4.5A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 130
制造商
Diotec SemiconductorGoford SemiconductorInfineon TechnologiesMicro Commercial CoMicrosemi CorporationonsemiRohm SemiconductorSTMicroelectronicsTaiwan Semiconductor CorporationVishay Siliconix
系列
-CoolMOS™CoolMOS™ C6CoolMOS™ CECoolMOS™ P7HEXFET®LITTLE FOOT®MDmesh™ II PlusPowerMESH™QFET®STripFET™SuperFET® IISuperMESH5™SuperMESH™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
-MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
12 V20 V30 V45 V60 V100 V200 V400 V500 V560 V600 V620 V650 V700 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V2.5V,10V4V,10V4.5V,10V5V5V,10V10V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
19.8 毫欧 @ 10.8A,4.5V23.6 毫欧 @ 9.9A,10V35 毫欧 @ 4A,4.5V36 毫欧 @ 5.3A,10V50 毫欧 @ 3.9A,10V53 毫欧 @ 3.7A,4.5V55 毫欧 @ 2A,10V60 毫欧 @ 4.2A,4.5V61 毫欧 @ 3.3A,10V65 毫欧 @ 3A,10V94 毫欧 @ 2.8A,4.5V110 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA1.3V @ 250µA1.5V @ 250µA1.6V @ 250µA2V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 1mA3V @ 250µA3.5V @ 200µA3.5V @ 250µA3.5V @ 40µA3.5V @ 80µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
4.7 nC @ 5 V4.8 nC @ 10 V4.8 nC @ 400 V6.1 nC @ 10 V6.2 nC @ 5 V7.5 nC @ 10 V8 nC @ 10 V8 nC @ 5 V8.2 nC @ 10 V8.3 nC @ 10 V9.6 nC @ 10 V9.7 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±10V±12V±16V±20V±25V30V±30V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
174 pF @ 400 V180 pF @ 25 V230 pF @ 25 V232 pF @ 100 V235 pF @ 25 V250 pF @ 25 V255 pF @ 100 V270 pF @ 100 V270 pF @ 25 V300 pF @ 500 V315 pF @ 100 V325 pF @ 25 V
FET 功能
-电流检测肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值)
800mW(Tc)850mW(Ta),15W(Tc)1.25W(Ta),1.66W(Tc)1.4W(Tc)1.8W(Ta),6.5W(Tc)1.9W(Ta),6.5W(Tc)2W(Tc)2.5W(Ta),48W(Tc)2.5W(Ta),61W(Tc)2.9W(Ta),15.6W(Tc)3.1W3.1W(Ta),74W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)-
等级
-军用
资质
-MIL-PRF-19500/542MIL-PRF-19500/555
安装类型
-表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-SOIC8-SOP18-ULCC(9.14x7.49)-CPT3D2PAKDPAKI2PAKIPAKITO-220ITO-220ABITO-220F
封装/外壳
8-PowerVDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)18-CLCC-PowerPAK® SC-70-6 双PowerPAK® SC-70-6SOT-23-6TO-204AA,TO-3TO-220-3 全封装,成形引线TO-220-3 全封装,隔离接片TO-220-3 整包TO-220-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
130结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 130
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
MFG_DPAK(TO252-3)
STD6N80K5
MOSFET N-CH 800V 4.5A DPAK
STMicroelectronics
11,037
现货
1 : ¥17.90000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.07330
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
4.5A(Tc)
10V
1.6 欧姆 @ 2A,10V
5V @ 100µA
7.5 nC @ 10 V
30V
255 pF @ 100 V
-
85W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
SOT-23-3
SI2316BDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3
Vishay Siliconix
59,687
现货
1 : ¥4.68000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.77229
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.5A(Tc)
4.5V,10V
50 毫欧 @ 3.9A,10V
3V @ 250µA
9.6 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 15 V
-
1.25W(Ta),1.66W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-220AB
IRF830PBF
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Vishay Siliconix
6,554
现货
1 : ¥12.48000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
4.5A(Tc)
10V
1.5 欧姆 @ 2.7A,10V
4V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
610 pF @ 25 V
-
74W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
D²PAK
STB6N60M2
MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK
STMicroelectronics
11,959
现货
1 : ¥13.22000
剪切带(CT)
1,000 : ¥5.79005
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
4.5A(Tc)
10V
1.2 欧姆 @ 2.25A,10V
4V @ 250µA
8 nC @ 10 V
±25V
232 pF @ 100 V
-
