1.2A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 53
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Comchip TechnologyDiodes IncorporatedInfineon TechnologiesMicro Commercial CoNexperia USA Inc.onsemiPanasonic Electronic ComponentsPanjit International Inc.Toshiba Semiconductor and StorageVishay SiliconixYAGEO XSEMI
系列
-HEXFET®OptiMOS™PowerTrench®TrenchFET®TrenchMOS™XP10P500π-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
8 V12 V20 V30 V60 V100 V150 V200 V250 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.2V,4.5V1.5V,4.5V1.8V,4.5V2.5V,10V2.5V,4.5V2.7V,4.5V4V4V,10V4.5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
99 毫欧 @ 1.2A,4.5V100 毫欧 @ 500mA,4.5V122 毫欧 @ 1.2A,4.5V130 毫欧 @ 1.5A,4.5V135 毫欧 @ 1.2A,4.5V150 毫欧 @ 1.2A,10V180 毫欧 @ 1.2A,4.5V200 毫欧 @ 1.3A,4.5V200 毫欧 @ 1.5A,4.5V210 毫欧 @ 1.2A,4.5V240 毫欧 @ 300mA,4.5V250 毫欧 @ 1.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
700mV @ 250µA(最小)950mV @ 250µA1V @ 250µA1.2V @ 1mA1.3V @ 1mA1.4V @ 1mA1.4V @ 250µA1.5V @ 250µA1.55V @ 250µA1.8V @ 100µA2.3V @ 100µA2.5V @ 250µA2.5V @ 25µA2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.67 nC @ 4.5 V0.7 nC @ 4.5 V0.9 nC @ 4.5 V0.95 nC @ 4.5 V1.4 nC @ 4.5 V2.3 nC @ 4.5 V2.9 nC @ 10 V3 nC @ 4.5 V3.2 nC @ 10 V3.9 nC @ 4.5 V4 nC @ 4.5 V4.2 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±5V±8V±10V±12V±15V±16V±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
36 pF @ 10 V38 pF @ 10 V39 pF @ 10 V41 pF @ 10 V46 pF @ 10 V64 pF @ 25 V73 pF @ 25 V85 pF @ 25 V95 pF @ 15 V110 pF @ 15 V116 pF @ 10 V152.7 pF @ 25 V
FET 功能
-肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值)
236mW(Ta)290mW(Ta)300mW335mW(Ta)335mW(Ta),2.17W(Tc)350mW(Ta)350mW(Ta),5.43W(Tc)360mW(Ta),2,23W(Tc)360mW(Ta),5.68W(Tc)500mW(Ta)520mW(Ta)540mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)125°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
6-TSOP6-UDFN(1.6x1.6)8-SODFN0606-3DFN1006B-3DFN1010D-3Micro3™/SOT-23PG-SOT223-4SC-59-3SC-70-3SC-70-3(SOT323)SC-88(SC-70-6)
封装/外壳
3-SMD,扁平引线3-XDFN 裸露焊盘3-XFDFN6-TSSOP,SC-88,SOT-3636-UFDFN 裸露焊盘8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)SC-101,SOT-883SC-70,SOT-323SC-74A,SOT-753SC-74,SOT-457SOT-23-6 细型,TSOT-23-6SOT-523SOT-563,SOT-666TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
53结果
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/ 53
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
IRLML2402TRPBF
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23
Infineon Technologies
95,020
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.87564
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
1.2A(Ta)
2.7V,4.5V
250 毫欧 @ 930mA,4.5V
700mV @ 250µA(最小)
3.9 nC @ 4.5 V
±12V
110 pF @ 15 V
-
540mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML2803TRPBF
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23
Infineon Technologies
110,041
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.80293
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
1.2A(Ta)
4.5V,10V
250 毫欧 @ 910mA,10V
1V @ 250µA
5 nC @ 10 V
±20V
85 pF @ 25 V
-
540mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
ZXMN6A07FTA
MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
Diodes Incorporated
13,761
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.28413
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
1.2A(Ta)
4.5V,10V
250 毫欧 @ 1.8A,10V
3V @ 250µA
3.2 nC @ 10 V
±20V
166 pF @ 40 V
-
625mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Pkg 5540
SI3440DV-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP
Vishay Siliconix
32,229
现货
1 : ¥12.07000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.97984
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
1.2A(Ta)
6V,10V
375 毫欧 @ 1.5A,10V
4V @ 250µA
8 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.14W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
Pkg 5540
SI3440DV-T1-E3
MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP
Vishay Siliconix
11,454
现货
1 : ¥12.07000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.97984
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
1.2A(Ta)
6V,10V
375 毫欧 @ 1.5A,10V
4V @ 250µA
8 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.14W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
DFN0606-3
PMH260UNEH
MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN0606-3
Nexperia USA Inc.
