210A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 18
制造商
Infineon TechnologiesIXYSLittelfuse Inc.onsemiTaiwan Semiconductor CorporationVishay Siliconix
系列
-CoolSiC™GigaMOS™HEXFET®HiPerFET™, PolarHiPerFET™, Polar3™HiPerFET™, Ultra X3PowerTrench®TrenchFET® Gen IVTrenchP™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
30 V40 V60 V75 V80 V100 V170 V200 V300 V650 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
7V,10V10V15V,20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.8 毫欧 @ 76A,10V2.8 毫欧 @ 80A,10V3.1 毫欧 @ 90A,10V3.6 毫欧 @ 130A,10V4.6 毫欧 @ 105A,10V5 毫欧 @ 15A,10V5.5 毫欧 @ 105A,10V6.1 毫欧 @ 146.3A,20V7.5 毫欧 @ 105A,10V7.5 毫欧 @ 60A,10V10.5 毫欧 @ 105A,10V14.5 毫欧 @ 105A,10V-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 250µA4V @ 250µA4.5V @ 250µA4.5V @ 8mA5V @ 4mA5V @ 8mA5.6V @ 29.7mA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
96 nC @ 10 V111 nC @ 10 V160 nC @ 10 V179 nC @ 18 V200 nC @ 10 V209 nC @ 10 V255 nC @ 10 V268 nC @ 10 V285 nC @ 10 V375 nC @ 10 V740 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±15V±20V+23V,-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
5392 pF @ 25 V5890 pF @ 25 V6359 pF @ 400 V7900 pF @ 30 V8250 pF @ 25 V8755 pF @ 50 V16200 pF @ 25 V18600 pF @ 25 V18800 pF @ 25 V24200 pF @ 25 V69500 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
3.5W(Ta),300W(Tc)3.8W(Ta),230W(Tc)250W(Tc)330W(Tc)395W(Tc)462W(Tc)625W(Tc)695W(Tc)830W(Tc)1040W(Tc)1150W(Tc)1250W(Tc)1500W(Tc)1890W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-HPSOFPG-TO247-4-U02PLUS247™-3PLUS264™PowerPAK® SO-8SOT-227BTO-220TO-220ABTO-247-3TO-247ACTO-264TO-264AA(IXFK)
封装/外壳
8-PowerSFNPowerPAK® SO-8SOT-227-4,miniBLOCTO-220-3TO-247-3TO-247-3 变式TO-247-4TO-264-3,TO-264AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
18结果
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/ 18
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-264
IXFK210N30X3
MOSFET N-CH 300V 210A TO264
Littelfuse Inc.
118
现货
1 : ¥271.66000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
300 V
210A(Tc)
10V
5.5 毫欧 @ 105A,10V
4.5V @ 8mA
375 nC @ 10 V
±20V
24200 pF @ 25 V
-
1250W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-264
TO-264-3,TO-264AA
TO-220AB PKG
IRF3703PBF
MOSFET N-CH 30V 210A TO220AB
Infineon Technologies
2,059
现货
1 : ¥27.42000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
210A(Tc)
7V,10V
2.8 毫欧 @ 76A,10V
4V @ 250µA
209 nC @ 10 V
±20V
8250 pF @ 25 V
-
3.8W(Ta),230W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
8-PowerDFN
FDBL0240N100
MOSFET N-CH 100V 210A 8HPSOF
onsemi
19,609
现货
8,000
工厂
1 : ¥49.26000
剪切带(CT)
2,000 : ¥23.99578
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
210A(Tc)
10V
2.8 毫欧 @ 80A,10V
4V @ 250µA
111 nC @ 10 V
±20V
8755 pF @ 50 V
-
3.5W(Ta),300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-HPSOF
8-PowerSFN
TO-247 Plus X
IXTX210P10T
MOSFET P-CH 100V 210A PLUS247-3
Littelfuse Inc.
212
现货
1 : ¥247.12000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
210A(Tc)
10V
7.5 毫欧 @ 105A,10V
4.5V @ 250µA
740 nC @ 10 V
±15V
69500 pF @ 25 V
-
1040W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PLUS247™-3
TO-247-3 变式
TO-220AB PKG
IRF2204PBF
MOSFET N-CH 40V 210A TO220AB
Infineon Technologies
1,767
现货
1 : ¥19.62000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
210A(Tc)
10V
3.6 毫欧 @ 130A,10V
4V @ 250µA
200 nC @ 10 V
±20V
5890 pF @ 25 V
-
330W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-247-3 AC EP
IRFP3703PBF
MOSFET N-CH 30V 210A TO247AC
Infineon Technologies
2,709
现货
1 : ¥29.31000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
210A(Tc)
7V,10V
2.8 毫欧 @ 76A,10V
4V @ 250µA
209 nC @ 10 V
±20V
8250 pF @ 25 V
-
3.8W(Ta),230W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
ISOPLUS247
IXFX210N30X3
MOSFET N-CH 300V 210A PLUS247-3
Littelfuse Inc.
