单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Nexperia USA Inc.Rohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V20 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）2.6A（Ta）4.1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，2.5V1.8V，4.5V2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
32 毫欧 @ 5.3A，4.5V57 毫欧 @ 3.6A，4.5V1.2 欧姆 @ 100mA，2.5V4.1 欧姆 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
850mV @ 250µA1V @ 1mA1V @ 250µA1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.72 nC @ 4.5 V5.5 nC @ 4.5 V18 nC @ 4.5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
25 pF @ 10 V46 pF @ 15 V1100 pF @ 6 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）260mW（Ta），830mW（Tc）710mW（Ta）750mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
EMT3F（SOT-416FL）SOT-23-3（TO-236）SOT-323
封装/外壳
SC-70，SOT-323SC-89，SOT-490TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1,447,135
现货
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.31154
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
200mA（Ta）
1.2V，2.5V
1.2 欧姆 @ 100mA，2.5V
1V @ 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
EMT3F（SOT-416FL）
SC-89，SOT-490
SOT-23-3
SI2302CDS-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
143,521
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.87982
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.6A（Ta）
2.5V，4.5V
57 毫欧 @ 3.6A，4.5V
850mV @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
710mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SI2333DS-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
45,261
现货
1 : ¥6.81000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.58534
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
4.1A（Ta）
1.8V，4.5V
32 毫欧 @ 5.3A，4.5V
1V @ 250µA
18 nC @ 4.5 V
±8V
1100 pF @ 6 V
-
750mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-323
NX3008PBKW,115
MOSFET P-CH 30V 200MA SOT323
Nexperia USA Inc.
43,717
现货
1 : ¥2.05000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.33879
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
200mA（Ta）
2.5V，4.5V
4.1 欧姆 @ 200mA，4.5V
1.1V @ 250µA
0.72 nC @ 4.5 V
±8V
46 pF @ 15 V
-
260mW（Ta），830mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。