单 FET,MOSFET

结果 : 23,950
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCEVVOGeneSiC SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon Technologies
系列
-*AlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, UltraFET™C2M™C3M™Cool MOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)带盒(TB)托盘散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
-GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)SiCFET(共源共栅 SiCJFET)SiCFET(碳化硅)SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss)
8 V10 V12 V15 V16 V16.5 V18 V20 V22 V24 V25 V28 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30mA(Tc)50mA(Tj)54mA(Tj)85mA(Tj)100mA(Ta)100mA(Tc)115mA(Tc)120mA(Tj)130mA(Ta)130mA(Tc)134mA(Tj)140mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V0V,10V1.2V,3V1.2V,4.5V1.5V,4.5V1.8V,10V1.8V,4.5V1.95V,4.5V2V,5V2.5V,10V2.5V,4.5V2.5V,4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.3mOhm @ 200A,10V0.4 毫欧 @ 150A,10V0.4 毫欧 @ 30A,10V0.4 毫欧 @ 50A,10V0.42 毫欧 @ 50A,10V0.44 毫欧 @ 88A,10V0.45 毫欧 @ 30A,7V0.45 毫欧 @ 50A,10V0.47 毫欧 @ 50A,10V0.48 毫欧 @ 50A,10V0.52 毫欧 @ 30A,10V0.52 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
450mV @ 250µA(最小)450mV @ 2mA(最小)500mV @ 250µA(最小)600mV @ 1mA(典型值)600mV @ 250µA(最小)650mV @ 1mA(最小)700mV @ 1mA(典型值)700mV @ 250µA700mV @ 250µA(最小)750mV @ 1mA800mV @ 1mA800mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.31 nC @ 4.5 V0.35 nC @ 5 V0.4 nC @ 4 V0.43 nC @ 4.5 V0.44 nC @ 4.5 V0.5 nC @ 4 V0.51 nC @ 4.5 V0.59 nC @ 4.5 V0.6 nC @ 10 V0.68 nC @ 4.5 V0.7 nC @ 10 V0.7 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
-10V-8V,+19V+3V,-16V4.2V @ 1mA+5V,-16V±5V+6V,-4V±6V+7V,-1.4V±7V±8V+10V,-20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
13 pF @ 10 V15 pF @ 30 V17 pF @ 10 V20 pF @ 10 V20 pF @ 30 V21.3 pF @ 10 V22.2 pF @ 30 V23 pF @ 30 V23.2 pF @ 25 V23.6 pF @ 10 V24 pF @ 30 V25 pF @ 10 V
FET 功能
-温度检测二极管电流检测耗尽模式肖特基二极管(体)肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值)
125mW(Ta),3W(Tc)160mW190mW(Ta),200mW(Tc)200mW(Ta)200mW(Tc)225mW(Ta)230mW(Tc)250mW(Ta),770mW(Tc)250mW(Tc)265mW(Ta),1.33W(Tc)266mW(Ta),1.33W(Tc)270mW(Ta),1.3W(Tc)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-65°C ~ 175°C(TJ)-60°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 135°C(TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 155°C(TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C(TA)-55°C ~ 175°C(TJ)
等级
-军用汽车级
资质
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/542MIL-PRF-19500/543MIL-PRF-19500/555MIL-PRF-19500/556MIL-PRF-19500/557MIL-PRF-19500/562MIL-PRF-19500/592MIL-PRF-19500/595MIL-PRF-19500/603MIL-PRF-19500/614MIL-STD-750
安装类型
-底座安装表面贴装型表面贴装,可润湿侧翼通孔
供应商器件封装
2-HWSON(5x4)3-PQFN(5x6)3-PQFN(8x8)4-DFN-EP(8x8)4-DFN(8x8)4-ICEPAK - B1 PAD(4.8x3.8)4-ICEPAK - E1 PAD(6.3x4.9)4-MICRO FOOT®(1.6x1.6)4-Micro Foot(1x1)4-Microfoot4-TDFN(8x8)4-TFP(9.2x9.2)
封装/外壳
2-DFN 裸露焊盘3-PowerDFN3-PowerSMD,引线3-PowerTDFN3-SIP3-SMD,扁平引线3-SMD,扁平引线3-SMD,无引线3-WDSON3-XDFN 裸露焊盘3-XDFN3-XFDFN
库存选项
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制造商零件编号
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系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
21,183
现货
1 : ¥1.40000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.24168
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V190mA(Ta),300mA(Tc)5V,10V4.5 欧姆 @ 100mA,10V2.1V @ 250µA0.43 nC @ 4.5 V±20V20 pF @ 10 V-265mW(Ta),1.33W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-236ABTO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
699,816
现货
