单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedonsemiVishay Siliconix
系列
-Dual Cool™, PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.8A（Ta）14.5A（Ta），60A（Tc）18A（Tc）21.8A（Ta），95A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.6 毫欧 @ 20A，10V7.5 毫欧 @ 14.5A，10V9.4 毫欧 @ 15A，10V65 毫欧 @ 3.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.2 nC @ 4.5 V44 nC @ 10 V80 nC @ 10 V110 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
563 pF @ 25 V2866 pF @ 50 V3135 pF @ 50 V4280 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
1.08W（Ta）3.2W（Ta），125W（Tc）3.7W（Ta），52W（Tc）6.25W（Ta），125W（Tc）
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）PowerPAK® 1212-8PowerPAK® SO-8DCSOT-23-3
封装/外壳
8-PowerTDFNPowerPAK® 1212-8PowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMP3099L-7
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23
Diodes Incorporated
326,280
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.50543
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.8A（Ta）
4.5V，10V
65 毫欧 @ 3.8A，10V
2.1V @ 250µA
5.2 nC @ 4.5 V
±20V
563 pF @ 25 V
-
1.08W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK SO-8DC
SIDR870ADP-T1-RE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix
21,384
现货
1 : ¥18.80000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.47527
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
21.8A（Ta），95A（Tc）
4.5V，10V
6.6 毫欧 @ 20A，10V
3V @ 250µA
80 nC @ 10 V
±20V
2866 pF @ 50 V
-
6.25W（Ta），125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8DC
PowerPAK® SO-8
8-PQFN TOP
FDMS86101DC
MOSFET N-CH 100V 14.5A DLCOOL56
onsemi
2,674
现货
1 : ¥34.40000
剪切带（CT）
3,000 : ¥16.74347
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
14.5A（Ta），60A（Tc）
6V，10V
7.5 毫欧 @ 14.5A，10V
4V @ 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
3135 pF @ 50 V
-
3.2W（Ta），125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
PowerPAK 1212-8
SIS413DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
Vishay Siliconix
56,580
现货
1 : ¥4.68000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.77240
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
18A（Tc）
4.5V，10V
9.4 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
4280 pF @ 15 V
-
3.7W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。