20-PowerSOIC(0.433",11.00mm 宽) 单 FET,MOSFET

结果 : 9
系列
-CoolGaN™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
产品状态
Digi-Key 停止提供停产在售
FET 类型
-N 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
31A(Tc)-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1,6V @ 2,6mA-
Vgs(最大值)
-10V-
功率耗散(最大值)
125W(Tc)-
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-
供应商器件封装
PG-DSO-20-85PG-DSO-20-87
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
1,000
现货
1 : ¥101.55000
剪切带(CT)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道GaNFET(氮化镓)600 V31A(Tc)--1,6V @ 2,6mA-10V380 pF @ 400 V-125W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型PG-DSO-20-8720-PowerSOIC(0.433",11.00mm 宽)
800
现货
1 : ¥101.55000
剪切带(CT)
800 : ¥70.14456
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道GaNFET(氮化镓)600 V31A(Tc)--1,6V @ 2,6mA-10V380 pF @ 400 V-125W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型PG-DSO-20-8520-PowerSOIC(0.433",11.00mm 宽)
DSO-20-85
IGO60R070D1AUMA1
GANFET N-CH 600V 31A 20DSO
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产N 通道GaNFET(氮化镓)600 V31A(Tc)--1,6V @ 2,6mA-10V380 pF @ 400 V-125W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型PG-DSO-20-8520-PowerSOIC(0.433",11.00mm 宽)
0
现货
查看交期
800 : ¥114.13281
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售N 通道GaNFET(氮化镓)600 V---------表面贴装型PG-DSO-20-8720-PowerSOIC(0.433",11.00mm 宽)
0
现货
查看交期
800 : ¥114.13281
卷带(TR)
卷带(TR)
在售-GaNFET(氮化镓)600 V---------表面贴装型PG-DSO-20-8520-PowerSOIC(0.433",11.00mm 宽)
DSO-20-87
IGOT60R070D1AUMA1
GANFET N-CH 600V 31A 20DSO
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产N 通道GaNFET(氮化镓)600 V31A(Tc)--1,6V @ 2,6mA-10V380 pF @ 400 V-125W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型PG-DSO-20-8720-PowerSOIC(0.433",11.00mm 宽)
0
现货
停产
散装
停产N 通道GaNFET(氮化镓)600 V31A(Tc)--1,6V @ 2,6mA-10V380 pF @ 400 V-125W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型PG-DSO-20-8720-PowerSOIC(0.433",11.00mm 宽)
0
现货
停产
散装
停产N 通道GaNFET(氮化镓)600 V31A(Tc)--1,6V @ 2,6mA-10V380 pF @ 400 V-125W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型PG-DSO-20-8520-PowerSOIC(0.433",11.00mm 宽)
0
现货
Digi-Key 停止提供
卷带(TR)
Digi-Key 停止提供N 通道GaNFET(氮化镓)600 V31A(Tc)--1,6V @ 2,6mA-10V380 pF @ 400 V-125W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型PG-DSO-20-8720-PowerSOIC(0.433",11.00mm 宽)
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20-PowerSOIC(0.433",11.00mm 宽) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。