32A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 17
制造商
EPConsemiRenesas Electronics CorporationToshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSVI-HU-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
停产在售
技术
GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
24 V30 V40 V60 V200 V600 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V5V6.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4.6 毫欧 @ 16A,10V4.6 毫欧 @ 20A,10V7.3mOhm @ 16A,10V8 毫欧 @ 20A,5V11 毫欧 @ 5.5A,10V26 毫欧 @ 16A,10V28 毫欧 @ 16A,5V175 毫欧 @ 16A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA2.3V @ 100µA2.3V @ 500µA2.5V @ 6mA4V @ 250µA4V @ 500µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
7.5 nC @ 10 V17.7 nC @ 5 V28 nC @ 4.5 V43 nC @ 10 V49 nC @ 10 V50 nC @ 5 V60 nC @ 10 V121 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+6V,-4V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
660 pF @ 15 V1700 pF @ 25 V1725 pF @ 25 V1790 pF @ 100 V3365 pF @ 10 V3440 pF @ 20 V3965 pF @ 30 V5150 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
1.5W(Ta),110W(Tc)1.5W(Ta),93.75W(Tj)1.6W(Ta),21W(Tc)1.6W(Ta),45W(Tc)1.6W(Ta),63W(Tc)200W(Tc)-
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-SOP Advance(5x5)DPAKIPAKTO-3P模具
封装/外壳
8-PowerVDFNTO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-3P-3,SC-65-3模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
17结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
EPC22xx
EPC2215
GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
EPC
33,384
现货
1 : ¥52.29000
剪切带(CT)
2,500 : ¥27.79498
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
200 V
32A(Ta)
5V
8 毫欧 @ 20A,5V
2.5V @ 6mA
17.7 nC @ 5 V
+6V,-4V
1790 pF @ 100 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
模具
模具
2,298
现货
1 : ¥6.07000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.29287
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
32A(Ta)
4.5V,10V
11 毫欧 @ 5.5A,10V
2.3V @ 100µA
7.5 nC @ 10 V
±20V
660 pF @ 15 V
-
1.6W(Ta),21W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance(5x5)
8-PowerVDFN
4,625
现货
1 : ¥16.09000
剪切带(CT)
5,000 : ¥6.97161
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
32A(Ta)
6.5V,10V
4.6 毫欧 @ 16A,10V
4V @ 500µA
49 nC @ 10 V
±20V
3965 pF @ 30 V
-
1.6W(Ta),63W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance(5x5)
8-PowerVDFN
IPAK
NTD32N06L-001
MOSFET N-CH 60V 32A IPAK
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
32A(Ta)
5V
28 毫欧 @ 16A,5V
2V @ 250µA
50 nC @ 5 V
±20V
1700 pF @ 25 V
-
1.5W(Ta),93.75W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
IPAK
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
IPAK
NTD32N06-1G
MOSFET N-CH 60V 32A IPAK
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
32A(Ta)
10V
26 毫欧 @ 16A,10V
4V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±20V
1725 pF @ 25 V
-
1.5W(Ta),93.75W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
IPAK
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
STD110N02RT4G
MOSFET N-CH 24V 32A DPAK
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
24 V
32A(Ta)
4.5V,10V
4.6 毫欧 @ 20A,10V
2V @ 250µA
28 nC @ 4.5 V
±20V
3440 pF @ 20 V
-
1.5W(Ta),110W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
IPAK
NTD32N06-001
MOSFET N-CH 60V 32A IPAK
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
32A(Ta)
10V
26 毫欧 @ 16A,10V
4V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±20V
1725 pF @ 25 V
-
1.5W(Ta),93.75W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
IPAK
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
DPAK_369C
NTD32N06LT4G
MOSFET N-CH 60V 32A DPAK
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
32A(Ta)
5V
28 毫欧 @ 16A,5V
2V @ 250µA
50 nC @ 5 V
±20V
1700 pF @ 25 V
-
1.5W(Ta),93.75W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
DPAK_369C
NTD32N06T4G
MOSFET N-CH 60V 32A DPAK
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
32A(Ta)
10V
26 毫欧 @ 16A,10V
4V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±20V
1725 pF @ 25 V
-
1.5W(Ta),93.75W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
DPAK_369C
NTD32N06
MOSFET N-CH 60V 32A DPAK
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
32A(Ta)
10V
26 毫欧 @ 16A,10V
4V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±20V
1725 pF @ 25 V
-
1.5W(Ta),93.75W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
DPAK_369C
NTD32N06G
MOSFET N-CH 60V 32A DPAK
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
32A(Ta)
10V
26 毫欧 @ 16A,10V
4V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±20V
1725 pF @ 25 V
-
1.5W(Ta),93.75W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
DPAK_369C
NTD32N06L
MOSFET N-CH 60V 32A DPAK
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
32A(Ta)
5V
28 毫欧 @ 16A,5V
2V @ 250µA
50 nC @ 5 V
±20V
1700 pF @ 25 V
-
1.5W(Ta),93.75W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
IPAK
NTD32N06L-1G
MOSFET N-CH 60V 32A IPAK
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
32A(Ta)
5V
28 毫欧 @ 16A,5V
2V @ 250µA
50 nC @ 5 V
±20V
1700 pF @ 25 V
-
1.5W(Ta),93.75W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
IPAK
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
DPAK_369C
NTD32N06LG
MOSFET N-CH 60V 32A DPAK
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
32A(Ta)
5V
28 毫欧 @ 16A,5V
2V @ 250µA
50 nC @ 5 V
±20V
1700 pF @ 25 V
-
1.5W(Ta),93.75W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
0
现货
在售
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
32A(Ta)
10V
175 毫欧 @ 16A,10V
-
121 nC @ 10 V
±30V
5150 pF @ 25 V
-
200W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-3P
TO-3P-3,SC-65-3
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
-
-
-
32A(Ta)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
32A(Ta)
4.5V,10V
7.3mOhm @ 16A,10V
2.3V @ 500µA
43 nC @ 10 V
±20V
3365 pF @ 10 V
-
1.6W(Ta),45W(Tc)
150°C
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance(5x5)
8-PowerVDFN
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32A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。