单 FET,MOSFET

结果 : 404
系列
-HEXFET®HEXFET®, StrongIRFET™OptiMOS™OptiMOS™ 5OptiMOS™ 6OptiMOS™-5OptiMOS™3OptiMOS™5OptimWatt™StrongIRFET™StrongIRFET™ 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V25 V30 V40 V55 V60 V75 V80 V100 V120 V150 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
180mA(Ta)300mA(Ta)1A(Tj)1.1A(Ta)1.2A(Ta)1.6A(Ta)1.9A(Ta)2.6A(Ta)2.7A(Ta)2.8A(Ta)3.4A(Ta)3.4A(Ta),19A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,10V2.5V,4.5V4V,10V4.5V,10V6V,10V8V,10V10V10V,16V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.6 毫欧 @ 100A,10V0.7 毫欧 @ 100A,10V0.7 毫欧 @ 50A,10V0.9 毫欧 @ 30A,10V1 毫欧 @ 30A,10V1mOhm @ 50A, 10V1.05 毫欧 @ 30A,10V1.05 毫欧 @ 50A,10V1.1 毫欧 @ 100A,10V1.1 毫欧 @ 30A,10V1.15 毫欧 @ 50A,10V1.3 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.1V @ 10µA1.1V @ 50µA1.1V @ 5µA1.2V @ 100µA1.2V @ 200µA1.2V @ 250µA1.5V @ 100µA2V @ 11µA2V @ 250µA2V @ 270µA2V @ 34µA2V @ 36µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.59 nC @ 10 V0.67 nC @ 4.5 V1 nC @ 4.5 V1.79 nC @ 10 V2.5 nC @ 4.5 V2.6 nC @ 4.5 V2.9 nC @ 4.5 V3.5 nC @ 4.5 V4 nC @ 10 V4.8 nC @ 4.5 V5.4 nC @ 10 V6.7 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±12V±16V±20V±25V±30V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
18 pF @ 30 V55 pF @ 30 V64 pF @ 25 V110 pF @ 15 V120 pF @ 30 V210 pF @ 75 V260 pF @ 30 V270 pF @ 24 V290 pF @ 25 V290 pF @ 16 V330 pF @ 25 V370 pF @ 25 V
FET 功能
-肖特基二极管(体)
功率耗散(最大值)
360mW(Ta)400mW(Ta)1W(Ta)1.25W(Ta)1.3W(Ta)1.56W(Ta)1.6W(Ta)1.79W(Ta)1.8W(Ta),4.2W(Tc)1.8W(Ta),5W(Tc)1.98W(Ta),9.6W(Tc)2W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-
安装类型
-表面贴装,可润湿侧翼表面贴装型通孔
供应商器件封装
6-PQFN(2x2)6-PQFN(2x2)(DFN2020)6-TSOP8-PQFN 双(3.3x3.3)8-PQFN(5x6)8-SO8-SOIC-D2PAKDIRECTFET™ MNDIRECTFET™ MZDPAK
封装/外壳
3-WDSON5-PowerSFN6-PowerVDFN8-PowerSFN8-PowerSMD,鸥翼8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-TQFN 裸露焊盘8-VQFN 裸露焊盘-
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
404结果

显示
/ 404
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
IRLML6244TRPBF
MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT23
Infineon Technologies
469,262
现货
1 : ¥2.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.70086
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.3A(Ta)
2.5V,4.5V
21 毫欧 @ 6.3A,4.5V
1.1V @ 10µA
8.9 nC @ 4.5 V
±12V
700 pF @ 16 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML0030TRPBF
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
Infineon Technologies
210,309
现货
1 : ¥2.38000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.72959
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.3A(Ta)
4.5V,10V
27 毫欧 @ 5.2A,10V
2.3V @ 25µA
2.6 nC @ 4.5 V
±20V
382 pF @ 15 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
ISS17EP06LMXTSA1
MOSFET P-CH 60V 300MA SOT23-3
Infineon Technologies
59,621
现货
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.78000
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
300mA(Ta)
4.5V,10V
1.7 欧姆 @ 300mA,10V
2V @ 34µA
1.79 nC @ 10 V
±20V
55 pF @ 30 V
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
6-PowerVDFN
IRLHS6242TRPBF
MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN
Infineon Technologies
121,408
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
4,000 : ¥1.40175
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
10A(Ta),12A(Tc)
2.5V,4.5V
11.7 毫欧 @ 8.5A,4.5V
1.1V @ 10µA
14 nC @ 4.5 V
±12V
1110 pF @ 10 V
-
1.98W(Ta),9.6W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-PQFN(2x2)(DFN2020)
6-PowerVDFN
SOT-23-3
IRLML0100TRPBF
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23
Infineon Technologies
36,350
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.16184
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
1.6A(Ta)
4.5V,10V
220 毫欧 @ 1.6A,10V
2.5V @ 25µA
2.5 nC @ 4.5 V
±16V
290 pF @ 25 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6246TRPBF
MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23
Infineon Technologies
242,058
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.77324
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.1A(Ta)
2.5V,4.5V
46 毫欧 @ 4.1A,4.5V
1.1V @ 5µA
3.5 nC @ 4.5 V
±12V
290 pF @ 16 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6344TRPBF
MOSFET N-CH 30V 5A MICRO3/SOT23
Infineon Technologies
137,994
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.02901
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5A(Ta)
2.5V,4.5V
29 毫欧 @ 5A,4.5V
1.1V @ 10µA
6.8 nC @ 4.5 V
±12V
650 pF @ 25 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6346TRPBF
MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23
Infineon Technologies
81,393
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.83410
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.4A(Ta)
2.5V,4.5V
63 毫欧 @ 3.4A,4.5V
1.1V @ 10µA
2.9 nC @ 4.5 V
±12V
270 pF @ 24 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
6-PowerVDFN
IRFHS8342TRPBF
MOSFET N-CH 30V 8.8A/19A TSDSON
Infineon Technologies
70,608
现货
1 : ¥4.10000
剪切带(CT)
4,000 : ¥1.37343
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
8.8A(Ta),19A(Tc)
4.5V,10V
16 毫欧 @ 8.5A,10V
2.35V @ 25µA
8.7 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 25 V
-
2.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-PQFN(2x2)(DFN2020)
6-PowerVDFN
SOT-23-3
IRLML0060TRPBF
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23
Infineon Technologies
46,785
现货
1 : ¥4.19000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.13541
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2.7A(Ta)
4.5V,10V
92 毫欧 @ 2.7A,10V
2.5V @ 25µA
2.5 nC @ 4.5 V
±16V
290 pF @ 25 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO252-3
