3.5A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 64
制造商
Goford SemiconductorIXYSMicrochip TechnologyMicrosemi CorporationNexperia USA Inc.NXP USA Inc.onsemiRohm SemiconductorSTMicroelectronicsTaiwan Semiconductor CorporationTexas InstrumentsVishay Siliconix
系列
-FRFET ®, UniFET™HiPerFET™, PolarHiPerFET™, Q ClassHiPerFET™, Ultra XMDmesh™ DM2MDmesh™ II PlusMDmesh™ K5MDmesh™ M6NexFET™POWER MOS 7®QFET®SuperMESH3™SuperMESH5™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
12 V30 V60 V100 V150 V200 V400 V500 V600 V650 V700 V800 V850 V900 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V,10V2.5V,4.5V4V,10V4.5V,10V5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
20mOhm @ 1.5A, 4.5V70mOhm @ 3.5A,10V80 毫欧 @ 2A,10V85 毫欧 @ 3.5A,10V88 毫欧 @ 3.5A,10V200 毫欧 @ 3A,10V250 毫欧 @ 1.75A,10V250 毫欧 @ 1.75A,5V600 毫欧 @ 2.25A,10V610 毫欧 @ 3.5A,10V800 毫欧 @ 2.25A,10V850 毫欧 @ 3.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 250µA2V @ 1mA2.5V @ 250µA3V @ 1mA3V @ 250µA3.75V @ 250µA4V @ 1mA4V @ 250µA4.5V @ 100µA5V @ 1.5mA5V @ 100µA5V @ 1mA5V @ 250µA5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
4.7 nC @ 4.5 V5 nC @ 10 V5.1 nC @ 10 V6 nC @ 10 V6.2 nC @ 4.5 V6.5 nC @ 5 V7 nC @ 10 V7.4 nC @ 10 V8.1 nC @ 10 V8.5 nC @ 10 V8.6 nC @ 10 V12.2 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
±8V±16V±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
150 pF @ 100 V170 pF @ 100 V209 pF @ 50 V211 pF @ 100 V220 pF @ 100 V247 pF @ 25 V300 pF @ 25 V340 pF @ 15 V350 pF @ 25 V374 pF @ 25 V375 pF @ 100 V430 pF @ 10 V
功率耗散(最大值)
800mW(Ta),15W(Tc)800mW(Tc)950mW(Ta)1.1W(Ta),1.8W(Tc)1.65W(Ta)2W(Ta),35W(Tc)2.5W(Ta),50W(Tc)3W(Ta),40W(Tc)3.1W(Tc)3.13W(Ta),85W(Tc)3.5W(Tc)6.9W(Tc)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
等级
-军用汽车级
资质
-AEC-Q101MIL-PRF-19500/555MIL-PRF-19500/556
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
6-DSBGA(1x1.5)8-SO8-SOP18-ULCC(9.14x7.49)D3PAKDPAKI2PAKIPAKISOPLUS247™SC-73SOT-223SOT-23-3L
封装/外壳
6-UFBGA,DSBGA8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)18-CLCCSOT-23-6 细型,TSOT-23-6TO-205AF 金属罐TO-220-3 全封装,隔离接片TO-220-3 整包TO-220-3TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-247-3TO-251-3 短引线,IPAKTO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-261-4,TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
64结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 64
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
SI2307CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Vishay Siliconix
90,131
现货
1 : ¥4.02000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.34529
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.5A(Tc)
4.5V,10V
88 毫欧 @ 3.5A,10V
3V @ 250µA
6.2 nC @ 4.5 V
±20V
340 pF @ 15 V
-
1.1W(Ta),1.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2307CDS-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Vishay Siliconix
39,421
现货
1 : ¥4.27000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.43335
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.5A(Tc)
4.5V,10V
88 毫欧 @ 3.5A,10V
3V @ 250µA
6.2 nC @ 4.5 V
±20V
340 pF @ 15 V
-
1.1W(Ta),1.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
MFG_DPAK(TO252-3)
STD5N95K5
MOSFET N-CH 950V 3.5A DPAK
STMicroelectronics
7,515
现货
1 : ¥13.71000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.18650
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
950 V
3.5A(Tc)
10V
2.5 欧姆 @ 1.5A,10V
5V @ 100µA
12.5 nC @ 10 V
±30V
220 pF @ 100 V
-
70W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220AB
IRF9620PBF
MOSFET P-CH 200V 3.5A TO220AB
Vishay Siliconix
5,496
现货
1 : ¥13.22000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
3.5A(Tc)
10V
1.5 欧姆 @ 1.5A,10V
