单 FET,MOSFET

结果 : 65
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
漏源电压(Vdss)
600 V800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8.4A(Tc)9A(Tc)11A(Tc)12A(Tc)13A(Tc)15A(Tc)16A(Tc)16.3A(Tc)18A(Tc)19A(Tc)20A(Tc)21A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
32 毫欧 @ 40A,10V40 毫欧 @ 32A,10V41 毫欧 @ 35A,10V52 毫欧 @ 10A,10V52 毫欧 @ 17A,10V52 毫欧 @ 23A,10V55 毫欧 @ 26.5A,10V58 毫欧 @ 16A,10V68 毫欧 @ 16A,10V70 毫欧 @ 23.5A,10V71毫欧 @ 15A,10V84 毫欧 @ 17A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
23 nC @ 10 V32 nC @ 10 V38 nC @ 10 V45 nC @ 10 V47 nC @ 10 V51 nC @ 10 V53 nC @ 10 V54 nC @ 10 V63 nC @ 10 V71 nC @ 10 V72 nC @ 10 V75 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
783 pF @ 100 V915 pF @ 100 V1081 pF @ 100 V1118 pF @ 100 V1128 pF @ 100 V1300 pF @ 100 V1423 pF @ 100 V1465 pF @ 100 V1511 pF @ 100 V1533 pF @ 100 V1804 pF @ 100 V1863 pF @ 100 V
功率耗散(最大值)
33W(Tc)35W(Tc)39W(Tc)89W(Tc)114W(Tc)132W(Tc)142W(Tc)156W(Tc)179W(Tc)184W(Tc)192W(Tc)202W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PowerPAK® 8 x 8PowerPAK®10 x 12TO-220 整包TO-220ABTO-247ACTO-252AATO-263(D2PAK)
封装/外壳
8-PowerBSFN8-PowerTDFNTO-220-3 整包TO-220-3TO-247-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
65结果
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/ 65
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
SIHB068N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 41A D2PAK
Vishay Siliconix
1,343
现货
1 : ¥43.84000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
41A(Tc)
10V
68 毫欧 @ 16A,10V
5V @ 250µA
77 nC @ 10 V
±30V
2628 pF @ 100 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220AB
SIHP35N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 32A TO220AB
Vishay Siliconix
738
现货
1 : ¥49.67000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
32A(Tc)
10V
97 毫欧 @ 17A,10V
4V @ 250µA
134 nC @ 10 V
±30V
2568 pF @ 100 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
LM7812TP
SIHF068N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 16A TO220
Vishay Siliconix
673
现货
1 : ¥43.10000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
16A(Tc)
10V
68 毫欧 @ 16A,10V
5V @ 250µA
77 nC @ 10 V
±30V
2628 pF @ 100 V
-
39W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220 整包
TO-220-3 整包
SIHP17N80AEF-GE3
SIHP17N80AEF-GE3
E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Vishay Siliconix
918
现货
1 : ¥22.99000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
15A(Tc)
10V
305 毫欧 @ 8.5A,10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±30V
1300 pF @ 100 V
-
179W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-247AC
SIHG15N80AEF-GE3
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Vishay Siliconix
448
现货
1 : ¥23.97000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
13A(Tc)
10V
350 毫欧 @ 6.5A,10V
4V @ 250µA
54 nC @ 10 V
±30V
1128 pF @ 100 V
-
156W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-247AC
TO-247-3
LM7812TP
SIHA22N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 19A TO220
Vishay Siliconix
929
现货
1 : ¥27.26000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
19A(Tc)
10V
182 毫欧 @ 11A,10V
4V @ 250µA
96 nC @ 10 V
±30V
1423 pF @ 100 V
-
33W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220 整包
TO-220-3 整包
TO-247-3 AC EP
SIHG186N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 8.4A TO247AC
Vishay Siliconix
309
现货
1 : ¥27.50000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
8.4A(Tc)
10V
193 毫欧 @ 9.5A,10V
5V @ 250µA
32 nC @ 10 V
±30V
1081 pF @ 100 V
-
156W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-247AC
TO-247-3
LM7812TP
SIHA105N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Vishay Siliconix
1,035
现货
1 : ¥29.72000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
12A(Tc)
10V
102 毫欧 @ 13A,10V
5V @ 250µA
53 nC @ 10 V
±30V
1804 pF @ 100 V
-
35W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220 整包
TO-220-3 整包
TO-247-3 AC EP
SIHG105N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
Vishay Siliconix
447
现货
1 : ¥34.15000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
29A(Tc)
10V
102 毫欧 @ 13A,10V
5V @ 250µA
53 nC @ 10 V
±30V
1804 pF @ 100 V
-
208W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-247AC
SIHG24N80AEF-GE3
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Vishay Siliconix
386
现货
1 : ¥38.50000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
20A(Tc)
10V
195 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 250µA
90 nC @ 10 V
±30V
1889 pF @ 100 V
-
208W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
SIHG068N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 41A TO247AC
Vishay Siliconix
374
现货
1 : ¥47.86000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
