单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
EPCGeneSiC SemiconductorInfineon Technologies
系列
eGaN®G3R™HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
-N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
150 V200 V750 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
72A（Tc）80A（Ta）-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V10V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.2 毫欧 @ 30A，5V22 毫欧 @ 44A，10V-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 11mA5V @ 250µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
21 nC @ 5 V150 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
6V+20V，-10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2900 pF @ 75 V5380 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
375W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）-
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
7-QFN（3x5）D2PAKTO-247-3
封装/外壳
7-PowerWQFNTO-247-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS4127TRLPBF
MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK
Infineon Technologies
18,278
现货
1 : ¥27.42000
剪切带（CT）
800 : ¥16.54146
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
72A（Tc）
10V
22 毫欧 @ 44A，10V
5V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
5380 pF @ 50 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-247-3
G3R60MT07D
750V 60M TO-247-3 G3R SIC MOSFET
GeneSiC Semiconductor
2,868
现货
1 : ¥83.25000
管件
管件
在售
-
SiCFET（碳化硅）
750 V
-
-
-
-
-
+20V，-10V
-
-
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TRANS GAN 150V .0022OHM 3X5 7QFN
EPC2305
TRANS GAN 150V .0022OHM 3X5 7QFN
EPC
0
现货
查看交期
1 : ¥56.24000
剪切带（CT）
3,000 : ¥29.89465
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
80A（Ta）
5V
2.2 毫欧 @ 30A，5V
2.5V @ 11mA
21 nC @ 5 V
6V
2900 pF @ 75 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
7-QFN（3x5）
7-PowerWQFN
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。