260mA(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 30
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesMicro Commercial CoNexperia USA Inc.NXP USA Inc.onsemiTaiwan Semiconductor Corporation
系列
-SIPMOS®SIPMOS™TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)带盒(TB)散装
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
25 V50 V60 V240 V250 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,10V2.7V,4.5V2.8V,10V3.5V,10V4.5V,10V5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.5 欧姆 @ 240mA,10V2.5 欧姆 @ 260mA,10V2.5 欧姆 @ 300mA,10V3 欧姆 @ 115mA,10V4 欧姆 @ 400mA,4.5V4.2 欧姆 @ 190mA,10V4.5 欧姆 @ 500mA,10V5 欧姆 @ 40mA,10V5.5 欧姆 @ 500mA,10V6 欧姆 @ 200mA,10V6 欧姆 @ 260mA,10V12 欧姆 @ 260mA,10V14 欧姆 @ 200mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.1V @ 250µA1.5V @ 250µA1.6V @ 250µA1.8V @ 108µA1.8V @ 1mA2V @ 130µA2V @ 250µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA2.6V @ 250µA3.3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.36 nC @ 4.5 V0.6 nC @ 10 V0.81 nC @ 5 V0.85 nC @ 10 V1.04 nC @ 10 V1.22 nC @ 10 V1.6 nC @ 10 V2 nC @ 10 V2.8 nC @ 10 V5.4 nC @ 10 V5.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
8V±15V±20V±30V±40V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
15 pF @ 30 V21 pF @ 30 V25 pF @ 25 V26.7 pF @ 25 V27.9 pF @ 10 V32 pF @ 25 V32 pF @ 30 V40 pF @ 10 V40 pF @ 25 V41 pF @ 30 V42 pF @ 10 V81 pF @ 25 V97 pF @ 25 V104 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
200mW270mW300mW(Ta)300mW(Tj)320mW(Ta)357mW(Ta)360mW(Ta),2.3W(Tc)430mW(Ta)560mW(Tc)600mW(Ta)750mW(Ta)1W(Ta)1.8W(Ta)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
DFN0606-3DFN1006-3E-Line(TO-92 兼容)PG-SOT223-4PG-SOT223-4-21PG-SOT89PG-SOT89-4-2SC-70SOT-23SOT-23-3SOT-23-3(TO-236)SOT-523TO-92U-DFN2020-6(E 类)
封装/外壳
3-UFDFN3-XFDFN4-XDFN 裸露焊盘6-PowerUDFNE-Line-3SC-101,SOT-883SC-70,SOT-323SOT-523TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-243AATO-261-4,TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
30结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 30
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
481,815
现货
1 : ¥1.89000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.32432
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
260mA(Ta)
4.5V,10V
2.5 欧姆 @ 240mA,10V
2.5V @ 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
26.7 pF @ 25 V
-
300mW(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 23-3
NTR5103NT1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
25,713
现货
1 : ¥1.97000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.32799
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
260mA(Ta)
4.5V,10V
2.5 欧姆 @ 240mA,10V
2.6V @ 250µA
0.81 nC @ 5 V
±30V
40 pF @ 25 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
ESDLC5V0LTB-TP
2N7002KL3A-TP
N-CHANNEL MOSFET,DFN1006-3
Micro Commercial Co
18,320
现货
1 : ¥1.40000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.13989
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
260mA(Ta)
4.5V,10V
2.5 欧姆 @ 300mA,10V
2.5V @ 250µA
1.22 nC @ 10 V
±20V
21 pF @ 30 V
-
200mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN1006-3
SC-101,SOT-883
SOT 23-3
2N7002ET7G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
26,126
现货
45,500
工厂
1 : ¥1.72000
剪切带(CT)
3,500 : ¥0.28402
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
260mA(Ta)
4.5V,10V
2.5 欧姆 @ 240mA,10V
2.5V @ 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
40 pF @ 25 V
-
300mW(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
X2-DFN1006-3
DMN65D8LFB-7B
MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
Diodes Incorporated
613,157
现货
360,000
工厂
1 : ¥1.89000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.20523
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
260mA(Ta)
5V,10V
3 欧姆 @ 115mA,10V
2V @ 250µA
-
±20V
25 pF @ 25 V
-
430mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
X1-DFN1006-3
3-UFDFN
NX138AKHH
NX138AKHH
NX138AKH/SOT8001/DFN0606-3
Nexperia USA Inc.