19,043
现货
1 : ¥2.79000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.41789
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
1.2A(Ta)
1.5V,4.5V
310毫欧 @ 700mA,4,5V
950mV @ 250µA
0.95 nC @ 4.5 V
±8V
41 pF @ 10 V
-
360mW(Ta),2,23W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN0606-3
3-XFDFN
SC-101 SOT-883
PMZ290UNE2YL
MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
121,500
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.40031
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
1.2A(Ta)
1.5V,4.5V
320 毫欧 @ 1.2A,4.5V
950mV @ 250µA
1.4 nC @ 4.5 V
±8V
46 pF @ 10 V
-
350mW(Ta),5.43W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-883
SC-101,SOT-883
TO-236AB
PMV160UP,215
MOSFET P-CH 20V 1.2A TO236AB
Nexperia USA Inc.
97,346
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.71982
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
1.2A(Ta)
1.8V,4.5V
210 毫欧 @ 1.2A,4.5V
950mV @ 250µA
4 nC @ 4.5 V
±8V
365 pF @ 10 V
-
335mW(Ta),2.17W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML2060TRPBF
MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23
Infineon Technologies
48,780
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.88628
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
1.2A(Ta)
4.5V,10V
480 毫欧 @ 1.2A,10V
2.5V @ 25µA
0.67 nC @ 4.5 V
±16V
64 pF @ 25 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
3-XQFN
PMZB290UNE2YL
MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006B-3
Nexperia USA Inc.
31,231
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.42019
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
1.2A(Ta)
1.5V,4.5V
320 毫欧 @ 1.2A,4.5V
950mV @ 250µA
1.4 nC @ 4.5 V
±8V
46 pF @ 10 V
-
350mW(Ta),5.43W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN1006B-3
3-XFDFN
TO-236AB
PMV240SPR
MOSFET P-CH 100V 1.2A TO236AB
Nexperia USA Inc.
19,207
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.16794
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
1.2A(Ta)
-
365 毫欧 @ 1.2A,10V
4V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±25V
549 pF @ 50 V
-
710mW(Ta),8.3W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Automotive, AEC-Q101 Series
PMN280ENEAX
MOSFET N-CH 100V 1.2A 6TSOP
Nexperia USA Inc.
2,191
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.84151
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
1.2A(Ta)
4.5V,10V
385 毫欧 @ 1.2A,10V
2.7V @ 250µA
6.8 nC @ 10 V
±20V
190 pF @ 50 V
-
667mW(Ta),7.5W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSOP
SC-74,SOT-457
SOT-23-3
ZXMN6A07FQTA
MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23
Diodes Incorporated
3,318
现货
5,700,000
工厂
1 : ¥4.19000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.41256
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
1.2A(Ta)
4.5V,10V
250 毫欧 @ 1.8A,10V
3V @ 250µA
3.2 nC @ 10 V
±20V
166 pF @ 40 V
-
625mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-223-4
BSP296NH6433XTMA1
MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
Infineon Technologies
14,281
现货
1 : ¥7.63000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.90539
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
1.2A(Ta)
4.5V,10V
600 毫欧 @ 1.2A,10V
1.8V @ 100µA
6.7 nC @ 10 V
±20V
152.7 pF @ 25 V
-
1.8W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT223-4
TO-261-4,TO-261AA
SOT-223-4
BSP296NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
Infineon Technologies
11,277
现货
1 : ¥7.63000
剪切带(CT)
1,000 : ¥3.26215
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
1.2A(Ta)
4.5V,10V
600 毫欧 @ 1.2A,10V
1.8V @ 100µA
6.7 nC @ 10 V
±20V
152.7 pF @ 25 V
-
1.8W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT223-4
TO-261-4,TO-261AA
3-XFDFN Exposed Pad
PMXB350UPEZ
MOSFET P-CH 20V 1.2A DFN1010D-3
Nexperia USA Inc.
