3A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 165
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpDiodes IncorporatedEVVOGeneSiC SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSLittelfuse Inc.Microsemi CorporationNexperia USA Inc.onsemiPanasonic Electronic Components
系列
-CoolMOS™ C6CoolMOS™ P7CoolMOS™ PFD7CoolMOS™PFD7DDepletionEFRFET®G2R™HiPerFET™Linear
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
20 V30 V60 V100 V150 V190 V200 V250 V400 V500 V550 V600 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V2.5V,4.5V2.7V,4.5V4.5V,10V5V,10V10V20V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
56 毫欧 @ 1.7A,4.5V58 毫欧 @ 1.5A,4.5V80 毫欧 @ 3A,10V85 毫欧 @ 2.3A,10V95 毫欧 @ 3A,10V100 毫欧 @ 1.5A,4.5V100 毫欧 @ 2A,10V110 毫欧 @ 1.5A,4.5V110 毫欧 @ 2A,10V130 毫欧 @ 1A,10V130 毫欧 @ 3A,10V140 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
600mV @ 250µA(最小)900mV @ 250µA1V @ 250µA1.2V @ 250µA2V @ 250µA2.2V @ 250µA2.5V @ 250µA2.6V @ 250µA2.8V @ 1mA3V @ 250µA3.5V @ 100µA3.5V @ 30µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
3.7 nC @ 10 V3.8 nC @ 10 V3.8 nC @ 400 V4 nC @ 10 V4.3 nC @ 10 V4.3 nC @ 4.5 V4.8 nC @ 4.5 V5 nC @ 10 V5.2 nC @ 10 V5.2 nC @ 5 V5.3 nC @ 10 V5.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±10V±16V+20V,-10V±20V±25V30V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
110 pF @ 100 V122 pF @ 100 V130 pF @ 400 V134 pF @ 400 V139 pF @ 1000 V140 pF @ 25 V173 pF @ 100 V175 pF @ 100 V175 pF @ 500 V177 pF @ 100 V185 pF @ 25 V200 pF @ 100 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散(最大值)
800mW(Ta),25W(Tc)850mW(Ta),20W(Tc)1W(Tc)1.2W(Tc)1.25W(Ta)1.5W(Ta)1.5W(Tc)1.6W(Tc)1.65W(Ta)1.7W(Tc)1.78W(Tc)1.8W(Tc)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
等级
-军用
资质
-MIL-PRF-19500/557
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
6-DSBGA(1x1.5)8-MLP(3.3x3.3)8-ThinPak(5x6)18-ULCC(9.14x7.49)CPT3DPAKIPAKIPAK(TO-251)ISO247PG-SOT223PG-SOT223-3-1PG-TO251-3
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-3636-UFBGA,DSBGA8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFN18-CLCCSOT-23-6TO-205AD,TO-39-3 金属罐TO-205AF 金属罐TO-220-3 全封装,成形引线TO-220-3 全封装,隔离接片TO-220-3 整包
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
165结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 165
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
28,962
现货
1 : ¥4.10000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.10555
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
3A(Tc)
4.5V,10V
85 毫欧 @ 2.3A,10V
2.5V @ 250µA
9.5 nC @ 10 V
±20V
529 pF @ 30 V
-
1.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SC-70-6
SQ1431EH-T1_GE3
MOSFET P-CH 30V 3A SC70-6
Vishay Siliconix
3,044
现货
1 : ¥4.76000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.59844
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3A(Tc)
4.5V,10V
175 毫欧 @ 2A,10V
2V @ 250µA
6.5 nC @ 4.5 V
±20V
205 pF @ 25 V
-
3W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-70-6
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
TO-220-3
IXFP3N120
MOSFET N-CH 1200V 3A TO220AB
Littelfuse Inc.