30,434
现货
1 : ¥2.22000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.28191
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
260mA(Ta)
2.5V,10V
4.2 欧姆 @ 190mA,10V
1.5V @ 250µA
0.6 nC @ 10 V
±20V
15 pF @ 30 V
-
360mW(Ta),2.3W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN0606-3
3-XFDFN
X2-DFN1006-3
DMN65D8LFB-7
MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
Diodes Incorporated
22,758
现货
1,461,000
工厂
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.45261
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
260mA(Ta)
5V,10V
3 欧姆 @ 115mA,10V
2V @ 250µA
-
±20V
25 pF @ 25 V
-
430mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
X1-DFN1006-3
3-UFDFN
SOT-23-3
BSS138 RFG
50V, 0.26A, SINGLE N-CHANNEL POW
Taiwan Semiconductor Corporation
55,145
现货
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.52304
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
260mA(Ta)
4.5V,10V
2.5 欧姆 @ 260mA,10V
1.6V @ 250µA
2 nC @ 10 V
±20V
32 pF @ 25 V
-
357mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMG301NU-13
MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23
Diodes Incorporated
88,782
现货
280,000
工厂
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.88540
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
260mA(Ta)
2.7V,4.5V
4 欧姆 @ 400mA,4.5V
1.1V @ 250µA
0.36 nC @ 4.5 V
8V
27.9 pF @ 10 V
-
320mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-89 Pkg
BSS87H6327FTSA1
MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89-4
Infineon Technologies
18,745
现货
1 : ¥4.35000
剪切带(CT)
1,000 : ¥1.62800
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
240 V
260mA(Ta)
4.5V,10V
6 欧姆 @ 260mA,10V
1.8V @ 108µA
5.5 nC @ 10 V
±20V
97 pF @ 25 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT89-4-2
TO-243AA
TO-92
ZVN4424A
MOSFET N-CH 240V 260MA TO92-3
Diodes Incorporated
136
现货
52,000
工厂
1 : ¥9.19000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
240 V
260mA(Ta)
2.5V,10V
5.5 欧姆 @ 500mA,10V
1.8V @ 1mA
-
±40V
200 pF @ 25 V
-
750mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-92
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
U-DFN2020-6 Type E
DMP25H18DLFDE-7
MOSFET P-CH 250V 260MA 6UDFN
Diodes Incorporated
14,513
现货
87,000
工厂
1 : ¥11.49000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.75349
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
260mA(Ta)
3.5V,10V
14 欧姆 @ 200mA,10V
2.5V @ 1mA
2.8 nC @ 10 V
±40V
81 pF @ 25 V
-
600mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
U-DFN2020-6(E 类)
6-PowerUDFN
SOT-23-3
DMG301NU-7
MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23
Diodes Incorporated
12,119
现货
906,000
工厂
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.98879
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
260mA(Ta)
2.7V,4.5V
4 欧姆 @ 400mA,4.5V
1.1V @ 250µA
0.36 nC @ 4.5 V
8V
42 pF @ 10 V
-
320mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
ZVN4424ASTZ
MOSFET N-CH 240V 260MA E-LINE
Diodes Incorporated
437
现货
1 : ¥9.19000
剪切带(CT)
2,000 : ¥3.81526
带盒(TB)
-
剪切带(CT)
带盒(TB)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
240 V
260mA(Ta)
2.5V,10V
5.5 欧姆 @ 500mA,10V
1.8V @ 1mA
-
±40V
200 pF @ 25 V
-
750mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
E-Line(TO-92 兼容)
E-Line-3
SOT-70, SOT-323
PMF3800SN,115
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT323-3
NXP USA Inc.
