单 FET,MOSFET
结果 : 5
系列
包装
技术
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏源电压(Vdss) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | Vgs(最大值) | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | FET 功能 | 功率耗散(最大值) | 工作温度 | 安装类型 | 供应商器件封装 | 封装/外壳 |
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871 现货 | 1 : ¥147.29000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | GaNFET(共源共栅氮化镓 FET) | 650 V | 46.5A(Tc) | 10V | 41 毫欧 @ 30A,10V | 4.8V @ 1mA | 22 nC @ 0 V | ±20V | 1500 pF @ 400 V | - | 156W(Tc) | -55°C ~ 150°C | 通孔 | TO-247-3 | TO-247-3 | |||
665 现货 | 1 : ¥264.85000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | GaNFET(氮化镓) | 650 V | 93A(Tc) | 10V | 18 毫欧 @ 60A,10V | 4.8V @ 2mA | 100 nC @ 10 V | ±20V | 5218 pF @ 400 V | - | 266W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-247-3 | TO-247-3 | |||
157 现货 | 1 : ¥102.95000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | GaNFET(氮化镓) | 650 V | 34A(Tc) | 10V | 60 毫欧 @ 22A,10V | 4.8V @ 700µA | 24 nC @ 10 V | ±20V | 1000 pF @ 400 V | - | 119W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装型 | TO-263 | TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB | |||
141 现货 | 1 : ¥117.89000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | GaNFET(氮化镓) | 650 V | 34A(Tc) | 10V | 60 毫欧 @ 22A,10V | 4.8V @ 700µA | 24 nC @ 10 V | ±20V | 1000 pF @ 400 V | - | 119W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-247-3 | TO-247-3 | |||
2,800 现货 | 1 : ¥24.38000 剪切带(CT) 4,000 : ¥11.87329 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | N 通道 | GaNFET(共源共栅氮化镓 FET) | 650 V | 3.6A(Tc) | 8V | 560 毫欧 @ 3.4A,8V | 2.8V @ 500µA | 9 nC @ 8 V | ±18V | 760 pF @ 400 V | - | 13.2W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装型 | 3-PQFN(5x6) | 3-PowerTDFN |
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