5,066
现货
450
工厂
1 : ¥68.47000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1200 V
3A(Tc)
10V
4.5 欧姆 @ 500mA,10V
5V @ 1.5mA
39 nC @ 10 V
±20V
1050 pF @ 25 V
-
200W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
SOT223
BSP250,135
MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
Nexperia USA Inc.
115,154
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
4,000 : ¥1.72499
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3A(Tc)
10V
250 毫欧 @ 1A,10V
2.8V @ 1mA
25 nC @ 10 V
±20V
250 pF @ 20 V
-
1.65W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
PG-SOT223
IPN70R2K0P7SATMA1
MOSFET N-CH 700V 3A SOT223
Infineon Technologies
8,545
现货
1 : ¥4.76000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.61067
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
700 V
3A(Tc)
10V
2 欧姆 @ 500mA,10V
3.5V @ 30µA
3.8 nC @ 10 V
±16V
130 pF @ 400 V
-
6W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT223
TO-261-4,TO-261AA
15,430
现货
1 : ¥5.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.91053
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
3A(Tc)
10V
2 欧姆 @ 500mA,10V
4.5V @ 30µA
3.8 nC @ 10 V
±20V
134 pF @ 400 V
-
6W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT223-3-1
TO-261-3
SOT223
BSP250,115
MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
Nexperia USA Inc.
23,257
现货
1 : ¥5.25000
剪切带(CT)
1,000 : ¥2.23114
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3A(Tc)
10V
250 毫欧 @ 1A,10V
2.8V @ 1mA
25 nC @ 10 V
±20V
250 pF @ 20 V
-
1.65W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
TS19605CA20H RLG
TSM60NC1R5CP ROG
600V, 3A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Taiwan Semiconductor Corporation
7,855
现货
1 : ¥9.28000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.84578
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
3A(Tc)
10V
1.5 欧姆 @ 1A,10V
5.5V @ 1mA
8.1 nC @ 10 V
±20V
242 pF @ 25 V
-
55W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220FP
STP3NK90ZFP
MOSFET N-CH 900V 3A TO220FP
STMicroelectronics
595
现货
1 : ¥11.25000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
900 V
3A(Tc)
10V
4.8 欧姆 @ 1.5A,10V
4.5V @ 50µA
22.7 nC @ 10 V
±30V
590 pF @ 25 V
-
25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
MFG_DPAK(TO252-3)
STD4N80K5
MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
STMicroelectronics
3,724
现货
1 : ¥12.56000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.20394
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
3A(Tc)
10V
2.5 欧姆 @ 1.5A,10V
5V @ 100µA
10.5 nC @ 10 V
±30V
175 pF @ 100 V
-
60W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8-MLP, Power33
FDMC2523P
MOSFET P-CH 150V 3A 8MLP
onsemi
1,070
现货
1 : ¥12.64000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.70128
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
3A(Tc)
10V
1.5 欧姆 @ 1.5A,10V
5V @ 250µA
9 nC @ 10 V
±30V
270 pF @ 25 V
-
42W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-MLP(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
MFG_DPAK(TO252-3)
STD4NK80ZT4
MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
STMicroelectronics
4,492
现货
1 : ¥14.94000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.73567
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
3A(Tc)
10V
3.5 欧姆 @ 1.5A,10V
4.5V @ 50µA
22.5 nC @ 10 V
±30V
575 pF @ 25 V
-
80W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD4N90K5
MOSFET N-CH 900V 3A DPAK
STMicroelectronics
4,913
现货
1 : ¥15.27000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.88564
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
900 V
3A(Tc)
10V
2.1 欧姆 @ 1A,10V
5V @ 100µA
5.3 nC @ 10 V
±30V
173 pF @ 100 V
-
60W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220-3
STP3NK90Z
MOSFET N-CH 900V 3A TO220AB
STMicroelectronics
355
现货
1 : ¥16.50000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
900 V
3A(Tc)
10V
4.8 欧姆 @ 1.5A,10V
4.5V @ 50µA
22.7 nC @ 10 V
±30V
590 pF @ 25 V
-
90W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
MFG_DPAK(TO252-3)
STD3NK90ZT4
MOSFET N-CH 900V 3A DPAK
STMicroelectronics
4,316
现货
1 : ¥18.39000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.27844
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
900 V
3A(Tc)
10V
4.8 欧姆 @ 1.5A,10V
4.5V @ 50µA
22.7 nC @ 10 V
±30V
590 pF @ 25 V
-
90W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220-3
IXTP3N50D2
MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB
Littelfuse Inc.
