单 FET,MOSFET

结果 : 14
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.Rohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-SIPMOS®TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
60 V80 V100 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
170mA(Ta)330mA(Ta)1.2A(Ta)1.4A(Ta),3.5A(Tc)1.4A(Tc)1.5A(Ta)2A(Ta)2.2A(Tc)2.3A(Ta)8.9A(Tc)18A(Tj)50A(Tc)93A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4V,10V4.5V,10V6V,10V7.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
15 毫欧 @ 17A,10V19 毫欧 @ 30A,10V71 毫欧 @ 5A,10V125 毫欧 @ 2.3A,10V220 毫欧 @ 2A,10V250 毫欧 @ 3.2A,10V290 毫欧 @ 1.2A,10V315 毫欧 @ 2.4A,10V385 毫欧 @ 1.2A,10V400 毫欧 @ 1.4A,10V470 毫欧 @ 1.5A,10V750 毫欧 @ 1.4A,10V1.25 欧姆 @ 500mA,10V8 欧姆 @ 170mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA2V @ 20µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA2.7V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.6 nC @ 4.5 V1.5 nC @ 10 V6.8 nC @ 10 V7.7 nC @ 10 V15.2 nC @ 10 V16.4 nC @ 10 V17.7 nC @ 10 V18 nC @ 10 V19 nC @ 10 V24 nC @ 10 V30 nC @ 10 V165 nC @ 10 V322 nC @ 10 V350 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
19 pF @ 25 V30 pF @ 25 V190 pF @ 50 V405 pF @ 50 V510 pF @ 50 V544 pF @ 50 V620 pF @ 40 V637 pF @ 30 V760 pF @ 50 V773 pF @ 50 V880 pF @ 75 V950 pF @ 25 V4950 pF @ 25 V14100 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
250mW(Ta)360mW(Ta)600mW(Ta)667mW(Ta),7.5W(Tc)950mW(Ta)1.1W(Ta)1.7W(Ta),10.4W(Tc)2W(Ta),3.2W(Tc)3W(Ta),136W(Tc)3W(Tc)3.8W(Ta),52W(Tc)65W(Tc)375W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
6-TSOPLFPAK33MLPAK33PG-SOT23PowerPAK® 1212-8SC-75ASOT-23-3(TO-236)SOT-26TO-252AATO-263(D2PAK)TSMT6(SC-95)
封装/外壳
8-PowerVDFNPowerPAK® 1212-8SC-74,SOT-457SC-75,SOT-416SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)SOT-23-6SOT-23-6 细型,TSOT-23-6TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
14结果

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/ 14
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS84PH6327XTSA2
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
Infineon Technologies
385,406
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.50028
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
170mA(Ta)
4.5V,10V
8 欧姆 @ 170mA,10V
2V @ 20µA
1.5 nC @ 10 V
±20V
19 pF @ 25 V
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Pkg 5868
SI1022R-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A
Vishay Siliconix
29,005
现货
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.66458
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
330mA(Ta)
4.5V,10V
1.25 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
250mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-75A
SC-75,SOT-416
SOT 26
ZXMP6A17E6TA
MOSFET P-CH 60V 2.3A SOT26
Diodes Incorporated
27,055
现货
948,000
工厂
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.66704
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2.3A(Ta)
4.5V,10V
125 毫欧 @ 2.3A,10V
1V @ 250µA
17.7 nC @ 10 V
±20V
637 pF @ 30 V
-
1.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-26
SOT-23-6
SOT 26
ZXMN10A08E6TA
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26
Diodes Incorporated
25,202
现货
276,000
工厂
1 : ¥5.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.77344
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
1.5A(Ta)
6V,10V
250 毫欧 @ 3.2A,10V
4V @ 250µA
7.7 nC @ 10 V
±20V
405 pF @ 50 V
-
1.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-26
SOT-23-6
SOT-23-3
SQ2337ES-T1_BE3
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Vishay Siliconix
295,922
现货
1 : ¥5.42000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.05835
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
2.2A(Tc)
6V,10V
290 毫欧 @ 1.2A,10V
2.5V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
620 pF @ 40 V
-
3W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
LFPAK33
PSMN075-100MSEX
MOSFET N-CH 100V 18A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
47,171
现货
1 : ¥6.40000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.73077
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
18A(Tj)
10V
71 毫欧 @ 5A,10V
4V @ 1mA
16.4 nC @ 10 V
±20V
773 pF @ 50 V
-
65W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)
PowerPAK 1212-8
SI7315DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
11,134
现货
1 : ¥9.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.12560
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
8.9A(Tc)
7.5V,10V
315 毫欧 @ 2.4A,10V
4V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±30V
880 pF @ 75 V
-
3.8W(Ta),52W(Tc)
-50°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
TO-252
SUD50P06-15L-E3
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Vishay Siliconix
29,780
现货
1 : ¥21.02000
剪切带(CT)
2,000 : ¥9.48438
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
50A(Tc)
4.5V,10V
15 毫欧 @ 17A,10V
3V @ 250µA
165 nC @ 10 V
±20V
4950 pF @ 25 V
-
3W(Ta),136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263 (D2Pak)
SQM100P10-19L_GE3
MOSFET P-CH 100V 93A TO263
Vishay Siliconix
2,943
现货
1 : ¥27.09000
剪切带(CT)
800 : ¥16.37429
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
93A(Tc)
4.5V,10V
19 毫欧 @ 30A,10V
2.5V @ 250µA
350 nC @ 10 V
±20V
14100 pF @ 25 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
Automotive, AEC-Q101 Series
PMN280ENEAX
MOSFET N-CH 100V 1.2A 6TSOP
Nexperia USA Inc.
5,121
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.84157
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
1.2A(Ta)
4.5V,10V
385 毫欧 @ 1.2A,10V
2.7V @ 250µA
6.8 nC @ 10 V
±20V
190 pF @ 50 V
-
667mW(Ta),7.5W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSOP
SC-74,SOT-457
TSMT6_TSMT6 Pkg
RQ6P015SPTR
MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6
Rohm Semiconductor
23,323
现货
1 : ¥6.32000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.38686
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
1.5A(Ta)
4V,10V
470 毫欧 @ 1.5A,10V
2.5V @ 1mA
322 nC @ 10 V
±20V
950 pF @ 25 V
-
600mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TSMT6(SC-95)
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
Pkg 5540
SI3437DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 1.4A 6TSOP
Vishay Siliconix
12,741
现货
1 : ¥7.31000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.77677
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
1.4A(Tc)
6V,10V
750 毫欧 @ 1.4A,10V
4V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
510 pF @ 50 V
-
2W(Ta),3.2W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
8-Power VDFN
PXP400-100QSJ
MOSFET P-CH 100V 1.4A MLPAK33
Nexperia USA Inc.
9,328
现货
1 : ¥5.17000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.96632
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
1.4A(Ta),3.5A(Tc)
6V,10V
400 毫欧 @ 1.4A,10V
4V @ 250µA
15.2 nC @ 10 V
±20V
544 pF @ 50 V
-
1.7W(Ta),10.4W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
MLPAK33
8-PowerVDFN
TSMT6_TSMT6 Pkg
RQ6P020ATTCR
PCH -100V -2A POWER MOSFET: RQ6P
Rohm Semiconductor
5,120
现货
1 : ¥6.81000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.57590
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
2A(Ta)
4.5V,10V
220 毫欧 @ 2A,10V
2.5V @ 1mA
24 nC @ 10 V
±20V
760 pF @ 50 V
-
950mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TSMT6(SC-95)
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
显示
/ 14

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。