单 FET，MOSFET

结果 : 11
制造商
EPCTransphorm
系列
-eGaN®SuperGaN™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
40 V80 V100 V350 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6.3A（Ta）16A（Ta）29A（Ta）60A（Ta）90A（Ta）93A（Tc）101A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.8毫欧 @ 50A，5V2.2 毫欧 @ 29A，5V3.2 毫欧 @ 25A，5V3.6mOhm @ 15A，5V6 毫欧 @ 16A，5V7 毫欧 @ 16A，5V18 毫欧 @ 60A，10V180 毫欧 @ 6A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 13mA2.5V @ 14mA2.5V @ 1mA2.5V @ 4mA2.5V @ 5mA2.5V @ 7mA4.8V @ 2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4 nC @ 5 V6.5 nC @ 5 V7.4 nC @ 5 V8.5 nC @ 5 V13.6 nC @ 5 V16.3 nC @ 5 V17.8 nC @ 5 V19 nC @ 5 V23 nC @ 5 V100 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
628 pF @ 280 V685 pF @ 50 V851 pF @ 50 V1111 pF @ 20 V1570 pF @ 50 V1940 pF @ 40 V2703 pF @ 50 V3200 pF @ 50 V5218 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）
266W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
7-QFN（3x5）TO-247-3模具
封装/外壳
7-PowerWQFNTO-247-3模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
11结果
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/ 11
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
EPC2204
EPC2204
TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
EPC
2,638
现货
1 : ¥19.78000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.93236
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
29A（Ta）
5V
6 毫欧 @ 16A，5V
2.5V @ 4mA
7.4 nC @ 5 V
+6V，-4V
851 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
模具
模具
EPC2055
EPC2055
GANFET N-CH 40V 29A DIE
EPC
34,215
现货
1 : ¥20.03000
剪切带（CT）
2,500 : ¥9.04263
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
40 V
29A（Ta）
5V
3.6mOhm @ 15A，5V
2.5V @ 7mA
8.5 nC @ 5 V
+6V，-4V
1111 pF @ 20 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
模具
模具
EPC2204A
EPC2204A
TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101
EPC
25,338
现货
1 : ¥23.81000
剪切带（CT）
2,500 : ¥10.71885
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
80 V
29A（Ta）
5V
6 毫欧 @ 16A，5V
2.5V @ 4mA
7.4 nC @ 5 V
+6V，-4V
851 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
模具
模具
EPC2218A
EPC2218A
TRANS GAN 80V .0032OHM AECQ101
EPC
23,295
现货
1 : ¥30.29000
剪切带（CT）
1,000 : ¥20.11290
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
80 V
60A（Ta）
5V
3.2 毫欧 @ 25A，5V
2.5V @ 7mA
13.6 nC @ 5 V
+6V，-4V
1570 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC2045
GANFET N-CH 100V 16A DIE
EPC
34,800
现货
1 : ¥30.79000
剪切带（CT）
2,500 : ¥14.97434
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
16A（Ta）
5V
7 毫欧 @ 16A，5V
2.5V @ 5mA
6.5 nC @ 5 V
+6V，-4V
685 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
模具
模具
EPC2050
EPC2050
TRANS GAN BUMPED DIE
EPC
12,643
现货
1 : ¥33.66000
剪切带（CT）
2,500 : ¥22.37047
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
350 V
6.3A（Ta）
5V
180 毫欧 @ 6A，5V
2.5V @ 1mA
4 nC @ 5 V
+6V，-4V
628 pF @ 280 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
模具
模具
EPC2065
EPC2088
TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
EPC
2,113
现货
1 : ¥34.07000
剪切带（CT）
1,000 : ¥17.60692
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
-
100 V
60A（Ta）
5V
3.2 毫欧 @ 25A，5V
2.5V @ 7mA
17.8 nC @ 5 V
+6V，-4V
2703 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
模具
模具
EPC2218
EPC2218
GANFET N-CH 100V DIE
EPC
12,332
现货
1 : ¥49.34000
剪切带（CT）
1,000 : ¥27.98361
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
60A（Ta）
5V
3.2 毫欧 @ 25A，5V
2.5V @ 7mA
16.3 nC @ 5 V
+6V，-4V
2703 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
模具
模具
EPC2206
EPC2206
GANFET N-CH 80V 90A DIE
EPC
54,039
现货
1 : ¥53.20000
剪切带（CT）
500 : ¥32.10446
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
80 V
90A（Ta）
5V
2.2 毫欧 @ 29A，5V
2.5V @ 13mA
19 nC @ 5 V
+6V，-4V
1940 pF @ 40 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
模具
模具
EPC2302
EPC2302
TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
EPC
34,247
现货
1 : ¥54.26000
剪切带（CT）
3,000 : ¥36.28548
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
101A（Ta）
5V
1.8毫欧 @ 50A，5V
2.5V @ 14mA
23 nC @ 5 V
+6V，-4V
3200 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
7-QFN（3x5）
7-PowerWQFN
TP65H015G5WS
TP65H015G5WS
650 V 95 A GAN FET
Transphorm
669
现货
1 : ¥264.83000
管件
管件
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
650 V
93A（Tc）
10V
18 毫欧 @ 60A，10V
4.8V @ 2mA
100 nC @ 10 V
±20V
5218 pF @ 400 V
-
266W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
显示
/ 11

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。