32.3A（Ta），109A（Tc） 单 FET，MOSFET

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Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
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制造商零件编号
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价格
系列
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产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPak SO-8L
SIRA58ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK
Vishay Siliconix
16,560
现货
1 : ¥9.44000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.89698
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
32.3A（Ta），109A（Tc）
4.5V，10V
2.65 毫欧 @ 15A，10V
2.4V @ 250µA
61 nC @ 10 V
+20V，-16V
3030 pF @ 20 V
-
5W（Ta），56.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPak SO-8L
SIJA58ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK
Vishay Siliconix
5,785
现货
1 : ¥7.80000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.21447
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
32.3A（Ta），109A（Tc）
4.5V，10V
2.65 毫欧 @ 15A，10V
2.4V @ 250µA
61 nC @ 10 V
+20V，-16V
3030 pF @ 20 V
-
5W（Ta），56.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
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32.3A（Ta），109A（Tc） 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。