4V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 25 V
-
40W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220FP
STF5NK100Z
MOSFET N-CH 1000V 3.5A TO220FP
STMicroelectronics
10,113
现货
1 : ¥34.91000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1000 V
3.5A(Tc)
10V
3.7 欧姆 @ 1.75A,10V
4.5V @ 100µA
59 nC @ 10 V
±30V
1154 pF @ 25 V
-
30W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
TSMT6_TSMT6 Pkg
RSQ035N06HZGTR
MOSFET N-CH 60V 3.5A TSMT6
Rohm Semiconductor
8,737
现货
1 : ¥6.24000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.37488
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
3.5A(Tc)
4V,10V
70mOhm @ 3.5A,10V
3V @ 1mA
6.5 nC @ 5 V
±20V
430 pF @ 10 V
-
950mW(Ta)
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TSMT6(SC-95)
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
MFG_DPAK(TO252-3)
STD5N60DM2
MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK
STMicroelectronics
2,280
现货
1 : ¥6.81000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.82947
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
3.5A(Tc)
10V
1.55 欧姆 @ 1.75A,10V
5V @ 250µA
8.6 nC @ 10 V
±30V
375 pF @ 100 V
-
45W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220-F
STF5N95K5
MOSFET N-CH 950V 3.5A TO220FP
STMicroelectronics
963
现货
1 : ¥15.27000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
950 V
3.5A(Tc)
10V
2.5 欧姆 @ 1.5A,10V
5V @ 100µA
12.5 nC @ 10 V
±30V
220 pF @ 100 V
-
25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
TO-220AB Full Pack
IRFIBC40GPBF
MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220-3
Vishay Siliconix
1,363
现货
1 : ¥30.79000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
3.5A(Tc)
10V
1.2 欧姆 @ 2.1A,10V
4V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
40W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3 全封装,隔离接片
TO-220-3
STP5NK100Z
MOSFET N-CH 1000V 3.5A TO220AB
STMicroelectronics
3,643
现货
1 : ¥31.36000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1000 V
3.5A(Tc)
10V
3.7 欧姆 @ 1.75A,10V
4.5V @ 100µA
59 nC @ 10 V
±30V
1154 pF @ 25 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
D2PAK(TO-263)
SIHF9620S-GE3
MOSFET P-CHANNEL 200V
Vishay Siliconix
985
现货
1 : ¥8.29000
剪切带(CT)
1,000 : ¥3.63083
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
3.5A(Tc)
10V
1.5 欧姆 @ 1.5A,10V
4V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 25 V
-
40W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220AB
IRF9620PBF-BE3
MOSFET P-CH 200V 3.5A TO220AB
Vishay Siliconix
792
现货
1 : ¥13.22000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
3.5A(Tc)
-
1.5 欧姆 @ 1.5A,10V
4V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 25 V
-
40W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
YZC-6-BGA Pkg
CSD13303W1015
MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
Texas Instruments
46
现货
1 : ¥4.35000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.27190
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
3.5A(Tc)
2.5V,4.5V
20mOhm @ 1.5A, 4.5V
1.2V @ 250µA
4.7 nC @ 4.5 V
±8V
715 pF @ 6 V
-
1.65W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-DSBGA(1x1.5)
6-UFBGA,DSBGA
MFG_DPAK(TO252-3)
STD5N60M2
MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK
STMicroelectronics
2,500
现货
1 : ¥13.05000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.89868
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
3.5A(Tc)
10V
1.4 欧姆 @ 1.7A,10V
4V @ 250µA
8.5 nC @ 10 V
±25V
211 pF @ 100 V
-
45W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263AB
IRF9620SPBF
MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
Vishay Siliconix
2,000
现货
1 : ¥21.02000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
3.5A(Tc)
