282A（Tc）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

IPF014N08NF2SATMA1 TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7 Infineon Technologies	1,054 现货	1 : ¥38.50000 剪切带（CT） 800 : ¥23.26375 卷带（TR）	StrongIRFET™ 2	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	80 V	282A（Tc）	6V，10V	1.4 毫欧 @ 100A，10V	3.8V @ 267µA	255 nC @ 10 V	±20V	12000 pF @ 40 V	-	300W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-TO263-7-14	TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
GSGP0R703 MOSFET, N-CH, SINGLE, 282.00A, 3 Good-Ark Semiconductor	5,000 现货	1 : ¥13.63000 剪切带（CT） 5,000 : ¥5.36788 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	282A（Tc）	10V	0.7 毫欧 @ 30A，10V	2.3V @ 250µA	122 nC @ 10 V	±20V	9045 pF @ 15 V	-	139W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-PPAK（5.1x5.86）	8-PowerTDFN
BSC010N04LSCATMA1 MOSFET N-CH 40V 282A Infineon Technologies	0 现货查看交期	1 : ¥22.25000 剪切带（CT） 5,000 : ¥10.72978 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	282A（Tc）	4.5V，10V	1.05 毫欧 @ 50A，10V	2V @ 250µA	133 nC @ 10 V	±20V	9500 pF @ 20 V	-	139W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	-	-	-