IRFR024NTRPBF
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Infineon Technologies
163,201
现货
1 : ¥5.09000
剪切带(CT)
2,000 : ¥2.40739
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
17A(Tc)
10V
75 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
370 pF @ 25 V
-
45W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
IRF8714TRPBF
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Infineon Technologies
31,528
现货
1 : ¥5.75000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.17638
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
14A(Ta)
4.5V,10V
8.7 毫欧 @ 14A,10V
2.35V @ 25µA
12 nC @ 4.5 V
±20V
1020 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SOT223-3L
IRFL4310TRPBF
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
Infineon Technologies
14,880
现货
1 : ¥5.75000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.17636
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
1.6A(Ta)
10V
200 毫欧 @ 1.6A,10V
4V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
330 pF @ 25 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
IRF8736TRPBF
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Infineon Technologies
12,507
现货
1 : ¥5.83000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.22718
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
18A(Ta)
4.5V,10V
4.8 毫欧 @ 18A,10V
2.35V @ 50µA
26 nC @ 4.5 V
±20V
2315 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
TO-220AB PKG
IRF640NPBF
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Infineon Technologies
53,875
现货
1 : ¥6.81000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
18A(Tc)
10V
150 毫欧 @ 11A,10V
4V @ 250µA
67 nC @ 10 V
±20V
1160 pF @ 25 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
PG-TSDSON-8-34
BSZ110N06NS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
Infineon Technologies
11,130
现货
1 : ¥7.06000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.78203
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
20A(Tc)
10V
11 毫欧 @ 20A,10V
4V @ 23µA
33 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 30 V
-
2.1W(Ta),50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerVDFN
8-Power TDFN
BSZ086P03NS3GATMA1
MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Infineon Technologies
5,802
现货
1 : ¥7.06000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.78203
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
13.5A(Ta),40A(Tc)
6V,10V
8.6 毫欧 @ 20A,10V
3.1V @ 105µA
57.5 nC @ 10 V
±25V
4785 pF @ 15 V
-
2.1W(Ta),69W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSZ120P03NS3GATMA1
MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Infineon Technologies
1,662
现货
1 : ¥7.14000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.55770
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
11A(Ta),40A(Tc)
6V,10V
12 毫欧 @ 20A,10V
3.1V @ 73µA
45 nC @ 10 V
±25V
3360 pF @ 15 V
-
2.1W(Ta),52W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
TO-220AB PKG
IRF530NPBF
MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
Infineon Technologies
41,106
现货
1 : ¥7.47000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
17A(Tc)
10V
90 毫欧 @ 9A,10V
4V @ 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
920 pF @ 25 V
-
70W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
8-Power TDFN
BSZ086P03NS3EGATMA1
MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Infineon Technologies
14,200
现货
1 : ¥7.63000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.75246
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
13.5A(Ta),40A(Tc)
6V,10V
8.6 毫欧 @ 20A,10V
3.1V @ 105µA
57.5 nC @ 10 V
±25V
4785 pF @ 15 V
-
2.1W(Ta),69W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
TO-220AB PKG
IRF540NPBF
MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
Infineon Technologies
139,513
现货
1 : ¥7.72000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
33A(Tc)
10V
44 毫欧 @ 16A,10V
4V @ 250µA
71 nC @ 10 V
±20V
1960 pF @ 25 V
-
130W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
8-Power TDFN
BSC054N04NSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 17A/81A TDSON
Infineon Technologies
30,298
现货
1 : ¥7.88000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.09354
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
17A(Ta),81A(Tc)
10V
5.4 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 27µA
34 nC @ 10 V
±20V
2800 pF @ 20 V
-
2.5W(Ta),57W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
IRFHM830DTR2PBF
IRLHM630TRPBF
MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Infineon Technologies
16,133
现货
1 : ¥8.29000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.42929
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
21A(Ta),40A(Tc)
2.5V,10V
3.5 毫欧 @ 20A,4.5V
1.1V @ 50µA
62 nC @ 4.5 V
±12V
3170 pF @ 25 V
-
2.7W(Ta),37W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PQFN(3x3)
8-VQFN 裸露焊盘
8-Power TDFN
BSC110N06NS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
Infineon Technologies
8,207
现货
1 : ¥8.29000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.27246
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
50A(Tc)
10V
11 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 23µA
33 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 30 V
-
2.5W(Ta),50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
TO252-3
IRFR3410TRPBF
MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
Infineon Technologies
16,260
现货
1 : ¥8.37000
剪切带(CT)
2,000 : ¥3.45080
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
31A(Tc)
10V
39 毫欧 @ 18A,10V
4V @ 250µA
56 nC @ 10 V
±20V
1690 pF @ 25 V
-
3W(Ta),110W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。