单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6A（Ta）16A（Tc）17.6A（Ta）17.6A（Ta），62A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.4 毫欧 @ 13.5A，10V4.6 毫欧 @ 13.5A，10V29 毫欧 @ 12A，10V43 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 250µA2.5V @ 250µA2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
21.2 nC @ 4.5 V36 nC @ 10 V86 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1260 pF @ 20 V1875 pF @ 20 V3690 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
900mW（Ta）15W（Tc）62.5W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
DFN2020MD-6POWERDI3333-8PowerPAK® 1212-8
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘8-PowerVDFNPowerPAK® 1212-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
6-DFN2020MD_View 2
BUK6D43-40PX
MOSFET P-CH 40V 6A DFN2020MD-6
Nexperia USA Inc.
20,879
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.34171
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
6A（Ta）
4.5V，10V
43 毫欧 @ 6A，10V
2.7V @ 250µA
36 nC @ 10 V
±20V
1260 pF @ 20 V
-
15W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
PowerPAK 1212-8
SQS401EN-T1_BE3
MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
102,430
现货
1 : ¥7.39000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.06280
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
16A（Tc）
4.5V，10V
29 毫欧 @ 12A，10V
2.5V @ 250µA
21.2 nC @ 4.5 V
±20V
1875 pF @ 20 V
-
62.5W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerDI3333-8
DMN3008SFG-7
MOSFET N-CH 30V 17.6A PWRDI3333
Diodes Incorporated
2,650
现货
1 : ¥5.50000
剪切带（CT）
2,000 : ¥2.08437
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
17.6A（Ta）
4.5V，10V
4.6 毫欧 @ 13.5A，10V
2.3V @ 250µA
86 nC @ 10 V
±20V
3690 pF @ 10 V
-
900mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
PowerDI3333-8
DMN3008SFGQ-7
MOSFET N-CH 30V PWRDI3333
Diodes Incorporated
0
现货
326,000
工厂
查看交期
2,000 : ¥2.79214
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
17.6A（Ta），62A（Tc）
4.5V，10V
4.4 毫欧 @ 13.5A，10V
2.3V @ 250µA
86 nC @ 10 V
±20V
3690 pF @ 10 V
-
900mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。