单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
200 V450 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
250mA（Tc）9.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
305 毫欧 @ 3.8A，10V150 欧姆 @ 50mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.8 nC @ 10 V85 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
59.2 pF @ 25 V3700 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
13.9W（Tc）68W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8SOT-223-3
封装/外壳
PowerPAK® SO-8TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-223-3
DMP45H150DHE-13
MOSFET P-CH 450V 250MA SOT223
Diodes Incorporated
11,117
现货
107,500
工厂
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.35026
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
450 V
250mA（Tc）
10V
150 欧姆 @ 50mA，10V
4V @ 250µA
1.8 nC @ 10 V
±30V
59.2 pF @ 25 V
-
13.9W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
PowerPak® SO-8
SQJ431AEP-T1_GE3
MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
2,872
现货
1 : ¥12.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.82959
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
9.4A（Tc）
6V，10V
305 毫欧 @ 3.8A，10V
3.5V @ 250µA
85 nC @ 10 V
±20V
3700 pF @ 25 V
-
68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。