41A(Tc)
10V
68 毫欧 @ 16A,10V
5V @ 250µA
77 nC @ 10 V
±30V
2628 pF @ 100 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
SIHG052N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 48A TO247AC
Vishay Siliconix
279
现货
1 : ¥53.28000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
48A(Tc)
10V
52 毫欧 @ 23A,10V
5V @ 250µA
101 nC @ 10 V
±30V
3380 pF @ 100 V
-
278W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-220AB
SIHP052N60EF-GE3
MOSFET EF SERIES TO-220AB
Vishay Siliconix
962
现货
1 : ¥54.91000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
48A(Tc)
10V
52 毫欧 @ 23A,10V
5V @ 250µA
101 nC @ 10 V
±30V
3380 pF @ 100 V
-
278W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
SIHP15N80AEF-GE3
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Vishay Siliconix
2,211
现货
1 : ¥20.52000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
13A(Tc)
10V
350 毫欧 @ 6.5A,10V
4V @ 250µA
54 nC @ 10 V
±30V
1128 pF @ 100 V
-
156W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
PowerPAK 8 x 8
SIHH240N60E-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 12A PPAK 8 X 8
Vishay Siliconix
2,786
现货
1 : ¥22.17000
剪切带(CT)
3,000 : ¥10.78153
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
12A(Tc)
10V
240 毫欧 @ 5.5A,10V
5V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±30V
783 pF @ 100 V
-
89W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® 8 x 8
8-PowerTDFN
LM7812TP
SIHA186N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 8.4A TO220
Vishay Siliconix
1,900
现货
1 : ¥22.58000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
8.4A(Tc)
10V
193 毫欧 @ 9.5A,10V
5V @ 250µA
32 nC @ 10 V
±30V
1081 pF @ 100 V
-
156W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220 整包
TO-220-3 整包
TO-220AB_View1
SIHP21N80AEF-GE3
E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Vishay Siliconix
980
现货
1 : ¥22.58000
散装
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
16.3A(Tc)
10V
250 毫欧 @ 8.5A,10V
4V @ 250µA
71 nC @ 10 V
±30V
1511 pF @ 100 V
-
179W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-247AC
SIHG17N80AEF-GE3
E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Vishay Siliconix
296
现货
1 : ¥25.37000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
15A(Tc)
10V
305 毫欧 @ 8.5A,10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±30V
1300 pF @ 100 V
-
179W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-247AC
SIHG21N80AEF-GE3
E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Vishay Siliconix
464
现货
1 : ¥26.60000
散装
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
16.3A(Tc)
10V
250 毫欧 @ 8.5A,10V
4V @ 250µA
71 nC @ 10 V
±30V
1511 pF @ 100 V
-
179W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-220AB
SIHP24N80AEF-GE3
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Vishay Siliconix
1,000
现货
1 : ¥32.26000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
20A(Tc)
10V
195 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 250µA
90 nC @ 10 V
±30V
1889 pF @ 100 V
-
208W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
SIHB125N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
Vishay Siliconix
2,720
现货
1 : ¥34.73000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
25A(Tc)
10V
125 毫欧 @ 12A,10V
5V @ 250µA
47 nC @ 10 V
±30V
1533 pF @ 100 V
-
179W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
LM7812TP
SIHA125N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
Vishay Siliconix
992
现货
1 : ¥34.81000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
11A(Tc)
10V
125 毫欧 @ 12A,10V
5V @ 250µA
47 nC @ 10 V
±30V
1533 pF @ 100 V
-
179W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220 整包
TO-220-3 整包
TO-220AB
SIHP068N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 41A TO220AB
Vishay Siliconix
1,000
现货
1 : ¥43.35000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
41A(Tc)
10V
68 毫欧 @ 16A,10V
5V @ 250µA
77 nC @ 10 V
±30V
2628 pF @ 100 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
D2PAK(TO-263)
SIHB055N60EF-GE3
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Vishay Siliconix
885
现货
1 : ¥50.90000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
46A(Tc)
10V
55 毫欧 @ 26.5A,10V
5V @ 250µA
95 nC @ 10 V
±30V
3707 pF @ 100 V
-
278W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-247-3 AC EP
SIHG47N60AEF-GE3
MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
Vishay Siliconix
400
现货
1 : ¥69.04000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
40A(Tc)
10V
70 毫欧 @ 23.5A,10V
4V @ 250µA
189 nC @ 10 V
±30V
3576 pF @ 100 V
-
313W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-247AC
TO-247-3
显示
/ 65

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。