12A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 456
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Cambridge GaN DevicesComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSIXYS-RFMicro Commercial CoMicrochip Technology
系列
-aMOS5™CoolMOS™CoolMOS™ C7CoolMOS™ CFD7CoolMOS™ CPCoolMOS™ P6CoolMOS™ P7CoolMOS™ PFD7DeepGATE™, STripFET™ VIEEF
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
-GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
8 V12 V20 V30 V40 V55 V60 V80 V100 V150 V200 V250 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.2V,4.5V1.5V,4.5V1.8V,4.5V2.5V,10V2.5V,4.5V4V,10V4.5V,10V5V5V,10V6V,10V9V,20V10V10V,12V12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
7.5 毫欧 @ 6A,10V9 毫欧 @ 11A,10V9 毫欧 @ 6A,10V9.4 毫欧 @ 15.7A,4.5V10 毫欧 @ 12A,10V10 毫欧 @ 9.3A,10V10.5 毫欧 @ 6A,10V11 毫欧 @ 9.7A,4.5V11.3 毫欧 @ 1A,4.5V11.5 毫欧 @ 10A,10V11.9 毫欧 @ 12A,10V12 毫欧 @ 5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
800mV @ 250µA850mV @ 250µA900mV @ 250µA1V @ 250µA1.2V @ 250µA1.4V @ 250µA1.5V @ 250µA2V @ 1mA2V @ 250µA2.1V @ 1mA2.1V @ 250µA2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
2.3 nC @ 12 V2.8 nC @ 4.5 V3.4 nC @ 10 V7.8 nC @ 4.5 V8 nC @ 4.5 V8.4 nC @ 5 V9.6 nC @ 10 V9.7 nC @ 10 V10 nC @ 5 V10.4 nC @ 10 V10.5 nC @ 10 V10.8 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±5V±8V±10V±12V±15V±16V±18V+20V,-1V±20V+22V,-20V±22V+25V,-10V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
256 pF @ 25 V290 pF @ 400 V300 pF @ 1000 V300 pF @ 25 V300 pF @ 30 V315 pF @ 25 V350 pF @ 25 V398 pF @ 15 V405 pF @ 15 V435 pF @ 15 V490 pF @ 15 V500 pF @ 25 V
FET 功能
-电流检测
功率耗散(最大值)
1W(Ta),23W(Tc)1.5W(Tc)1.56W(Ta),107W(Tc)1.56W(Ta),40W(Tc)1.7W(Tc)2W(Ta),20W(Tc)2W(Ta),50W(Tc)2W(Tc)2.23W(Ta),40W(Tc)2.4W(Ta),5W(Tc)2.5W(Ta)2.5W(Ta),37W(Tc)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-65°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 200°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C150°C(TJ)175°C(TJ)-
等级
-军用汽车级
资质
-AEC-Q101MIL-PRF-19500/543MIL-PRF-19500/592
安装类型
-表面贴装型通孔
供应商器件封装
6-DFN(2x2)8-DFN(3.15x3.05)8-DFN(5x6)8-HSMT(3.2x3)8-SO8-SOIC8-SOP8-VSONP(3x3.3)16-DFN(8x8)16-SMPD-D2PAK
封装/外壳
4-PowerTSFN6-WDFN 裸露焊盘8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)16-BESOP(0.790",20.11mm 宽)15 引线,裸露焊盘16-PowerVDFN-ISOPLUS220™PLUS-220SMDPowerPAK® 1212-8PowerPAK® 1212-8W
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
456结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 456
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
336,919
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.60082
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)40 V12A(Tc)4.5V,10V44 毫欧 @ 12A,10V3V @ 250µA21 nC @ 10 V±20V1125 pF @ 20 V-2.5W(Ta),50W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型TO-252(DPAK)TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252-2
DMN10H170SK3-13
MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3
Diodes Incorporated
150,513
现货
40,000
工厂
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.61622
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V12A(Tc)4.5V,10V140 毫欧 @ 5A,10V3V @ 250µA9.7 nC @ 10 V±20V1167 pF @ 25 V-42W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-252-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PowerPak SC-70-6 Single
