10.8A（Tc）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

SQ4431EY-T1_GE3 MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SO Vishay Siliconix	6,332 现货	1 : ¥8.13000 剪切带（CT） 2,500 : ¥3.36162 卷带（TR）	TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	10.8A（Tc）	10V	30 毫欧 @ 6A，10V	2.5V @ 250µA	25 nC @ 10 V	±20V	1265 pF @ 15 V	-	6W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	8-SOIC	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
SQ4431EY-T1_BE3 MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC Vishay Siliconix	4,993 现货	1 : ¥8.13000 剪切带（CT） 2,500 : ¥3.36162 卷带（TR）	TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	10.8A（Tc）	4.5V，10V	30 毫欧 @ 6A，10V	2.5V @ 250µA	25 nC @ 10 V	±20V	1265 pF @ 15 V	-	6W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	8-SOIC	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
FCPF11N60NT MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F onsemi	0 现货	停产	SuperMOS™	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	10.8A（Tc）	10V	299 毫欧 @ 5.4A，10V	4V @ 250µA	35.6 nC @ 10 V	±30V	1505 pF @ 100 V	-	32.1W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220F-3	TO-220-3 整包
FCP11N60N POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 Fairchild Semiconductor	1,700 市场	不可用对您所选的货币不可用	SupreMOS™	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	10.8A（Tc）	10V	299 毫欧 @ 5.4A，10V	4V @ 250µA	35.6 nC @ 10 V	±30V	1505 pF @ 100 V	-	94W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220-3	TO-220-3
FCPF11N60NT POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 Fairchild Semiconductor	14,218 市场	不可用对您所选的货币不可用	SuperMOS™	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	10.8A（Tc）	10V	299 毫欧 @ 5.4A，10V	4V @ 250µA	35.6 nC @ 10 V	±30V	1505 pF @ 100 V	-	32.1W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220F-3	TO-220-3 整包
SI7113ADN-T1-GE3 MOSFET P-CH 100V 10.8A PPAK Vishay Siliconix	0 现货查看交期	1 : ¥5.25000 剪切带（CT） 3,000 : ¥1.76734 卷带（TR）	TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	10.8A（Tc）	4.5V，10V	132 毫欧 @ 3.8A，10V	2.6V @ 250µA	16.5 nC @ 10 V	±20V	515 pF @ 50 V	-	27.8W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PowerPAK® 1212-8	PowerPAK® 1212-8
SI8451DB-T2-E1 MOSFET P-CH 20V 10.8A 6MICROFOOT Vishay Siliconix	0 现货	1 : ¥7.96000 剪切带（CT） 3,000 : ¥3.28239 卷带（TR）	TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	停产	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	10.8A（Tc）	1.5V，4.5V	80 毫欧 @ 1A，4.5V	1V @ 250µA	24 nC @ 8 V	±8V	750 pF @ 10 V	-	2.77W（Ta），13W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	6-Micro Foot™（1.5x1）	6-UFBGA
FCP11N60N MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220-3 onsemi	0 现货	停产	SupreMOS™	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	10.8A（Tc）	10V	299 毫欧 @ 5.4A，10V	4V @ 250µA	35.6 nC @ 10 V	±30V	1505 pF @ 100 V	-	94W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220-3	TO-220-3
FCP11N60N-F102 MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F onsemi	0 现货	停产	-	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	10.8A（Tc）	10V	299 毫欧 @ 5.4A，10V	4V @ 250µA	35.6 nC @ 10 V	±30V	1505 pF @ 100 V	-	94W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220F	TO-220-3 整包