16A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 264
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Goford SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSMicro Commercial CoMicrochip TechnologyMicrosemi CorporationNexperia USA Inc.NXP USA Inc.onsemiRenesas Electronics CorporationRohm SemiconductorSMC Diode Solutions
系列
-CoolMOS®CoolMOS™CoolMOS™ C7CoolMOS™ CFD7CoolMOS™ CPCoolMOS™ G7CoolMOS™ PFD7CoolMOS™PFD7DepletionEFHEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss)
8 V12 V20 V25 V30 V40 V50 V55 V60 V75 V80 V100 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V1.2V,4.5V1.5V,4.5V1.8V,4.5V2.5V,10V2.5V,4.5V4V,5V4.5V,10V5V5V,10V6V6V,10V8V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3 毫欧 @ 8A,4.5V8 毫欧 @ 10A,10V8.5 毫欧 @ 16.4A,10V8.8 毫欧 @ 10A,10V9 毫欧 @ 10A,10V9 毫欧 @ 16.4A,10V9.4 毫欧 @ 16A,10V9.5 毫欧 @ 10A,10V10 毫欧 @ 10A,10V10.5 毫欧 @ 10A,10V10.8 毫欧 @ 12A,10V11 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
500mV @ 250µA(最小)800mV @ 250µA850mV @ 250µA1V @ 250µA1V @ 250µA(最小)1.3V @ 250µA1.4V @ 250µA1.5V @ 100µA1.5V @ 250µA1.6V @ 250µA1.9V @ 250µA2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
4.9 nC @ 10 V6.2 nC @ 4.5 V8 nC @ 10 V8.5 nC @ 10 V9.3 nC @ 4.5 V9.8 nC @ 10 V9.9 nC @ 5 V10 nC @ 10 V10 nC @ 4.5 V10 nC @ 5 V12 nC @ 10 V13 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±5V±8V+10V,-8V±10V±12V±15V±16V±18V+20V,-12V+20V,-16V+20V,-5V±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
210 pF @ 30 V315 pF @ 25 V345 pF @ 25 V370 pF @ 30 V380 pF @ 25 V400 pF @ 15 V400 pF @ 400 V513 pF @ 1000 V570 pF @ 25 V598 pF @ 400 V600 pF @ 25 V630 pF @ 25 V
FET 功能
-耗尽模式肖特基二极管(体)
功率耗散(最大值)
1W(Ta),30W(Tc)1.25W(Ta),27.3W(Tc)1.56W(Ta),40W(Tc)2W(Ta),50W(Tc)2.23W(Ta),40W(Tc)2.5W(Ta),4.45W(Tc)2.5W(Ta),5.7W(Tc)2.5W(Tc)2.77W(Ta),13W(Tc)3W(Tc)3.1W(Ta),17.8W(Tc)3.1W(Ta),5.4W(Tc)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)175°C175°C(TJ)-
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
3-PQFN(8x8)4-PQFN(8x8)4-TDFN(8x8)6-DFN(2x2)6-Micro Foot™(1.5x1)8-DFN(3.15x3.05)8-HSON(5x5.4)8-PPAK(3.05x3.08)8-PQFN(5x6)8-SOIC8-SOP-
封装/外壳
3-PowerDFN4-PowerDFN4-PowerTSFN6-UDFN 裸露焊盘6-UFBGA6-WDFN 裸露焊盘8-PowerBSFN8-PowerLDFN8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)10-PowerSOP 模块
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
264结果
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/ 264
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK 1212-8
SQS401EN-T1_BE3
MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
103,157
现货
1 : ¥7.32000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.03295
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)40 V16A(Tc)4.5V,10V29 毫欧 @ 12A,10V2.5V @ 250µA21.2 nC @ 4.5 V±20V1875 pF @ 20 V-62.5W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型PowerPAK® 1212-8PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SQS484ENW-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
33,960
现货
1 : ¥7.32000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.78013
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)40 V16A(Tc)4.5V,10V8 毫欧 @ 10A,10V2.5V @ 250µA35 nC @ 10 V±20V1800 pF @ 25 V-62.5W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型PowerPAK® 1212-8PowerPAK® 1212-8
PowerPAK-1212-8W_Top
SQ7415CENW-T1_GE3
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60-V (D-S)
Vishay Siliconix
6,458
现货
1 : ¥7.64000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.89363
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)60 V16A(Tc)4.5V,10V65 毫欧 @ 5.7A,10V2.5V @ 250µA38 nC @ 10 V±20V1385 pF @ 25 V-53W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型PowerPAK® 1212-8WPowerPAK® 1212-8W
TO-252AA
RFD16N05LSM9A
MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA
onsemi
12,457
现货
1 : ¥8.62000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.55190
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)50 V16A(Tc)4V,5V47 毫欧 @ 16A,5V2V @ 250mA80 nC @ 10 V±10V--60W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-252AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IRFR3910TRPBF
MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
Infineon Technologies
20,234
现货
1 : ¥8.78000
剪切带(CT)
2,000 : ¥3.61803
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V16A(Tc)10V115 毫欧 @ 10A,10V4V @ 250µA44 nC @ 10 V±20V640 pF @ 25 V-79W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型TO-252AA (DPAK)TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PowerPAK 1212-8
SI7716ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
5,047
现货
1 : ¥9.59000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.97219
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V16A(Tc)4.5V,10V13.5 毫欧 @ 10A,10V2.5V @ 250µA23 nC @ 10 V±20V846 pF @ 15 V-3.5W(Ta),27.7W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PowerPAK® 1212-8PowerPAK® 1212-8
TO-252AA
RFD16N05SM9A
MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA
onsemi
2,490
现货
1 : ¥10.16000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.19188
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)50 V16A(Tc)10V47 毫欧 @ 16A,10V4V @ 250µA80 nC @ 20 V±20V900 pF @ 25 V-72W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型TO-252AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PowerPAK 1212-8
SI7812DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
53,877
现货
1 : ¥16.26000
剪切带(CT)
3,000 : ¥7.31694
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)75 V16A(Tc)4.5V,10V37 毫欧 @ 7.2A,10V3V @ 250µA24 nC @ 10 V±20V840 pF @ 35 V-3.8W(Ta),52W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PowerPAK® 1212-8PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SI7812DN-T1-E3
MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
5,668
现货
1 : ¥16.26000
剪切带(CT)
3,000 : ¥7.31694
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)75 V16A(Tc)4.5V,10V37 毫欧 @ 7.2A,10V3V @ 250µA24 nC @ 10 V±20V840 pF @ 35 V-3.8W(Ta),52W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PowerPAK® 1212-8PowerPAK® 1212-8
MFG_DPAK(TO252-3)
STD18N55M5
MOSFET N-CH 550V 16A DPAK
STMicroelectronics
1,209
现货
1 : ¥24.06000
剪切带(CT)
2,500 : ¥11.72788
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)550 V16A(Tc)10V192 毫欧 @ 8A,10V5V @ 250µA31 nC @ 10 V±25V1260 pF @ 100 V-110W(Tc)150°C(TJ)--表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-247-3 AC EP
IRFP350PBF
MOSFET N-CH 400V 16A TO247-3
Vishay Siliconix
1,105
现货
1 : ¥29.84000
管件
-
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)400 V16A(Tc)10V300 毫欧 @ 9.6A,10V4V @ 250µA150 nC @ 10 V±20V2600 pF @ 25 V-190W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--通孔TO-247ACTO-247-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB60R199CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 16A TO263-3
Infineon Technologies
5,248
现货
1 : ¥32.82000
剪切带(CT)
1,000 : ¥16.96701
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V16A(Tc)10V199 毫欧 @ 9.9A,10V3.5V @ 660µA43 nC @ 10 V±20V1520 pF @ 100 V-139W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PG-TO263-3-2TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220AB
IRFB17N50LPBF
MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
Vishay Siliconix
1,357
现货
1 : ¥46.99000
管件
-
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V16A(Tc)10V320 毫欧 @ 9.9A,10V5V @ 250µA130 nC @ 10 V±30V2760 pF @ 25 V-220W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--通孔TO-220ABTO-220-3
TO-247_IXFH
IXFH16N120P
MOSFET N-CH 1200V 16A TO247AD
IXYS
662
现货
1 : ¥166.34000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)1200 V16A(Tc)10V950 毫欧 @ 8A,10V6.5V @ 1mA120 nC @ 10 V±30V6900 pF @ 25 V-660W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--通孔TO-247AD(IXFH)TO-247-3
PowerPAK 1212-8
SISA96DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
12,421
现货
1 : ¥3.41000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.16270
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V16A(Tc)4.5V,10V8.8 毫欧 @ 10A,10V2.2V @ 250µA15 nC @ 4.5 V+20V,-16V1385 pF @ 15 V-26.5W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PowerPAK® 1212-8PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SIS438DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Vishay Siliconix