SIA440DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
22,504
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.27190
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)40 V12A(Tc)2.5V,10V26 毫欧 @ 9A,10V1.4V @ 250µA21.5 nC @ 10 V±12V700 pF @ 20 V-3.5W(Ta),19W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PowerPAK® SC-70-6PowerPAK® SC-70-6
PowerPak SC-70-6 Single
SIA483DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
82,785
现货
1 : ¥4.02000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.34529
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V12A(Tc)4.5V,10V21 毫欧 @ 5A,10V2.2V @ 250µA45 nC @ 10 V±20V1550 pF @ 15 V-3.5W(Ta),19W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PowerPAK® SC-70-6PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK 1212-8
SIS412DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
68,560
现货
1 : ¥4.68000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.77229
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V12A(Tc)4.5V,10V24 毫欧 @ 7.8A,10V2.5V @ 250µA12 nC @ 10 V±20V435 pF @ 15 V-3.2W(Ta),15.6W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PowerPAK® 1212-8PowerPAK® 1212-8
PowerPak SC-70-6 Single
SIA400EDJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
151,151
现货
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.65104
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V12A(Tc)2.5V,4.5V19 毫欧 @ 11A,4.5V1.5V @ 250µA36 nC @ 10 V±12V1265 pF @ 15 V-19.2W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PowerPAK® SC-70-6PowerPAK® SC-70-6
PowerPak SC-70-6 Single
SIA429DJT-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
26,850
现货
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.65104
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V12A(Tc)1.5V,4.5V20.5 毫欧 @ 6A,4.5V1V @ 250µA62 nC @ 8 V±8V1750 pF @ 10 V-3.5W(Ta),19W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PowerPAK® SC-70-6PowerPAK® SC-70-6
PowerPak SC-70-6 Single
SIA436DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
8,962
现货
1 : ¥5.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.89045
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)8 V12A(Tc)1.2V,4.5V9.4 毫欧 @ 15.7A,4.5V800mV @ 250µA25.2 nC @ 5 V±5V1508 pF @ 4 V-3.5W(Ta),19W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PowerPAK® SC-70-6PowerPAK® SC-70-6
162,003
现货
1 : ¥5.17000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.73664
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)60 V12A(Tc)4.5V,10V115 毫欧 @ 12A,10V3V @ 250µA20 nC @ 10 V±20V1185 pF @ 30 V-2.5W(Ta),50W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型TO-252(DPAK)TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PowerPak SC-70-6 Single
SIA441DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
52,325
现货
1 : ¥5.42000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.82226
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)40 V12A(Tc)4.5V,10V47 毫欧 @ 4.4A,10V2.2V @ 250µA35 nC @ 10 V±20V890 pF @ 20 V-19W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PowerPAK® SC-70-6PowerPAK® SC-70-6
SOT223
BUK9832-55A/CUX
MOSFET N-CH 55V 12A SOT223
Nexperia USA Inc.
