单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Infineon TechnologiesToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
HEXFET®OptiMOS™-5StrongIRFET™TrenchFET®U-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V150 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6A（Ta）110A（Tc）120A（Tc）182A（Tc）195A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.7 毫欧 @ 195A，10V4.8 毫欧 @ 100A，10V5 毫欧 @ 20A，10V6.6 毫欧 @ 82A，10V28 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 100µA2.5V @ 250µA4V @ 250µA4V @ 270µA4.9V @ 255µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.4 nC @ 4.5 V84 nC @ 10 V162 nC @ 4.5 V203 nC @ 10 V280 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
380 pF @ 75 V436 pF @ 15 V9820 pF @ 50 V10315 pF @ 25 V11300 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
1W（Ta）15W（Ta），375W（Tc）313W（Tc）375W（Tc）556W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
D2PAKPG-TO263-3SOT-23FTO-247ACTO-263（D2PAK）
封装/外壳
SOT-23-3 扁平引线TO-247-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263 (D2Pak)
SUM110P04-05-E3
MOSFET P-CH 40V 110A TO263
Vishay Siliconix
48,560
现货
1 : ¥37.60000
剪切带（CT）
800 : ¥22.68686
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
110A（Tc）
10V
5 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 250µA
280 nC @ 10 V
±20V
11300 pF @ 25 V
-
15W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-247-3 AC EP
IRF200P222
MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC
Infineon Technologies
965
现货
1 : ¥77.99000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
182A（Tc）
10V
6.6 毫欧 @ 82A，10V
4V @ 270µA
203 nC @ 10 V
±20V
9820 pF @ 50 V
-
556W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247AC
TO-247-3
55,128
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.76330
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6A（Ta）
4.5V，10V
28 毫欧 @ 5A，10V
2.5V @ 100µA
3.4 nC @ 4.5 V
±20V
436 pF @ 15 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRLS3034TRLPBF
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Infineon Technologies
3,182
现货
1 : ¥25.78000
剪切带（CT）
800 : ¥15.58758
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
195A（Tc）
4.5V，10V
1.7 毫欧 @ 195A，10V
2.5V @ 250µA
162 nC @ 4.5 V
±20V
10315 pF @ 25 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB048N15N5LFATMA1
MOSFET N-CH 150V 120A D2PAK
Infineon Technologies
1,389
现货
1 : ¥78.08000
剪切带（CT）
1,000 : ¥44.29531
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
120A（Tc）
10V
4.8 毫欧 @ 100A，10V
4.9V @ 255µA
84 nC @ 10 V
±20V
380 pF @ 75 V
-
313W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。