281
现货
1 : ¥271.17000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
300 V
210A(Tc)
10V
5.5 毫欧 @ 105A,10V
4.5V @ 8mA
375 nC @ 10 V
±20V
24200 pF @ 25 V
-
1250W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PLUS247™-3
TO-247-3 变式
TO-247-3 AD EP
FDH210N08
MOSFET N-CH 75V TO247-3
onsemi
450
现货
1 : ¥36.12000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
75 V
210A(Tc)
10V
-
-
-
±20V
-
-
462W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-264
IXFB210N30P3
MOSFET N-CH 300V 210A PLUS264
Littelfuse Inc.
191
现货
1 : ¥250.89000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
300 V
210A(Tc)
10V
14.5 毫欧 @ 105A,10V
5V @ 8mA
268 nC @ 10 V
±20V
16200 pF @ 25 V
-
1890W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PLUS264™
TO-264-3,TO-264AA
IXYK1x0xNxxxx
IXFN210N30X3
MOSFET N-CH 300V 210A SOT227B
Littelfuse Inc.
30
现货
1 : ¥380.77000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
300 V
210A(Tc)
10V
4.6 毫欧 @ 105A,10V
4.5V @ 8mA
375 nC @ 10 V
±20V
24200 pF @ 25 V
-
695W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227B
SOT-227-4,miniBLOC
TO-264
IXFB210N20P
MOSFET N-CH 200V 210A PLUS264
Littelfuse Inc.
23
现货
1 : ¥281.85000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
210A(Tc)
10V
10.5 毫欧 @ 105A,10V
4.5V @ 8mA
255 nC @ 10 V
±20V
18600 pF @ 25 V
-
1500W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PLUS264™
TO-264-3,TO-264AA
IXYK1x0xNxxxx
IXTN210P10T
MOSFET P-CH 100V 210A SOT227B
Littelfuse Inc.
1
现货
1 : ¥412.63000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
210A(Tc)
10V
7.5 毫欧 @ 105A,10V
4.5V @ 250µA
740 nC @ 10 V
±15V
69500 pF @ 25 V
-
830W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227B
SOT-227-4,miniBLOC
PowerPAK SO-8L_Top
SQJ182EP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥12.48000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.62885
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
210A(Tc)
10V
5 毫欧 @ 15A,10V
3.5V @ 250µA
96 nC @ 10 V
±20V
5392 pF @ 25 V
-
395W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
0
现货
查看交期
1 : ¥356.78000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
210A(Tc)
15V,20V
6.1 毫欧 @ 146.3A,20V
5.6V @ 29.7mA
179 nC @ 18 V
+23V,-7V
6359 pF @ 400 V
-
625W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-4-U02
TO-247-4
TO-247-3 AC EP
IRFP3703
MOSFET N-CH 30V 210A TO247AC
Infineon Technologies
0
现货
25 : ¥57.09480
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
210A(Tc)
7V,10V
2.8 毫欧 @ 76A,10V
4V @ 250µA
209 nC @ 10 V
±20V
8250 pF @ 25 V
-
3.8W(Ta),230W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-264
IXFK210N17T
MOSFET N-CH 170V 210A TO264AA
IXYS
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
170 V
210A(Tc)
10V
7.5 毫欧 @ 60A,10V
5V @ 4mA
285 nC @ 10 V
±20V
18800 pF @ 25 V
-
1150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-264AA(IXFK)
TO-264-3,TO-264AA
TO-247 Plus X
IXFX210N17T
MOSFET N-CH 170V 210A PLUS247-3
IXYS
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
170 V
210A(Tc)
10V
7.5 毫欧 @ 60A,10V
5V @ 4mA
285 nC @ 10 V
±20V
18800 pF @ 25 V
-
1150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PLUS247™-3
TO-247-3 变式
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
210A(Tc)
10V
3.1 毫欧 @ 90A,10V
4V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
7900 pF @ 30 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
显示
/ 18

210A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。