60W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
PowerPAK SC-70-6 Dual
SIA817EDJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
9,753
现货
1 : ¥4.02000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.34529
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.5A(Tc)
2.5V,10V
65 毫欧 @ 3A,10V
1.3V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±12V
600 pF @ 15 V
肖特基二极管(隔离式)
1.9W(Ta),6.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6 双
PowerPAK® SC-70-6 双
PowerPAK SC-70-6 Dual
SIA811ADJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
2,765
现货
1 : ¥4.35000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.46759
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.5A(Tc)
1.8V,4.5V
116 毫欧 @ 2.8A,4.5V
1V @ 250µA
13 nC @ 8 V
±8V
345 pF @ 10 V
肖特基二极管(隔离式)
1.8W(Ta),6.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6 双
PowerPAK® SC-70-6 双
SOT-23-3
SI2316BDS-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3
Vishay Siliconix
8,270
现货
1 : ¥4.68000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.77229
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.5A(Tc)
4.5V,10V
50 毫欧 @ 3.9A,10V
3V @ 250µA
9.6 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 15 V
-
1.25W(Ta),1.66W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
PG-SOT223
IPN80R1K2P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223
Infineon Technologies
5,952
现货
1 : ¥8.70000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.60585
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
4.5A(Tc)
10V
1.2 欧姆 @ 1.7A,10V
3.5V @ 80µA
11 nC @ 10 V
±20V
300 pF @ 500 V
-
6.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT223
TO-261-4,TO-261AA
TO252-3
IPD80R1K2P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3
Infineon Technologies
14,924
现货
1 : ¥9.52000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.94200
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
4.5A(Tc)
10V
1.2 欧姆 @ 1.7A,10V
3.5V @ 80µA
11 nC @ 10 V
±20V
300 pF @ 500 V
-
37W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220AB
IRF830PBF-BE3
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Vishay Siliconix
3,267
现货
1 : ¥12.48000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
4.5A(Tc)
10V
1.5 欧姆 @ 2.7A,10V
4V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
610 pF @ 25 V
-
74W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO252-3
SPD04N50C3ATMA1
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO252-3
Infineon Technologies
7,723
现货
1 : ¥13.22000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.46312
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
4.5A(Tc)
10V
950 毫欧 @ 2.8A,10V
3.9V @ 200µA
22 nC @ 10 V
±20V
470 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252AA
FCD900N60Z
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252
onsemi
1,902
现货
1 : ¥13.22000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.95493
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
4.5A(Tc)
10V
900 毫欧 @ 2.3A,10V
3.5V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
720 pF @ 25 V
-
52W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220AB Full Pack
IRFI510GPBF
MOSFET N-CH 100V 4.5A TO220-3
Vishay Siliconix
955
现货
1 : ¥17.08000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
4.5A(Tc)
10V
540 毫欧 @ 2.7A,10V
4V @ 250µA
8.3 nC @ 10 V
±20V
180 pF @ 25 V
-
27W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3 全封装,隔离接片
TO-263AB
IRF830SPBF
MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
Vishay Siliconix
1,078
现货
1 : ¥17.73000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
4.5A(Tc)
10V
1.5 欧姆 @ 2.7A,10V
4V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
610 pF @ 25 V
-
3.1W(Ta),74W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
8PowerVDFN
STL8N80K5
MOSFET N-CH 800V 4.5A POWERFLAT
