274A（Tc） 单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesTexas Instruments
系列
NexFET™StrongIRFET™ 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
40 V100 V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.6 毫欧 @ 100A，10V1.7 毫欧 @ 100A，10V2.6 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 250µA3.8V @ 267µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
132 nC @ 10 V153 nC @ 10 V241 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
11000 pF @ 50 V11400 pF @ 15 V11400 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
250W（Ta）300W（Tc）
供应商器件封装
PG-TO263-7-14TO-263（DDPAK-3）
封装/外壳
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263ABTO-263-4，D2PAK（3 引线 + 凸片），TO-263AATO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
应用的筛选条件 删除全部
显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
DDPAK/TO-263-3
CSD18510KTT
MOSFET N-CH 40V 274A DDPAK
Texas Instruments
267
现货
1 : ¥18.88000
剪切带（CT）
500 : ¥9.64500
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
274A（Tc）
4.5V，10V
1.7 毫欧 @ 100A，10V
2.3V @ 250µA
153 nC @ 10 V
±20V
11400 pF @ 20 V
-
250W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（DDPAK-3）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
DDPAK/TO-263-3
CSD18510KTTT
MOSFET N-CH 40V 274A DDPAK
Texas Instruments
318
现货
1 : ¥22.33000
剪切带（CT）
50 : ¥17.96040
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
274A（Tc）
4.5V，10V
2.6 毫欧 @ 100A，10V
2.3V @ 250µA
132 nC @ 10 V
±20V
11400 pF @ 15 V
-
250W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（DDPAK-3）
TO-263-4，D2PAK（3 引线 + 凸片），TO-263AA
0
现货
查看交期
1 : ¥49.67000
剪切带（CT）
800 : ¥29.99110
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
274A（Tc）
6V，10V
1.6 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 267µA
241 nC @ 10 V
±20V
11000 pF @ 50 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-7-14
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
显示
/ 3

274A（Tc） 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。