单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedonsemiSTMicroelectronicsToshiba Semiconductor and Storage
系列
-AlphaSGT™DTMOSIVMDmesh™ M5UniFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
60 V150 V250 V300 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
470mA（Ta）30.8A（Ta）33A（Tc）53A（Tc）214A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
3V，5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.3 毫欧 @ 20A，10V40 毫欧 @ 26.5A，10V94 毫欧 @ 16.5A，10V109 毫欧 @ 15.4A，10V1.8 欧姆 @ 150mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA3.7V @ 250µA4.5V @ 1.5mA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.74 nC @ 5 V48 nC @ 10 V95 nC @ 10 V105 nC @ 10 V115 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
12.9 pF @ 12 V2135 pF @ 25 V3000 pF @ 300 V4240 pF @ 100 V6460 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）
390mW（Ta）235W（Tc）240W（Tc）250W（Tc）500W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TA）
供应商器件封装
4-DFN-EP（8x8）SOT-23-3TO-263（D2PAK）TOLLA
封装/外壳
4-VSFN 裸露焊盘8-PowerSFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
显示
/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN61D8L-7
MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23
Diodes Incorporated
46,754
现货
189,000
工厂
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.11788
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
470mA（Ta）
3V，5V
1.8 欧姆 @ 150mA，5V
2V @ 1mA
0.74 nC @ 5 V
±12V
12.9 pF @ 12 V
-
390mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
1,801
现货
1 : ¥32.92000
剪切带（CT）
2,500 : ¥16.04581
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
30.8A（Ta）
10V
109 毫欧 @ 15.4A，10V
4.5V @ 1.5mA
105 nC @ 10 V
±30V
3000 pF @ 300 V
-
240W（Tc）
150°C（TA）
表面贴装型
4-DFN-EP（8x8）
4-VSFN 裸露焊盘
1,877
现货
1 : ¥53.94000
剪切带（CT）
2,000 : ¥28.68839
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
214A（Tc）
10V
4.3 毫欧 @ 20A，10V
3.7V @ 250µA
115 nC @ 10 V
±20V
6460 pF @ 75 V
-
500W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TOLLA
8-PowerSFN
D2Pak
STB45N30M5
NCHANNEL 300 V 0.037 OHM TYP. 53
STMicroelectronics
985
现货
1 : ¥55.09000
剪切带（CT）
1,000 : ¥31.26197
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
300 V
53A（Tc）
10V
40 毫欧 @ 26.5A，10V
5V @ 250µA
95 nC @ 10 V
±25V
4240 pF @ 100 V
-
250W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263
FDB33N25TM
MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥18.23000
剪切带（CT）
800 : ¥10.18876
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
33A（Tc）
10V
94 毫欧 @ 16.5A，10V
5V @ 250µA
48 nC @ 10 V
±30V
2135 pF @ 25 V
-
235W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
/ 5

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。