STMicroelectronics
2,720
现货
1 : ¥23.23000
剪切带(CT)
3,000 : ¥11.29601
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
4.5A(Tc)
10V
950 毫欧 @ 3A,10V
5V @ 100µA
16.5 nC @ 10 V
±30V
450 pF @ 100 V
-
42W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerFlat™(5x6)
8-PowerVDFN
TO-220AB Full Pack
IRFI840GLCPBF
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3
Vishay Siliconix
108
现货
1 : ¥23.40000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
4.5A(Tc)
10V
850 毫欧 @ 2.7A,10V
4V @ 250µA
39 nC @ 10 V
±30V
1100 pF @ 25 V
-
40W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3 全封装,隔离接片
TO252-3
SPD04N60C3ATMA1
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252-3
Infineon Technologies
2,500
现货
1 : ¥14.61000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.58350
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
4.5A(Tc)
10V
950 毫欧 @ 2.8A,10V
3.9V @ 200µA
25 nC @ 10 V
±20V
490 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263AB
IRF830STRLPBF
MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
Vishay Siliconix
1,310
现货
1 : ¥18.80000
剪切带(CT)
800 : ¥10.52059
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
4.5A(Tc)
10V
1.5 欧姆 @ 2.7A,10V
4V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
610 pF @ 25 V
-
74W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220-F
STF6N80K5
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220FP
STMicroelectronics
998
现货
1 : ¥19.78000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
4.5A(Tc)
10V
1.6 欧姆 @ 2A,10V
5V @ 100µA
13 nC @ 10 V
30V
270 pF @ 100 V
-
25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
ESD2V8P8U-TP
MCQ05P10Y-TP
P-CHANNEL MOSFET, SOP-8
Micro Commercial Co
31,723
现货
1 : ¥6.32000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.39734
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
4.5A(Tc)
-
110 毫欧 @ 3A,10V
2.5V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
1051 pF @ 50 V
-
3.1W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8PowerVDFN
STL10N65M2
MOSFET N-CH 650V 4.5A POWERFLAT
STMicroelectronics
3,000
现货
1 : ¥13.22000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.47782
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
4.5A(Tc)
10V
1 欧姆 @ 2.5A,10V
4V @ 250µA
10.3 nC @ 10 V
±25V
315 pF @ 100 V
-
48W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerFlat™(5x6)HV
8-PowerVDFN
G2K3N10H
G1K1P06HH
P-60V,-4.5A,RD(MAX)<110M@-10V,VT
Goford Semiconductor
4,450
现货
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
2,500 : ¥0.77858
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
4.5A(Tc)
10V
110 毫欧 @ 4A,10V
4V @ 250µA
11 nC @ 10 V
±20V
981 pF @ 30 V
-
3.1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
G3404LL
G350P02LLE
P-20V,-8.2A,RD(MAX)<8.5M@-4.5V,V
Goford Semiconductor
2,997
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.59362
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.5A(Tc)
1.8V,4.5V
35 毫欧 @ 4A,4.5V
1V @ 250µA
17.2 nC @ 10 V
±10V
1126 pF @ 10 V
-
1.4W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6L
SOT-23-6
G1K1P06LH
G1K1P06LH
MOSFET P-CH 60V 4.5A 3.1W SOT-2
Goford Semiconductor
3,000
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.74207
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
-
MOSFET(金属氧化物)
60 V
4.5A(Tc)
10V
110 毫欧 @ 3A,10V
4V @ 250µA
11 nC @ 10 V
±20V
970 pF @ 30 V
-
-
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
PG-TO-251-3-347
IPS80R1K2P7AKMA1
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3
Infineon Technologies
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
4.5A(Tc)
10V
1.2 欧姆 @ 1.7A,10V
3.5V @ 80µA
11 nC @ 10 V
±20V
300 pF @ 500 V
-
37W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO251-3-342
TO-251-3 短引线,IPAK
显示
/ 130

4.5A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。