126A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesMicrochip Technologyonsemi
系列
-PowerTrench®StrongIRFET™ 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
80 V700 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.9 毫欧 @ 80A,10V4 毫欧 @ 44A,10V19 毫欧 @ 40A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 4mA(典型值)3.8V @ 85µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
55 nC @ 10 V81 nC @ 10 V215 nC @ 20 V
Vgs(最大值)
±20V+23V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3800 pF @ 40 V4250 pF @ 40 V4500 pF @ 700 V
功率耗散(最大值)
125W(Tc)150W(Tc)370W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
8-PQFN(5x6),Power56D3PAKPG-TO263-7-14
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CATO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-PQFN
FDMS004N08C
MOSFET N-CH 80V 126A 8PQFN
onsemi
2,945
现货
9,000
工厂
1 : ¥22.17000
剪切带(CT)
3,000 : ¥10.00600
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
126A(Tc)
6V,10V
4 毫欧 @ 44A,10V
4V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
4250 pF @ 40 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-PQFN(5x6),Power56
8-PowerTDFN
IPF014N08NF2SATMA1
IPF039N08NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Infineon Technologies
682
现货
1 : ¥22.74000
剪切带(CT)
800 : ¥13.75544
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
126A(Tc)
6V,10V
3.9 毫欧 @ 80A,10V
3.8V @ 85µA
81 nC @ 10 V
±20V
3800 pF @ 40 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO263-7-14
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
8-PQFN
NTMFS08N004C
MOSFET N-CH 80V 126A 8PQFN
onsemi
2,990
现货
39,000
工厂
1 : ¥37.11000
剪切带(CT)
3,000 : ¥18.07732
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
126A(Tc)
6V,10V
4 毫欧 @ 44A,10V
4V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
4250 pF @ 40 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-PQFN(5x6),Power56
8-PowerTDFN
D3PAK
MSC015SMA070S
SICFET N-CH 700V 126A D3PAK
Microchip Technology
30
现货
1 : ¥301.22000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
700 V
126A(Tc)
20V
19 毫欧 @ 40A,20V
2.4V @ 4mA(典型值)
215 nC @ 20 V
+23V,-10V
4500 pF @ 700 V
-
370W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
D3PAK
TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
显示
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126A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。