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
260mA(Ta)
4.5V,10V
4.5 欧姆 @ 500mA,10V
3.3V @ 1mA
0.85 nC @ 10 V
±15V
40 pF @ 10 V
-
560mW(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-70
SC-70,SOT-323
SOT-223-4
BSP92PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 250V 260MA SOT223-4
Infineon Technologies
559
现货
1 : ¥5.42000
剪切带(CT)
1,000 : ¥2.03575
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
260mA(Ta)
2.8V,10V
12 欧姆 @ 260mA,10V
2V @ 130µA
5.4 nC @ 10 V
±20V
104 pF @ 25 V
-
1.8W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT223-4
TO-261-4,TO-261AA
SOT 523
BSS84KT-TP
P-CHANNEL MOSFET,SOT-523
Micro Commercial Co
0
现货
查看交期
1 : ¥2.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.38847
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
260mA(Ta)
4.5V,10V
6 欧姆 @ 200mA,10V
2V @ 250µA
1.6 nC @ 10 V
±20V
32 pF @ 30 V
-
270mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
SOT 23-3
S2N7002ET1G
SMALL SIGNAL MOSFET 60V 310MA 2.
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥2.89000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.50352
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
260mA(Ta)
4.5V,10V
2.5 欧姆 @ 240mA,10V
2.5V @ 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
40 pF @ 25 V
-
300mW(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
X2-DFN1010-4 (Type B)
DMN65D7LFR4-7
MOSFET BVDSS: 41V~60V X2-DFN1010
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
5,000 : ¥0.91413
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
260mA(Ta)
4.5V,10V
5 欧姆 @ 40mA,10V
2.5V @ 250µA
1.04 nC @ 10 V
±20V
41 pF @ 30 V
-
600mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
X2-DFN1010-4(B 类)
4-XDFN 裸露焊盘
SOT-89 Pkg
BSS87H6327XTSA1
MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89-4
Infineon Technologies
0
现货
1,000 : ¥1.34075
卷带(TR)
卷带(TR)
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
240 V
260mA(Ta)
4.5V,10V
6 欧姆 @ 260mA,10V
1.8V @ 108µA
5.5 nC @ 10 V
±20V
97 pF @ 25 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT89-4-2
TO-243AA
SOT-223-4
BSP92P E6327
MOSFET P-CH 250V 260MA SOT223-4
Infineon Technologies
0
现货
1,000 : ¥2.05078
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
260mA(Ta)
2.8V,10V
12 欧姆 @ 260mA,10V
2V @ 130µA
5.4 nC @ 10 V
±20V
104 pF @ 25 V
-
1.8W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT223-4
TO-261-4,TO-261AA
SOT-89 Pkg
BSS87 E6433
MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89
Infineon Technologies
0
现货
4,000 : ¥2.30161
卷带(TR)
卷带(TR)
Digi-Key 停止提供
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
240 V
260mA(Ta)
4.5V,10V
6 欧姆 @ 260mA,10V
1.8V @ 108µA
5.5 nC @ 10 V
±20V
97 pF @ 25 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT89
TO-243AA
SOT-89 Pkg
BSS87E6327T
MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89-4
Infineon Technologies
0
现货
1,000 : ¥2.48875
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
240 V
260mA(Ta)
4.5V,10V
6 欧姆 @ 260mA,10V
1.8V @ 108µA
5.5 nC @ 10 V
±20V
97 pF @ 25 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT89-4-2
TO-243AA
SOT-89 Pkg
BSS87E6327
MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89-4
Infineon Technologies
0
现货
1,000 : ¥2.58430
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
240 V
260mA(Ta)
4.5V,10V
6 欧姆 @ 260mA,10V
1.8V @ 108µA
5.5 nC @ 10 V
±20V
97 pF @ 25 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT89-4-2
TO-243AA
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
ZVN4424ASTOA
MOSFET N-CH 240V 260MA E-LINE
Diodes Incorporated
0
现货
2,000 : ¥3.18030
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
240 V
260mA(Ta)
2.5V,10V
5.5 欧姆 @ 500mA,10V
1.8V @ 1mA
-
±40V
200 pF @ 25 V
-
750mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
E-Line(TO-92 兼容)
E-Line-3
显示
/ 30

260mA(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。