单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Nexperia USA Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
AlphaSGT™PowerTrench®TrenchFET® Gen IIITrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
360mA（Ta）10A（Ta），16A（Tc）12A（Ta）12A（Tc）12.5A（Ta），50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10.2 毫欧 @ 12.5A，10V11 毫欧 @ 12A，10V19 毫欧 @ 9A，10V26.5 毫欧 @ 5A，10V1.6 欧姆 @ 350mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.6V @ 250µA2.2V @ 250µA2.6V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.7 nC @ 4.5 V15 nC @ 4.5 V35 nC @ 10 V42 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
56 pF @ 10 V1020 pF @ 15 V1500 pF @ 15 V1725 pF @ 50 V2265 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta），1.14W（Tc）3.1W（Ta）3.1W（Ta），127W（Tc）3.2W（Ta），24W（Tc）15.6W（Tc）
供应商器件封装
8-SOICPowerPAK® 1212-8PowerPAK® SC-70-6 单TO-236ABTO-252AA
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）PowerPAK® 1212-8PowerPAK® SC-70-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
BSS138BK,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
468,607
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.49276
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
360mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 350mA，10V
1.6V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
56 pF @ 10 V
-
350mW（Ta），1.14W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-252AA
FDD86110
MOSFET N-CH 100V 12.5A/50A DPAK
onsemi
5,794
现货
1 : ¥21.76000
剪切带（CT）
2,500 : ¥9.82292
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
12.5A（Ta），50A（Tc）
6V，10V
10.2 毫欧 @ 12.5A，10V
4V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
2265 pF @ 50 V
-
3.1W（Ta），127W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
PowerPak SC-70-6 Single
SIA469DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
172,448
现货
1 : ¥2.63000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.79020
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
12A（Tc）
4.5V，10V
26.5 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
15 nC @ 4.5 V
±20V
1020 pF @ 15 V
-
15.6W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6 单
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK 1212-8
SISA35DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 10A/16A PPAK
Vishay Siliconix
13,154
现货
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.11082
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
10A（Ta），16A（Tc）
4.5V，10V
19 毫欧 @ 9A，10V
2.2V @ 250µA
42 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 15 V
-
3.2W（Ta），24W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
9,731
现货
1 : ¥7.64000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.14654
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
12A（Ta）
4.5V，10V
11 毫欧 @ 12A，10V
2.6V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
1725 pF @ 50 V
-
3.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。