3.3A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 35
制造商
Diodes IncorporatedonsemiSTMicroelectronicsTaiwan Semiconductor CorporationVishay Siliconix
系列
-LITTLE FOOT®MDmesh™ IIPowerTrench®QFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V100 V200 V400 V500 V600 V700 V800 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,10V4.5V,10V5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
84 毫欧 @ 3A,10V100 毫欧 @ 3.3A,10V1.4 欧姆 @ 1.2A,10V1.4 欧姆 @ 2A,10V1.5 欧姆 @ 1.65A,5V1.5 欧姆 @ 2A,10V1.8 欧姆 @ 1.65A,10V1.8 欧姆 @ 2A,10V1.95 欧姆 @ 1.65A,10V3 欧姆 @ 1.5A,10V3.25 欧姆 @ 1.8A,10V3.5 欧姆 @ 1.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA2V @ 250µA2.5V @ 250µA4V @ 250µA4.5V @ 250µA5V @ 250µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
6.8 nC @ 10 V7.7 nC @ 10 V8.2 nC @ 10 V9 nC @ 5 V9.5 nC @ 10 V11 nC @ 10 V12 nC @ 10 V12.6 nC @ 10 V17 nC @ 10 V20 nC @ 10 V31 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±12V±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
140 pF @ 25 V188 pF @ 50 V240 pF @ 25 V260 pF @ 30 V315 pF @ 50 V330 pF @ 10 V340 pF @ 25 V354 pF @ 25 V370 pF @ 100 V410 pF @ 25 V1500 pF @ 25 V3400 pF @ 25 V
FET 功能
-肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值)
1.1W(Ta),1.4W(Tc)2W(Ta),28W(Tc)2.2W(Ta)3W(Ta),36W(Tc)3.1W(Ta),50W(Tc)33W(Tc)36W(Tc)38W(Tc)50W(Tc)51W(Tc)83W(Tc)104W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
6-TSOPDPAKI2PAKSOT-223-4TO-220-3TO-220ABTO-220AB(TH 型)TO-220F-3TO-251AATO-251(IPAK)TO-252AATO-252(DPAK)TO-262TO-262-3
封装/外壳
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6TO-220-3 整包TO-220-3TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-261-4,TO-261AATO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
35结果
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/ 35
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-223-4
FDT86113LZ
MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4
onsemi
19,511
现货
1 : ¥7.55000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.12372
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
3.3A(Tc)
4.5V,10V
100 毫欧 @ 3.3A,10V
2.5V @ 250µA
6.8 nC @ 10 V
±20V
315 pF @ 50 V
-
2.2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4,TO-261AA
TO-252
IRFR420ATRPBF
MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK
Vishay Siliconix
5,822
现货
1 : ¥12.23000
剪切带(CT)
2,000 : ¥5.51381
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
3.3A(Tc)
10V
3 欧姆 @ 1.5A,10V
4.5V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±30V
340 pF @ 25 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220AB
IRF610PBF
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
Vishay Siliconix
23,137
现货
1 : ¥7.39000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
3.3A(Tc)
10V
1.5 欧姆 @ 2A,10V
4V @ 250µA
8.2 nC @ 10 V
±20V
140 pF @ 25 V
-
36W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRF720PBF
MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB
Vishay Siliconix
1,978
现货
1 : ¥10.18000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
3.3A(Tc)
10V
1.8 欧姆 @ 2A,10V
4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
410 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRF610PBF-BE3
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
Vishay Siliconix
7,433
现货
1 : ¥7.39000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
3.3A(Tc)
10V
1.5 欧姆 @ 2A,10V
4V @ 250µA
8.2 nC @ 10 V
±20V
140 pF @ 25 V
-
36W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
D-PAK (TO-252AA)
IRFR420APBF
MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK
Vishay Siliconix
2,657
现货
1 : ¥11.49000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
3.3A(Tc)
10V
3 欧姆 @ 1.5A,10V
4.5V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±30V
340 pF @ 25 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263AB
IRF610SPBF
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Vishay Siliconix
308
现货
1 : ¥13.71000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
3.3A(Tc)
10V
1.5 欧姆 @ 2A,10V
4V @ 250µA
8.2 nC @ 10 V
±20V
140 pF @ 25 V
-
3W(Ta),36W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263AB
IRF610STRLPBF
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Vishay Siliconix
677
现货
1 : ¥13.71000
剪切带(CT)
800 : ¥7.64763
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
3.3A(Tc)
10V
1.5 欧姆 @ 2A,10V
4V @ 250µA
8.2 nC @ 10 V
±20V
140 pF @ 25 V
-
3W(Ta),36W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263AB
IRF720SPBF
MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
Vishay Siliconix
488
现货
1 : ¥14.20000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
3.3A(Tc)
10V
1.8 欧姆 @ 2A,10V
4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
410 pF @ 25 V
-
3.1W(Ta),50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220-3
2SK4197FS
MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220-3
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
3.3A(Tc)
10V
3.25 欧姆 @ 1.8A,10V
-
11 nC @ 10 V
±30V
260 pF @ 30 V
-
2W(Ta),28W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-220F
FQPF6N80T
MOSFET N-CH 800V 3.3A TO220F
onsemi
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
3.3A(Tc)
10V
1.95 欧姆 @ 1.65A,10V
5V @ 250µA
31 nC @ 10 V
±30V
1500 pF @ 25 V
-
51W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220F-3
TO-220-3 整包
TO-220AB
IRF720PBF-BE3
MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB
Vishay Siliconix
46
现货
1 : ¥10.18000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
3.3A(Tc)
-
1.8 欧姆 @ 2A,10V
4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
410 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
MFG_DPAK(TO252-3)
STD3NM60N
MOSFET N-CH 600V 3.3A DPAK
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥9.60000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.97142
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
3.3A(Tc)
10V
1.8 欧姆 @ 1.65A,10V
4V @ 250µA
9.5 nC @ 10 V
±25V
188 pF @ 50 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-251AA
IRFU420APBF
MOSFET N-CH 500V 3.3A TO251AA
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥12.48000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
3.3A(Tc)
10V
3 欧姆 @ 1.5A,10V
4.5V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±30V
340 pF @ 25 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-251AA
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
TO-252
SIHFR420A-GE3
MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
3,000 : ¥2.81203
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
3.3A(Tc)
10V
3 欧姆 @ 1.5A,10V
4.5V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±30V
3400 pF @ 25 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
D-PAK (TO-252AA)
IRFR420ATRLPBF
MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
3,000 : ¥5.51381
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
3.3A(Tc)
10V
3 欧姆 @ 1.5A,10V
4.5V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±30V
340 pF @ 25 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
IRF840ALPBF
IRF610LPBF
MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1,000 : ¥6.48891
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
3.3A(Tc)
10V
1.5 欧姆 @ 2A,10V
4V @ 250µA
8.2 nC @ 10 V
±20V
140 pF @ 25 V
-
3W(Ta),36W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
I2PAK
TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
IRF840ALPBF
IRF720LPBF
MOSFET N-CH 400V 3.3A TO262-3
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1,000 : ¥7.30148
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
3.3A(Tc)
10V
1.8 欧姆 @ 2A,10V
4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
410 pF @ 25 V
-
3.1W(Ta),50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-262-3
TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
TO-263AB
IRF610STRRPBF
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
800 : ¥7.64763
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
3.3A(Tc)
10V
1.5 欧姆 @ 2A,10V
4V @ 250µA
8.2 nC @ 10 V
±20V
140 pF @ 25 V
-
3W(Ta),36W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263AB
IRF720STRRPBF
MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
800 : ¥8.60524
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
3.3A(Tc)
10V
1.8 欧姆 @ 2A,10V
4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
410 pF @ 25 V
-
3.1W(Ta),50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220AB
IRF610
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
3.3A(Tc)
10V
1.5 欧姆 @ 2A,10V
4V @ 250µA
8.2 nC @ 10 V
±20V
140 pF @ 25 V
-
36W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRF720
MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
3.3A(Tc)
10V
1.8 欧姆 @ 2A,10V
4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
410 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-263AB
IRF720S
MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
3.3A(Tc)
10V
1.8 欧姆 @ 2A,10V
4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
410 pF @ 25 V
-
3.1W(Ta),50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263AB
IRF610S
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
3.3A(Tc)
10V
1.5 欧姆 @ 2A,10V
4V @ 250µA
8.2 nC @ 10 V
±20V
140 pF @ 25 V
-
3W(Ta),36W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
IRF840ALPBF
IRF610L
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO262
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
3.3A(Tc)
10V
1.5 欧姆 @ 2A,10V
4V @ 250µA
8.2 nC @ 10 V
±20V
140 pF @ 25 V
-
3W(Ta),36W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-262
TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
显示
/ 35

3.3A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。