144
现货
1 : ¥36.94000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
3A(Tc)
-
1.5 欧姆 @ 1.5A,0V
-
40 nC @ 5 V
±20V
1070 pF @ 25 V
耗尽模式
125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
SIHA5N80AE-GE3
SIHA5N80AE-GE3
E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD
Vishay Siliconix
748
现货
1 : ¥10.92000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
3A(Tc)
10V
1.35 欧姆 @ 1.5A,10V
4V @ 250µA
16.5 nC @ 10 V
±30V
321 pF @ 100 V
-
29W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220 整包
TO-220-3 整包
I-Pak
STD5NK40Z-1
MOSFET N-CH 400V 3A IPAK
STMicroelectronics
2,941
现货
1 : ¥12.89000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
3A(Tc)
10V
1.8 欧姆 @ 1.5A,10V
4.5V @ 50µA
17 nC @ 10 V
±30V
305 pF @ 25 V
-
45W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-251(IPAK)
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
TO-220FP
STP4NK80ZFP
MOSFET N-CH 800V 3A TO220FP
STMicroelectronics
1,822
现货
1 : ¥18.39000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
3A(Tc)
10V
3.5 欧姆 @ 1.5A,10V
4.5V @ 50µA
22.5 nC @ 10 V
±30V
575 pF @ 25 V
-
25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
TO-220AB Full Pack
IRFI9620GPBF
MOSFET P-CH 200V 3A TO220-3
Vishay Siliconix
5,485
现货
1 : ¥19.54000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
3A(Tc)
10V
1.5 欧姆 @ 1.8A,10V
4V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
340 pF @ 15 V
-
30W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3 全封装,隔离接片
TO-220-3
STP5N105K5
MOSFET N-CH 1050V 3A TO220
STMicroelectronics
980
现货
1 : ¥21.75000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1050 V
3A(Tc)
10V
3.5 欧姆 @ 1.5A,10V
5V @ 100µA
12.5 nC @ 10 V
±30V
210 pF @ 100 V
-
85W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220-3
IXTP3N100P
MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
Littelfuse Inc.
273
现货
1 : ¥36.94000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1000 V
3A(Tc)
10V
4.8 欧姆 @ 1.5A,10V
4.5V @ 250µA
39 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 25 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-263AB
IXTA3N50D2
MOSFET N-CH 500V 3A TO263
Littelfuse Inc.
831
现货
1 : ¥40.80000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
3A(Tc)
-
1.5 欧姆 @ 1.5A,0V
-
40 nC @ 5 V
±20V
1070 pF @ 25 V
耗尽模式
125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
D-PAK (TO-252AA)
SIHD3N50D-GE3
MOSFET N-CH 500V 3A TO252AA
Vishay Siliconix
2,980
现货
1 : ¥7.31000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
3A(Tc)
10V
3.2 欧姆 @ 2.5A,10V
5V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±30V
175 pF @ 100 V
-
69W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TSM60NC1R5CH C5G
TSM60NC1R5CH C5G
600V, 3A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Taiwan Semiconductor Corporation
14,990
现货
1 : ¥9.28000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
3A(Tc)
10V
1.5 欧姆 @ 1A,10V
5V @ 1mA
7.6 nC @ 10 V
±20V
242 pF @ 25 V
-
39W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-251(IPAK)
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
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3A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。