11A（Ta），20A（Tc） 单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesRenesas
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）散装
产品状态
停产在售
漏源电压（Vdss）
30 V60 V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10 毫欧 @ 20A，10V15 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 23µA2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
7.1 nC @ 5 V45 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
660 pF @ 10 V3500 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
2.1W（Ta），50W（Tc）3W（Ta），15W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C
供应商器件封装
8-SOPPG-TSDSON-8
封装/外壳
8-PowerVDFN8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
应用的筛选条件 删除全部
显示
/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-TSDSON
BSZ100N06LS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON
Infineon Technologies
96,060
现货
1 : ¥6.40000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.42864
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
11A（Ta），20A（Tc）
4.5V，10V
10 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 23µA
45 nC @ 10 V
±20V
3500 pF @ 30 V
-
2.1W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerVDFN
UPA2706GR-E1-A - MOS FIELD EFFEC
UPA2706GR-E1-A
UPA2706GR-E1-A - MOS FIELD EFFEC
Renesas
10,000
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
11A（Ta），20A（Tc）
4V，10V
15 毫欧 @ 5.5A，10V
2.5V @ 1mA
7.1 nC @ 5 V
±20V
660 pF @ 10 V
-
3W（Ta），15W（Tc）
150°C
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
UPA2706GR-E2-AT - MOS FIELD EFFE
UPA2706GR-E2-AT
UPA2706GR-E2-AT - MOS FIELD EFFE
Renesas
19,759
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
11A（Ta），20A（Tc）
4V，10V
15 毫欧 @ 5.5A，10V
2.5V @ 1mA
7.1 nC @ 5 V
±20V
660 pF @ 10 V
-
3W（Ta），15W（Tc）
150°C
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
UPA2706GR-E1-AT - MOS FIELD EFFE
UPA2706GR-E1-AT
UPA2706GR-E1-AT - MOS FIELD EFFE
Renesas
7,500
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
11A（Ta），20A（Tc）
4V，10V
15 毫欧 @ 5.5A，10V
2.5V @ 1mA
7.1 nC @ 5 V
±20V
660 pF @ 10 V
-
3W（Ta），15W（Tc）
150°C
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
显示
/ 4

11A（Ta），20A（Tc） 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。