通孔 N 通道 650 V 210A(Tc) 625W(Tc) PG-TO247-4-U02
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IMZA65R007M2HXKSA1

DigiKey 零件编号
448-IMZA65R007M2HXKSA1-ND
制造商
制造商产品编号
IMZA65R007M2HXKSA1
描述
SILICON CARBIDE MOSFET
原厂标准交货期
61 周
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 650 V 210A(Tc) 625W(Tc) PG-TO247-4-U02
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
IMZA65R007M2HXKSA1 型号
产品属性
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显示空属性
类别
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
6.1 毫欧 @ 146.3A,20V
制造商
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5.6V @ 29.7mA
系列
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
179 nC @ 18 V
包装
管件
Vgs(最大值)
+23V,-7V
零件状态
在售
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
6359 pF @ 400 V
FET 类型
功率耗散(最大值)
625W(Tc)
技术
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
漏源电压(Vdss)
650 V
安装类型
通孔
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
供应商器件封装
PG-TO247-4-U02
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
15V,20V
封装/外壳
环境与出口分类
产品问答
其他资源
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管件
数量 单价
(含 13% 增值税)
总价
(含 13% 增值税)
1¥259.18000¥259.18
30¥168.43500¥5,053.05
120¥151.59175¥18,191.01
制造商标准包装
注意:由于 DigiKey 的增值服务,当产品采购数量低于标准包装时,包装类型可能有变。