10V
1.5 欧姆 @ 1.5A,10V
4V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 25 V
-
3W(Ta),40W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
GT800N10L
GT800N10L
MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23-3L
Goford Semiconductor
3,000
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.72724
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
-
MOSFET(金属氧化物)
-
3.5A(Tc)
4.5V,10V
80 毫欧 @ 2A,10V
3V @ 250µA
5 nC @ 10 V
±20V
209 pF @ 50 V
-
-
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3L
-
G06N06S
G2K2P10SE
P-100V, 3.5A,RD<200M@-10V,VTH1V~
Goford Semiconductor
3,855
现货
1 : ¥4.35000
剪切带(CT)
4,000 : ¥1.46759
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
3.5A(Tc)
4.5V,10V
200 毫欧 @ 3A,10V
2.5V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
1653 pF @ 50 V
-
3.1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
TO-220-3
BFL4026-1E
MOSFET N-CH 900V 3.5A TO220F-3FS
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
900 V
3.5A(Tc)
10V
3.6 欧姆 @ 2.5A,10V
-
33 nC @ 10 V
±30V
650 pF @ 30 V
-
2W(Ta),35W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220F-3FS
TO-220-3 整包
TO-247-3 HiP
STW5NK100Z
MOSFET N-CH 1000V 3.5A TO247-3
STMicroelectronics
83
现货
1 : ¥35.05000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1000 V
3.5A(Tc)
10V
3.7 欧姆 @ 1.75A,10V
4.5V @ 100µA
59 nC @ 10 V
±30V
1154 pF @ 25 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3-PKG-Series
APT1204R7BFLLG
MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO247
Microchip Technology
74
现货
1 : ¥87.59000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1200 V
3.5A(Tc)
10V
4.7 欧姆 @ 1.75A,10V
5V @ 1mA
31 nC @ 10 V
±30V
715 pF @ 25 V
-
135W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247 [B]
TO-247-3
TO-220-3
STP5N95K5
MOSFET N-CH 950V 3.5A TO220
STMicroelectronics
876
现货
1 : ¥16.66000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
950 V
3.5A(Tc)
10V
2.5 欧姆 @ 1.5A,10V
5V @ 100µA
12.5 nC @ 10 V
±30V
220 pF @ 100 V
-
70W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
IXFA34N65X2
IXFY4N85X
MOSFET N-CH 850V 3.5A TO252
IXYS
58
现货
1 : ¥32.10000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
850 V
3.5A(Tc)
10V
2.5 欧姆 @ 2A,10V
5.5V @ 250µA
7 nC @ 10 V
±30V
247 pF @ 25 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263AB
IRF9620STRLPBF
MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥21.02000
剪切带(CT)
800 : ¥11.75189
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
3.5A(Tc)
10V
1.5 欧姆 @ 1.5A,10V
4V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 25 V
-
3W(Ta),40W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
IXFP4N85XM
IXFP4N85XM
MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220
IXYS
0
现货
查看交期
1 : ¥26.19000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
850 V
3.5A(Tc)
10V
2.5 欧姆 @ 2A,10V
5.5V @ 250µA
7 nC @ 10 V
±30V
247 pF @ 25 V
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35W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
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通孔
TO-220
TO-220-3 整包
IXFP4N85X, IXFP14N85X (front)
IXFP4N85X
MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220AB
IXYS
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管件
管件
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N 通道
MOSFET(金属氧化物)
850 V
3.5A(Tc)
10V
2.5 欧姆 @ 2A,10V
5.5V @ 250µA
7 nC @ 10 V
±30V
247 pF @ 25 V
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150W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
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通孔
TO-220AB(IXFP)
TO-220-3
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3.5A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。