单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
HEXFET®PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
55 V100 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11.2A（Ta）34A（Tc）110A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8 毫欧 @ 62A，10V9.8 毫欧 @ 11.2A，10V16 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
41 nC @ 10 V110 nC @ 10 V146 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2580 pF @ 50 V3247 pF @ 25 V4440 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），5W（Tc）46W（Tc）200W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-SOICD2PAKTO-220AB 整包
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-220-3 整包TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-SOIC
FDS86140
MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC
onsemi
4,371
现货
1 : ¥23.07000
剪切带（CT）
2,500 : ¥11.22934
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
11.2A（Ta）
6V，10V
9.8 毫欧 @ 11.2A，10V
4V @ 250µA
41 nC @ 10 V
±20V
2580 pF @ 50 V
-
2.5W（Ta），5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF3205STRLPBF
MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Infineon Technologies
3,662
现货
1 : ¥14.20000
剪切带（CT）
800 : ¥7.94634
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
110A（Tc）
10V
8 毫欧 @ 62A，10V
4V @ 250µA
146 nC @ 10 V
±20V
3247 pF @ 25 V
-
200W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-220AB Full Pack
IRFI4321PBF
MOSFET N-CH 150V 34A TO220AB FP
Infineon Technologies
12,536
现货
1 : ¥20.03000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
34A（Tc）
10V
16 毫欧 @ 20A，10V
5V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±30V
4440 pF @ 50 V
-
46W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220AB 整包
TO-220-3 整包
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。