11A(Ta),20A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesRenesas
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
产品状态
停产在售
漏源电压(Vdss)
30 V60 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4V,10V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
10 毫欧 @ 20A,10V15 毫欧 @ 5.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 23µA2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
7.1 nC @ 5 V45 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
660 pF @ 10 V3500 pF @ 30 V
功率耗散(最大值)
2.1W(Ta),50W(Tc)3W(Ta),15W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C
供应商器件封装
8-SOPPG-TSDSON-8
封装/外壳
8-PowerVDFN8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-TSDSON
BSZ100N06LS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON
Infineon Technologies
96,060
现货
1 : ¥6.40000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.42864
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
11A(Ta),20A(Tc)
4.5V,10V
10 毫欧 @ 20A,10V
2.2V @ 23µA
45 nC @ 10 V
±20V
3500 pF @ 30 V
-
2.1W(Ta),50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerVDFN
UPA2706GR-E1-A - MOS FIELD EFFEC
UPA2706GR-E1-A
UPA2706GR-E1-A - MOS FIELD EFFEC
Renesas
10,000
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
11A(Ta),20A(Tc)
4V,10V
15 毫欧 @ 5.5A,10V
2.5V @ 1mA
7.1 nC @ 5 V
±20V
660 pF @ 10 V
-
3W(Ta),15W(Tc)
150°C
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
UPA2706GR-E2-AT - MOS FIELD EFFE
UPA2706GR-E2-AT
UPA2706GR-E2-AT - MOS FIELD EFFE
Renesas
19,759
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
11A(Ta),20A(Tc)
4V,10V
15 毫欧 @ 5.5A,10V
2.5V @ 1mA
7.1 nC @ 5 V
±20V
660 pF @ 10 V
-
3W(Ta),15W(Tc)
150°C
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
UPA2706GR-E1-AT - MOS FIELD EFFE
UPA2706GR-E1-AT
UPA2706GR-E1-AT - MOS FIELD EFFE
Renesas
7,500
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
11A(Ta),20A(Tc)
4V,10V
15 毫欧 @ 5.5A,10V
2.5V @ 1mA
7.1 nC @ 5 V
±20V
660 pF @ 10 V
-
3W(Ta),15W(Tc)
150°C
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
显示
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11A(Ta),20A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。