Name: BSZ100N06LS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ100N06LS3GATMA1TR-ND
Price: 16.79 CNY
Availability: OutOfStock

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BSZ100N06LS3GATMA1
DigiKey 零件编号	BSZ100N06LS3GATMA1TR-ND - 卷带（TR） BSZ100N06LS3GATMA1CT-ND - 剪切带（CT） BSZ100N06LS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	BSZ100N06LS3GATMA1
描述	MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON
原厂标准交货期	61 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 60 V 11A（Ta），20A（Tc） 2.1W（Ta），50W（Tc） PG-TSDSON-8
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	BSZ100N06LS3GATMA1 型号

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.2V @ 23µA
制造商 Infineon Technologies	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 45 nC @ 10 V
系列 OptiMOS™	Vgs（最大值） ±20V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 3500 pF @ 30 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 2.1W（Ta），50W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 60 V	供应商器件封装 PG-TSDSON-8
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 11A（Ta），20A（Tc）	封装/外壳 8-PowerVDFN
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V	基本产品编号 BSZ100
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 10 毫欧 @ 20A，10V

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