59,630
现货
1 : ¥4.63000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.18489
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)20 V16A(Tc)4.5V,10V9.5 毫欧 @ 10A,10V2.3V @ 250µA23 nC @ 10 V±20V880 pF @ 10 V-3.5W(Ta),27.7W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PowerPAK® 1212-8PowerPAK® 1212-8
6-MICRO FOOT Si8499DB
SI8499DB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V 16A 6MICRO FOOT
Vishay Siliconix
8,380
现货
1 : ¥5.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.80461
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V16A(Tc)1.8V,4.5V32 毫欧 @ 1.5A,4.5V1.3V @ 250µA30 nC @ 5 V±12V1300 pF @ 10 V-2.77W(Ta),13W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型6-Micro Foot™(1.5x1)6-UFBGA
PowerPAK 1212-8W Bottom View
SQS411ENW-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Vishay Siliconix
1,558
现货
1 : ¥7.40000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.80352
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)40 V16A(Tc)4.5V,10V27.3 毫欧 @ 8A,10V2.5V @ 250µA50 nC @ 10 V±20V3191 pF @ 25 V-39.5W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型PowerPAK® 1212-8WPowerPAK® 1212-8W
PowerPak® SO-8
SQJ481EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 80V 16A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
2,967
现货
1 : ¥7.80000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.23917
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)80 V16A(Tc)4.5V,10V80 毫欧 @ 10A,10V2.5V @ 250µA50 nC @ 10 V±20V2000 pF @ 25 V-45W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型PowerPAK® SO-8PowerPAK® SO-8
MFG_DPAK(TO252-3)
STD16NF06T4
MOSFET N-CH 60V 16A DPAK
STMicroelectronics
37,421
现货
1 : ¥8.78000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.62474
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V16A(Tc)10V70 毫欧 @ 8A,10V2V @ 250µA14.1 nC @ 10 V±20V400 pF @ 15 V-40W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PowerPAK 1212-8
SI7121DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
13,070
现货
1 : ¥10.32000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.25912
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V16A(Tc)4.5V,10V18 毫欧 @ 10A,10V3V @ 250µA65 nC @ 10 V±25V1960 pF @ 15 V-3.7W(Ta),52W(Tc)-50°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PowerPAK® 1212-8PowerPAK® 1212-8
TO-220-3
STP16NF06
MOSFET N-CH 60V 16A TO220AB
STMicroelectronics
2,697
现货
1 : ¥10.57000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V16A(Tc)10V100 毫欧 @ 8A,10V4V @ 250µA13 nC @ 10 V±20V315 pF @ 25 V-45W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--通孔TO-220TO-220-3
D²PAK
STB16NF06LT4
MOSFET N-CH 60V 16A D2PAK
STMicroelectronics
1,151
现货
1 : ¥13.17000
剪切带(CT)
1,000 : ¥5.79471
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V16A(Tc)5V,10V90 毫欧 @ 8A,10V1V @ 250µA(最小)10 nC @ 4.5 V±16V345 pF @ 25 V-45W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型D2PAKTO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO252-3
IPD60R210PFD7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 16A TO252-3
Infineon Technologies
14,581
现货
1 : ¥13.98000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.29477
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V16A(Tc)10V210 毫欧 @ 4.9A,10V4.5V @ 240µA23 nC @ 10 V±20V1015 pF @ 400 V-64W(Tc)-40°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PG-TO252-3-344TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252AA
FDD18N20LZ
MOSFET N-CH 200V 16A DPAK
onsemi
19,336
现货
1 : ¥14.55000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.55249
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)200 V16A(Tc)5V,10V125 毫欧 @ 8A,10V2.5V @ 250µA40 nC @ 10 V±20V1575 pF @ 25 V-89W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-252AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
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16A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。