1 : ¥1.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.31032
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)50 V180mA(Ta)10V7.5 欧姆 @ 100mA,10V2.1V @ 250µA0.35 nC @ 5 V±20V36 pF @ 25 V-350mW(Ta),1.14W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型TO-236ABTO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
838,576
现货
1 : ¥2.05000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.34430
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V360mA(Ta)10V1.6 欧姆 @ 300mA,10V1.5V @ 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW(Ta),1.14W(Tc)-55°C ~ 150°C(TA)汽车级AEC-Q101表面贴装型TO-236ABTO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SC-101 SOT-883
NX7002BKMYL
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
40,728
现货
1 : ¥2.10000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.27204
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V350mA(Ta)5V,10V2.8 欧姆 @ 200mA,10V2.1V @ 250µA1 nC @ 10 V±20V23.6 pF @ 10 V-350mW(Ta),3.1W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-883SC-101,SOT-883
SOT 23-3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
284,960
现货
1 : ¥2.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.36657
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V115mA(Tc)5V,10V7.5 欧姆 @ 500mA,10V2.5V @ 250µA-±20V50 pF @ 25 V-225mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
2N7002,215
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
671,479
现货
1 : ¥2.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.38633
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V300mA(Tc)10V5 欧姆 @ 500mA,10V2.5V @ 250µA-±30V50 pF @ 10 V-830mW(Ta)-65°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-236ABTO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
BSS84,215
MOSFET P-CH 50V 130MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
225,755
现货
1 : ¥2.52000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.42825
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计P 通道MOSFET(金属氧化物)50 V130mA(Ta)10V10 欧姆 @ 130mA,10V2V @ 1mA-±20V45 pF @ 25 V-250mW(Tc)-65°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-236ABTO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
BSS138BK,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
500,417
现货
1 : ¥2.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.48795
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V360mA(Ta)10V1.6 欧姆 @ 350mA,10V1.6V @ 250µA0.7 nC @ 4.5 V±20V56 pF @ 10 V-350mW(Ta),1.14W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型TO-236ABTO-236-3,SC-59,SOT-23-3
234,570
现货
1 : ¥3.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.80957
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V115mA(Tc)5V,10V7.5 欧姆 @ 500mA,10V2.5V @ 250µA-40V50 pF @ 25 V-350mW(Ta)-65°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2301CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
171,573
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.82529
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V3.1A(Tc)2.5V,4.5V112 毫欧 @ 2.8A,4.5V1V @ 250µA10 nC @ 4.5 V±8V405 pF @ 10 V-860mW(Ta),1.6W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2301CDS-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
80,041
现货
1 : ¥3.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.81729
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V3.1A(Tc)2.5V,4.5V112 毫欧 @ 2.8A,4.5V1V @ 250µA10 nC @ 4.5 V±8V405 pF @ 10 V-860mW(Ta),1.6W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
PMV60ENEAR
MOSFET N-CH 40V 3A TO236AB
Nexperia USA Inc.