5,000
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
5,000 : ¥0.74147
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
1.2A(Ta)
1.2V,4.5V
447 毫欧 @ 1.2A,4.5V
950mV @ 250µA
2.3 nC @ 4.5 V
±8V
116 pF @ 10 V
-
360mW(Ta),5.68W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN1010D-3
3-XDFN 裸露焊盘
28,411
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.54871
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
1.2A(Ta)
1.8V,4.5V
380 毫欧 @ 1.2A,4.5V
1V @ 250µA
0.9 nC @ 4.5 V
±12V
39 pF @ 10 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
X2-DFN1006-3
DMN3731UFB4-7B
MOSFET N-CH 30V 1.2A 3DFN
Diodes Incorporated
7,040
现货
3,750,000
工厂
1 : ¥2.46000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.31574
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
1.2A(Ta)
1.8V,4.5V
460 毫欧 @ 200mA,4.5V
950mV @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
73 pF @ 25 V
-
520mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
SOT-523
DMN2310UTQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Diodes Incorporated
2,744
现货
111,000
工厂
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.59042
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
1.2A(Ta)
1.8V,4.5V
240 毫欧 @ 300mA,4.5V
950mV @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
38 pF @ 10 V
-
290mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
XP60PN72REN
XP10P500N
MOSFET P-CH 100V 1.2A SOT23
YAGEO XSEMI
991
现货
1 : ¥12.56000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.19036
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
1.2A(Ta)
4.5V,10V
500 毫欧 @ 1A,10V
3V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
670 pF @ 50 V
-
1.38W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 363
FDG312P
MOSFET P-CH 20V 1.2A SC88
onsemi
0
现货
在售
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
1.2A(Ta)
2.5V,4.5V
180 毫欧 @ 1.2A,4.5V
1.5V @ 250µA
5 nC @ 4.5 V
±8V
330 pF @ 10 V
-
750mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-88(SC-70-6)
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
6-UDFN_517AT
NTLUF4189NZTBG
MOSFET N-CH 30V 1.2A 6UDFN
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
1.2A(Ta)
2.5V,4.5V
200 毫欧 @ 1.5A,4.5V
1.5V @ 250µA
3 nC @ 4.5 V
±8V
95 pF @ 15 V
肖特基二极管(隔离式)
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-UDFN(1.6x1.6)
6-UFDFN 裸露焊盘
4,449
现货
1 : ¥2.63000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.43977
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
1.2A(Ta)
1.8V,4.5V
380 毫欧 @ 1.2A,4.5V
1V @ 250µA
0.9 nC @ 4.5 V
±12V
39 pF @ 10 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SC-70-3
NTS4173PT1G
MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3
onsemi
841
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.98230
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
1.2A(Ta)
2.5V,10V
150 毫欧 @ 1.2A,10V
1.5V @ 250µA
10.1 nC @ 10 V
±12V
430 pF @ 15 V
-
290mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-70-3(SOT323)
SC-70,SOT-323
Pkg 5880
SI1070X-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 1.2A SC89-6
Vishay Siliconix
263
现货
1 : ¥3.99000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.34529
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
1.2A(Ta)
2.5V,4.5V
99 毫欧 @ 1.2A,4.5V
1.55V @ 250µA
8.3 nC @ 5 V
±12V
385 pF @ 15 V
-
236mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-89(SOT-563F)
SOT-563,SOT-666
显示
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1.2A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。