8W(Ta),300W(Tc)5.6W(Ta),428W(Tc)500W(Tc)
供应商器件封装
PowerDI8080-5PowerPAK® 8 x 8TO-263-7
封装/外壳
PowerPAK® 8 x 8SOT-1235TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
MOSFET N-CH 40V 460A PPAK 8 X 8
SQJQ142E-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 460A PPAK 8 X 8
Vishay Siliconix
2,735
现货
1 : ¥19.87000
剪切带(CT)
2,000 : ¥8.97155
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
460A(Tc)
10V
1.24 毫欧 @ 20A,10V
3.5V @ 250µA
130 nC @ 10 V
±20V
6975 pF @ 25 V
-
500W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® 8 x 8
PowerPAK® 8 x 8
DMTH4M70SPGWQ-13
DMTH4M70SPGWQ-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808
Diodes Incorporated
4,700
现货
1 : ¥29.88000
剪切带(CT)
2,000 : ¥14.54745
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
460A(Tc)
10V
0.7 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 250µA
117.1 nC @ 10 V
±20V
10053 pF @ 20 V
-
5.6W(Ta),428W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerDI8080-5
SOT-1235
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808
DMTH4M70SPGW-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808
Diodes Incorporated
0
现货
24,000
工厂
查看交期
2,000 : ¥13.47779
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
460A(Tc)
10V
0.7 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 250µA
117.1 nC @ 10 V
±20V
10053 pF @ 20 V
-
5.6W(Ta),428W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerDI8080-5
SOT-1235
TO-263
FDB0105N407L
MOSFET N-CH 40V 460A TO263-7
onsemi
0
现货
1 : ¥54.92000
剪切带(CT)
800 : ¥33.16656
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
460A(Tc)
6V,10V
0.8 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 250µA
291 nC @ 10 V
±20V
23100 pF @ 20 V
-
3.8W(Ta),300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
显示
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460A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。