38,853
现货
1 : ¥3.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.82114
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)40 V3A(Ta)4.5V,10V75 毫欧 @ 3A,10V2.5V @ 250µA5 nC @ 10 V±20V180 pF @ 20 V-615mW(Ta),7.5W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型TO-236ABTO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 23
SI2333-TP
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23
Micro Commercial Co
29,790
现货
1 : ¥3.17000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.70551
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)12 V6A(Tc)4.5V150 毫欧 @ 500mA,1.5V1V @ 250µA2 nC @ 4.5 V±8V1275 pF @ 6 V-350mW(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2333DDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
Vishay Siliconix
15,924
现货
1 : ¥3.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.09609
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)12 V6A(Tc)1.5V,4.5V28 毫欧 @ 5A,4.5V1V @ 250µA35 nC @ 8 V±8V1275 pF @ 6 V-1.2W(Ta),1.7W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2369DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236
Vishay Siliconix
15,834
现货
1 : ¥3.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.09609
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V7.6A(Tc)4.5V,10V29 毫欧 @ 5.4A,10V2.5V @ 250µA36 nC @ 10 V±20V1295 pF @ 15 V-1.25W(Ta),2.5W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
PMV213SN,215
MOSFET N-CH 100V 1.9A TO236AB
Nexperia USA Inc.
262,361
现货
1 : ¥3.33000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.32546
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V1.9A(Tc)10V250 毫欧 @ 500mA,10V4V @ 1mA7 nC @ 10 V±30V330 pF @ 20 V-280mW(Tj)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-236ABTO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2347DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 5A SOT23-3
Vishay Siliconix
221,262
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.74207
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V5A(Tc)4.5V,10V42 毫欧 @ 3.8A,10V2.5V @ 250µA22 nC @ 10 V±20V705 pF @ 15 V-1.7W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2304DDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
Vishay Siliconix
48,808
现货
1 : ¥3.33000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.89954
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V3.3A(Ta),3.6A(Tc)4.5V,10V60 毫欧 @ 3.2A,10V2.2V @ 250µA6.7 nC @ 10 V±20V235 pF @ 15 V-1.1W(Ta),1.7W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
338,239
现货
1 : ¥3.41000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.58532
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)40 V12A(Tc)4.5V,10V44 毫欧 @ 12A,10V3V @ 250µA21 nC @ 10 V±20V1125 pF @ 20 V-2.5W(Ta),50W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型TO-252(DPAK)TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252-2
DMN10H170SK3-13
MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3
Diodes Incorporated
150,513
现货
40,000
工厂
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.61622
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V12A(Tc)4.5V,10V140 毫欧 @ 5A,10V3V @ 250µA9.7 nC @ 10 V±20V1167 pF @ 25 V-42W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-252-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
SOT-23-3
SI2312CDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3
Vishay Siliconix
120,054
现货
1 : ¥3.41000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.15059
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)20 V6A(Tc)1.8V,4.5V31.8 毫欧 @ 5A,4.5V1V @ 250µA18 nC @ 5 V±8V865 pF @ 10 V-1.25W(Ta),2.1W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
PMV37ENEAR
MOSFET N-CH 60V 3.5A TO236AB
Nexperia USA Inc.
31,299
现货
1 : ¥3.41000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.96192
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V3.5A(Ta)4.5V,10V49 毫欧 @ 3.5A,10V2.7V @ 250µA13 nC @ 10 V±20V450 pF @ 30 V-710mW(Ta),8.3W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型TO-236ABTO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
PMV20XNER
MOSFET N-CH 30V 5.7A TO236AB
Nexperia USA Inc.
29,928
现货
1 : ¥3.41000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.91238
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V5.7A(Ta)1.8V,4.5V23 毫欧 @ 5.7A,4.5V900mV @ 250µA18.6 nC @ 4.5 V±12V1150 pF @ 15 V-510mW(Ta),6.94W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-236ABTO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2377EDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT23-3
Vishay Siliconix
24,064
现货
1 : ¥3.41000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.15059
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V4.4A(Tc)1.5V,4.5V61 毫欧 @ 3.2A,4.5V1V @ 250µA21 nC @ 8 V±8V--1.25W(Ta),1.8W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
MFG_TO-236-3,-SC-59,-SOT-23-3
TSM2312CX RFG
MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23
Taiwan Semiconductor Corporation
153,404
现货
1 : ¥3.50000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.63816
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计N 通道MOSFET(金属氧化物)20 V4.9A(Tc)1.8V,4.5V33 毫欧 @ 4.9A,4.5V1V @ 250µA11.2 nC @ 4.5 V±8V500 pF @ 10 V-750mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。