单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Toshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
TrenchFET®U-MOSIX-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V80 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2A（Ta）2.25A（Tc）150A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V6V，10V7.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.24 毫欧 @ 50A，10V2.1 毫欧 @ 30A，10V56 毫欧 @ 2A，4.5V295 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.6V @ 250µA2.4V @ 500µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.2 nC @ 4.5 V42 nC @ 10 V74 nC @ 10 V227 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
453 pF @ 20 V1190 pF @ 50 V7200 pF @ 20 V10680 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
960mW（Ta），132W（Tc）5.9W（Tc）13.6W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）175°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOIC8-SOP Advance（5x5）PowerPAK® SC-70-6TO-263（D2PAK）
封装/外壳
8-PowerVDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）PowerPAK® SC-70-6TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPak SC-70-6 Single
SQA470EEJ-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 2.25A PPAK SC70
Vishay Siliconix
3,000
现货
1 : ¥5.01000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.68661
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2.25A（Tc）
2.5V，4.5V
56 毫欧 @ 2A，4.5V
1.6V @ 250µA
5.2 nC @ 4.5 V
±12V
453 pF @ 20 V
-
13.6W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
8-SOIC
SI4455DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 2A 8SO
Vishay Siliconix
31,458
现货
1 : ¥12.97000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.37632
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
2A（Ta）
6V，10V
295 毫欧 @ 4A，10V
4V @ 250µA
42 nC @ 10 V
±20V
1190 pF @ 50 V
-
5.9W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
TO-263 (D2Pak)
SUM60020E-GE3
MOSFET N-CH 80V 150A TO263
Vishay Siliconix
2,380
现货
1 : ¥24.55000
剪切带（CT）
800 : ¥14.81278
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
150A（Tc）
7.5V，10V
2.1 毫欧 @ 30A，10V
4V @ 250µA
227 nC @ 10 V
±20V
10680 pF @ 40 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
5,414
现货
1 : ¥11.82000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.66488
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
150A（Tc）
4.5V，10V
1.24 毫欧 @ 50A，10V
2.4V @ 500µA
74 nC @ 10 V
±20V
7200 pF @ 20 V
-
960mW（Ta），132W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。