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IMZA65R007M2HXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 448-IMZA65R007M2HXKSA1-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | IMZA65R007M2HXKSA1 |
描述 | SILICON CARBIDE MOSFET |
原厂标准交货期 | 61 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 650 V 210A(Tc) 625W(Tc) PG-TO247-4-U02 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | IMZA65R007M2HXKSA1 型号 |
产品属性
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显示空属性
类别 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 6.1 毫欧 @ 146.3A,20V |
制造商 | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5.6V @ 29.7mA |
系列 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 179 nC @ 18 V |
包装 管件 | Vgs(最大值) +23V,-7V |
零件状态 在售 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 6359 pF @ 400 V |
FET 类型 | 功率耗散(最大值) 625W(Tc) |
技术 | 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) |
漏源电压(Vdss) 650 V | 安装类型 通孔 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 供应商器件封装 PG-TO247-4-U02 |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 15V,20V | 封装/外壳 |
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| 1 | ¥259.18000 | ¥259.18 |
| 30 | ¥168.43500 | ¥5,053.05 |
| 120 | ¥151.59175 | ¥18,191.01 |
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