66,125
现货
1 : ¥7.14000
剪切带(CT)
1,000 : ¥3.04977
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)55 V12A(Tc)4.5V,10V29 毫欧 @ 8A,10V2V @ 1mA-±10V1594 pF @ 25 V-8W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型SOT-223TO-261-4,TO-261AA
TO-252AA
FQD17P06TM
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
onsemi
19,248
现货
1 : ¥8.29000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.44402
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)60 V12A(Tc)10V135 毫欧 @ 6A,10V4V @ 250µA27 nC @ 10 V±25V900 pF @ 25 V-2.5W(Ta),44W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-252AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD60R280P7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Infineon Technologies
3,468
现货
1 : ¥10.18000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.22381
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V12A(Tc)10V280 毫欧 @ 3.8A,10V4V @ 190µA18 nC @ 10 V±20V761 pF @ 400 V-53W(Tc)-40°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PG-TO252-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
SI5476DU-T1-GE3
SI5476DU-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 12A CHIPFET
Vishay Siliconix
5,984
现货
1 : ¥10.43000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.30077
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V12A(Tc)4.5V,10V34 毫欧 @ 4.6A,10V3V @ 250µA32 nC @ 10 V±20V1100 pF @ 30 V-3.1W(Ta),31W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PowerPAK® CHIPFET™ 单PowerPAK® CHIPFET™ 单
8-SOIC
FDS5672
MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
onsemi
14,742
现货
2,500 : ¥6.06520
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V12A(Tc)6V,10V10 毫欧 @ 12A,10V4V @ 250µA45 nC @ 10 V±20V2200 pF @ 25 V-2.5W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
TO-220AB
IRF9530PBF
MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Vishay Siliconix
13,155
现货
1 : ¥14.28000
管件
-
管件
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)100 V12A(Tc)10V300 毫欧 @ 7.2A,10V4V @ 250µA38 nC @ 10 V±20V860 pF @ 25 V-88W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--通孔TO-220ABTO-220-3
PowerPak SO-8L
SQJ431EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
13,645
现货
1 : ¥15.60000
剪切带(CT)
3,000 : ¥7.03563
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)200 V12A(Tc)6V,10V213 毫欧 @ 1A,4V3.5V @ 250µA160 nC @ 10 V±20V4355 pF @ 25 V-83W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型PowerPAK® SO-8PowerPAK® SO-8
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB60R280P7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Infineon Technologies
3,862
现货
1,000 : ¥8.28003
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V12A(Tc)10V280 毫欧 @ 3.8A,10V4V @ 190µA18 nC @ 10 V±20V761 pF @ 400 V-53W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PG-TO263-3TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
MFG_DPAK(TO252-3)
STD16N65M5
MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
STMicroelectronics
8,001
现货
1 : ¥23.89000
剪切带(CT)
2,500 : ¥11.64792
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)650 V12A(Tc)10V299 毫欧 @ 6A,10V5V @ 250µA45 nC @ 10 V±25V1250 pF @ 100 V-90W(Tc)150°C(TJ)--表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220-F
STF13N80K5
MOSFET N-CH 800V 12A TO220FP
STMicroelectronics
1,437
现货
1 : ¥29.88000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)800 V12A(Tc)10V450 毫欧 @ 6A,10V5V @ 100µA29 nC @ 10 V±30V870 pF @ 100 V-35W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--通孔TO-220FPTO-220-3 整包
TO-247-3 HiP
STW12N120K5
MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
STMicroelectronics
601
现货
1 : ¥84.15000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)1200 V12A(Tc)10V690 毫欧 @ 6A,10V5V @ 100µA44.2 nC @ 10 V±30V1370 pF @ 100 V-250W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--通孔TO-247-3TO-247-3
H2PAK
STH13N120K5-2AG
MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
STMicroelectronics
962
现货
1 : ¥84.64000
剪切带(CT)
1,000 : ¥48.01992
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)1200 V12A(Tc)10V690 毫欧 @ 6A,10V5V @ 100µA44.2 nC @ 10 V±30V1370 pF @ 100 V-250W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型H2PAK-2TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220-3
STP12N120K5
MOSFET N-CH 1200V 12A TO220
STMicroelectronics
950
现货
1 : ¥88.33000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)1200 V12A(Tc)10V690 毫欧 @ 6A,10V5V @ 100µA44.2 nC @ 10 V±30V1370 pF @ 100 V-250W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--通孔TO-220TO-220-3
PowerPak SC-70-6 Single
SIA447DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
88,465
现货
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.08057
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)12 V12A(Tc)1.5V,4.5V13.5 毫欧 @ 7A,4.5V850mV @ 250µA80 nC @ 8 V±8V2880 pF @ 6 V-19W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PowerPAK® SC-70-6PowerPAK® SC-70-6
PowerPak SC-70-6 Single
SIA461DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
44,387
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.10068
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V12A(Tc)1.8V,4.5V33 毫欧 @ 5.2A,4.5V1V @ 250µA45 nC @ 8 V±8V1300 pF @ 10 V-3.4W(Ta),17.9W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PowerPAK® SC-70-6PowerPAK® SC-70-6
显示
/ 456

12A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。