单 FET,MOSFET

结果 : 4
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.STMicroelectronics
系列
aMOS™MDmesh™ II
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
21A(Tc)29A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
150 毫欧 @ 14.5A,10V158 毫欧 @ 10.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.9V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
26.6 nC @ 10 V50 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1312 pF @ 100 V1735 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
37.9W(Tc)150W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
D2PAKTO-220TO-220FTO-247-3
封装/外壳
TO-220-3TO-220-3 整包TO-247-3TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-3 HiP
STW28NM50N
MOSFET N-CH 500V 21A TO247-3
STMicroelectronics
144
现货
1 : ¥63.29000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
21A(Tc)
10V
158 毫欧 @ 10.5A,10V
4V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±25V
1735 pF @ 25 V
-
150W(Tc)
150°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247-3
D²PAK
STB28NM50N
MOSFET N-CH 500V 21A D2PAK
STMicroelectronics
999
现货
1 : ¥53.52000
剪切带(CT)
1,000 : ¥30.33871
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
21A(Tc)
10V
158 毫欧 @ 10.5A,10V
4V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±25V
1735 pF @ 25 V
-
150W(Tc)
150°C(TJ)
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220-3
STP28NM50N
MOSFET N-CH 500V 21A TO220AB
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥51.55000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
21A(Tc)
10V
158 毫欧 @ 10.5A,10V
4V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±25V
1735 pF @ 25 V
-
150W(Tc)
150°C(TJ)
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220F
AOTF29S50L
MOSFET N-CH 500V 29A TO220-3F
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
0
现货
查看交期
1,000 : ¥18.62923
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
29A(Tc)
10V
150 毫欧 @ 14.5A,10V
3.9V @ 250µA
26.6 nC @ 10 V
±30V
1312 pF @ 100 V
-
37.9W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220F
TO-220-3 整包
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。